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      標簽　>　GAA

      GAA

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      半導體工藝制程在進入32nm以下的節(jié)點后，每一步都歷盡艱辛，傳統(tǒng)的工藝技術已經(jīng)無法滿足7nm以下的制程了。好在FinFET之后，又帶來了全新的GAA工藝；而5nm之后的時代，全新GAA技術有望延續(xù)現(xiàn)有半導體技術路線的壽命。

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      GAA簡介

      　　半導體工藝制程在進入32nm以下的節(jié)點后，每一步都歷盡艱辛，傳統(tǒng)的工藝技術已經(jīng)無法滿足7nm以下的制程了。好在FinFET之后，又帶來了全新的GAA工藝；而5nm之后的時代，全新GAA技術有望延續(xù)現(xiàn)有半導體技術路線的壽命。

      　　目前臺積電、三星、Intel、格芯量產(chǎn)的先進工藝普遍是基于FinFET鰭式晶體管的；但是在5nm之后，F(xiàn)inFET幾乎已經(jīng)達到了物理極限，其不斷拉高的深度和寬度之比（為了避免短溝道效應，鰭片的寬度應該小于柵極長度的0.7倍），將使得鰭片難以在本身材料內部應力的作用下維持直立形態(tài)。

      　　業(yè)內各大廠商和著名的研究機構都提出了自己的看法。其中一種比較主流的方式被稱作Gate-All-Around環(huán)繞式柵極技術，簡稱為GAA橫向晶體管技術，也可以被稱為GAAFET。在應用了GAA技術后，業(yè)內估計基本上可以解決3nm乃至以下尺寸的半導體制造問題。

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