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hemt技術(shù)

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)，但同時(shí)也存在一些缺...

2024-08-15 標(biāo)簽：GaN 功率半導(dǎo)體 HEMT 617 0

改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時(shí)間

在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時(shí)間 (SCWT)。

2024-05-09 標(biāo)簽：功率器件 GaN HEMT 561 0

GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法

氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢(shì)，如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時(shí)，這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槠錈o(wú)反向恢復(fù)...

2024-04-18 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN HEMT 932 0

微波GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

報(bào)告內(nèi)容包含：微帶WBG MMIC工藝 GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng) GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

2023-12-14 標(biāo)簽：微波 GaN HEMT 335 0

氮化鎵器件介紹與仿真

本推文簡(jiǎn)述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。

2023-11-27 標(biāo)簽：二極管仿真氮化鎵 2960 0

深入了解 GaN 技術(shù)

2023-12-06 標(biāo)簽：柵極氮化鎵 GaN 5969 0

GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)解析

硅材料的功率半導(dǎo)體器件已被廣泛應(yīng)用于大功率開關(guān)中，如電源、電機(jī)控制、工廠自動(dòng)化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導(dǎo)體器件都著重于減少功率損耗。在這些...

2023-11-09 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 1311 0

GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應(yīng)

由于GaN和AlGaN材料中擁有較強(qiáng)的極化效應(yīng)，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無(wú)需進(jìn)行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎(chǔ)上發(fā)展而...

2023-06-14 標(biāo)簽：晶體管 GaN HEMT 2714 0

GaN HEMT工藝全流程

GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 GaN 2383 0

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET最新進(jìn)展

近期，美國(guó)南卡羅來(lái)納大學(xué)報(bào)道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長(zhǎng)的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器晶體管 936 0

hemt帖子

GaN HEMT可靠性測(cè)試：為什么業(yè)界無(wú)法就一種測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成共識(shí)

標(biāo)簽：GaN HEMT 3456 0

基于HEMT的ADS功率放大器軟件仿真

標(biāo)簽：HEMT 2750 1

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CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規(guī)格書立即下載

類別：IC datasheet pdf 2024-09-04 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵 HEMT 80 0

QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手冊(cè)立即下載

類別：IC datasheet pdf 2024-07-31 標(biāo)簽：GaN HEMT 59 0

ATF-541M4低噪聲增強(qiáng)模式偽HEMT微型無(wú)引線封裝產(chǎn)品簡(jiǎn)介立即下載

類別：電子資料 2023-07-20 標(biāo)簽：封裝 LNA HEMT 259 0

TP65H035G4WS場(chǎng)效應(yīng)管英文手冊(cè)立即下載

類別：IC datasheet pdf 2022-03-31 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 HEMT 827 0

FHX76LP低噪聲高電子遷移率晶體管的詳細(xì)數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-08-14 標(biāo)簽：封裝 DBS HEMT 1370 0

RFPP2870混合推挽放大器的詳細(xì)數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-07-26 標(biāo)簽：放大器 GaAs HEMT 690 0

QPD2731非對(duì)稱Doherty功率放大器的詳細(xì)資料免費(fèi)下載立即下載

類別：電源技術(shù) 2018-07-31 標(biāo)簽：放大器 Doherty HEMT 932 0

不同的微波從柵極注入HEMT的影響立即下載

類別：射頻無(wú)線論文 2017-11-06 標(biāo)簽：微波 HEMT 791 0

使用ADS系統(tǒng)設(shè)計(jì)35GHz HEMT壓控振蕩器立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2010-05-17 標(biāo)簽：ADS HEMT 908 0

hemt資訊

GaN HEMT正加速成為儲(chǔ)能市場(chǎng)主流

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）作為新一代的半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度大、臨界擊穿電場(chǎng)高、飽和電子漂移速度高等特...

2024-08-27 標(biāo)簽：GaN 儲(chǔ)能 HEMT 3683 0

使用GaN HEMT設(shè)備最大化OBCs的功率密度

隨著電動(dòng)汽車（EVs）的銷售量增長(zhǎng)，整車OBC（車載充電器）的性能要求日益提高。原始設(shè)備制造商正在尋求最小化這些組件的尺寸和重量以提高車輛續(xù)航里程。因此...

2023-12-17 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 GaN HEMT 936 0

GaN HEMT為什么不能做成低壓器件

GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽...

2023-12-07 標(biāo)簽：晶體管 GaN HEMT 760 0

利用 HEMT 和 PHEMT 改善無(wú)線通信電路中的增益、速度和噪聲

2023-12-07 標(biāo)簽：無(wú)線通信晶體管 HEMT 799 0

CGD與群光電能科技和劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部共同組建GaN生態(tài)系統(tǒng)

擁有系統(tǒng)和應(yīng)用、研究和設(shè)備方面的專業(yè)知識(shí)，可生產(chǎn)創(chuàng)新、高性能的基于 GaN 的筆記本電腦和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品 ? 英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN...

2023-11-06 標(biāo)簽：smps GaN HEMT 633 0

AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)的氧基數(shù)字蝕刻

寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEM...

2023-10-10 標(biāo)簽：蝕刻 GaN HEMT 649 0

CGD 將首次亮相中國(guó) PCIM Asia（上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)），推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列

誠(chéng)邀您于 8 月 29 至 31 日蒞臨上海新國(guó)際博覽中心參觀 2G18 展位英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是...

2023-08-09 標(biāo)簽：氮化鎵 HEMT 395 0

CGD 與高品質(zhì)服務(wù)領(lǐng)航者 DigiKey 達(dá)成全球分銷協(xié)議

為建立 GaN 生態(tài)系統(tǒng)造福全球工程師邁出重要一步英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公...

2023-06-30 標(biāo)簽：氮化鎵 CGD HEMT 612 0

ROHM具有業(yè)界高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z...

2023-05-18 標(biāo)簽：GaN HEMT Rohm 689 0

Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同類產(chǎn)品中擁有出色的穩(wěn)健性、易用性和高效率

英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造...

2023-05-15 標(biāo)簽：MOSFET GaN HEMT 1050 0

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加速度傳感器

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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
OBD

OBD

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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
傅里葉變換

傅里葉變換

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征?！叭我狻钡暮瘮?shù)通過一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對(duì)簡(jiǎn)單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
角度傳感器

角度傳感器

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角度傳感器，顧名思義，是用來(lái)檢測(cè)角度的。它的身體中有一個(gè)孔，可以配合樂高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時(shí)，軸每轉(zhuǎn)過1/16圈，角度傳感器就會(huì)計(jì)數(shù)一次。
TOF

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L298

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DMD

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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開始，再透過光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
OV7620

OV7620

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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
MC9S12XS128

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HCS12X系列單片機(jī)簡(jiǎn)介 Freescale 公司的16位單片機(jī)主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個(gè)系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機(jī)以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡(jiǎn)稱S12系列，典型的S12總線速度可以達(dá)到25MHZ。
TDC-GP2

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干擾器

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干擾器有多種類型，如GPS干擾器是適用于長(zhǎng)途客車司機(jī)以及一些不想被GPS信號(hào)追蹤到的人群的一個(gè)機(jī)器，手機(jī)信號(hào)干擾器主要針對(duì)各類考場(chǎng)、學(xué)校、加油站、教堂、法庭、圖書館、會(huì)議中心（室）、影劇院、醫(yī)院、政府、金融、監(jiān)獄、公安、軍事重地等禁止使用手機(jī)的場(chǎng)所。
重力傳感器

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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲(chǔ)能彈簧來(lái)驅(qū)動(dòng)電觸點(diǎn)，完成從重力變化到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)。
線束

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半導(dǎo)體工藝

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MPSoC

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直流無(wú)刷電機(jī)

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無(wú)刷直流電機(jī)由電動(dòng)機(jī)主體和驅(qū)動(dòng)器組成，是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無(wú)刷電機(jī)是指無(wú)電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機(jī)，又稱無(wú)換向器電機(jī)。早在十九紀(jì)誕生電機(jī)的時(shí)候，產(chǎn)生的實(shí)用性電機(jī)就是無(wú)刷形式，即交流鼠籠式異步電動(dòng)機(jī)，這種電動(dòng)機(jī)得到了廣泛的應(yīng)用。
半導(dǎo)體制冷片

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聲紋識(shí)別

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聲紋識(shí)別，生物識(shí)別技術(shù)的一種，也稱為說話人識(shí)別，包括說話人辨認(rèn)和說話人確認(rèn)。聲紋識(shí)別就是把聲信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，再用計(jì)算機(jī)進(jìn)行識(shí)別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會(huì)使用不同的聲紋識(shí)別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時(shí)可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時(shí)則需要確認(rèn)技術(shù)。
零序

零序

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ATmega16單片機(jī)

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直流電壓

直流電壓

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凡是電流方向不隨時(shí)間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動(dòng)直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡(jiǎn)單的端對(duì)端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來(lái)直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級(jí)的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級(jí)下的獨(dú)立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
LPC2368

LPC2368

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緩沖電路

緩沖電路

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Buck-Boost

Buck-Boost

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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開單獨(dú)使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能，常見的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個(gè)開關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開關(guān)管和兩個(gè)二極管，可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
識(shí)別技術(shù)

識(shí)別技術(shù)

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所謂識(shí)別技術(shù)，也稱為自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，通過被識(shí)別物體與識(shí)別裝置之間的交互自動(dòng)獲取被識(shí)別物體的相關(guān)信息，并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
制冷片

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電磁繼電器

電磁繼電器

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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動(dòng)開關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
VCM

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