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      標(biāo)簽　>　MDD

      MDD

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      MDD是國(guó)內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測(cè)試”模式的半導(dǎo)體品牌，15年的行業(yè)深耕，一直專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎(chǔ)上，積累了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計(jì)能力，同時(shí)還建立全流程的封裝測(cè)試產(chǎn)線（涵蓋封裝測(cè)試、成品測(cè)試等多項(xiàng)）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件

      文章： 25 個(gè)
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      mdd動(dòng)態(tài)

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      　　深圳辰達(dá)行電子有限公司成立于2008年，公司總部位于廣東深圳，是一家專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體分立器件的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。

      　　公司通過不斷努力，高品質(zhì)的“MDD”品牌得到廣大客戶的信賴與支持，公司投資建設(shè)封裝廠，工廠占地24畝，建筑面積15000平方，現(xiàn)有員工300余人，年產(chǎn)銷二極管、整流橋總量約70億只。

      　　工廠引進(jìn)全套國(guó)外先進(jìn)設(shè)備和科學(xué)管理體系，擁有SOD-123、SOD-123FL、SOD-323、SMA、SMAF、SMB、SMBF、SMC、TO-277、TO-252、TO-220、UMB、MBS、MBF、ABS、KBP、GBU、GBJ、KBPC、R-1、DO-41、DO-15、DO-201AD、R-6、SOT-23、SOT-89、SOD-523、DFN等多種封裝形式的二極管/整流橋生產(chǎn)線；品種規(guī)格齊全，有普通整流、快速恢復(fù)、高效率、超快速、肖特基、整流橋、以及雙向觸發(fā)、高壓、瞬態(tài)抑制、開關(guān)、穩(wěn)壓等各種系列的二極管/整流橋。

      　　公司通過了ISO9001:2008質(zhì)量管理體系、ISO14001環(huán)境管理體系認(rèn)證，產(chǎn)品通過美國(guó)UL認(rèn)證，并符合歐盟RoHS、REACH環(huán)保要求，可為客戶提供量身定制與研發(fā)設(shè)計(jì)的專業(yè)服務(wù)，并可以提供滿足客戶需求的無鹵素產(chǎn)品。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、安防、工控類、汽車電子、新能源等領(lǐng)域并遠(yuǎn)銷歐美及東南亞地區(qū)，在客戶中享有良好的口碑。

      　　展望未來，辰達(dá)行將常懷感恩的心，竭誠(chéng)為新老客戶提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和完美服務(wù)。力爭(zhēng)為中國(guó)半導(dǎo)體事業(yè)做出奉獻(xiàn)！

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      mdd技術(shù)

      MDD 胡鬧！誰教你這樣用TVS管的??？

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      mdd資訊

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      近日，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體以其卓越的品質(zhì)、出色的服務(wù)和持續(xù)的創(chuàng)新精神，榮獲了華強(qiáng)網(wǎng) 2023 年度優(yōu)秀品牌企業(yè)的殊榮。

      2024-03-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體華強(qiáng)電子MDD 809 0

      MDD SGT MOSFET助力掃地機(jī)器人的應(yīng)用方案

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      2023-12-24 標(biāo)簽：MOSFETMOS管掃地機(jī)器人 811 0

      MDD辰達(dá)半導(dǎo)體攜全新產(chǎn)品亮相深圳慕尼黑華南電子展

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      MDD辰達(dá)半導(dǎo)體亮相環(huán)球資源香港展

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      日前，由深圳市電子商會(huì)，中小企業(yè)公共服務(wù)平臺(tái)主辦的“第六屆藍(lán)點(diǎn)獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)盛典暨深圳市電子商會(huì)成立二十周年慶典”在深圳坪山燕子湖國(guó)際會(huì)展中心成功舉行。 第六屆...

      2023-03-06 標(biāo)簽：功率二極管封裝電子信息 1220 0

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      mdd數(shù)據(jù)手冊(cè)

      型號(hào) 描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) 參考價(jià)格
      MDD15N10D 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):100V;連續(xù)漏極電流(Id):15A;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V;
      DFR1J F1J 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):600V;平均整流電流(Io):1A;正向壓降(Vf):1.3V@1A;反向恢復(fù)時(shí)間(trr):250ns;
      DSR0.3K S03K 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):800V;平均整流電流(Io):300mA;正向壓降(Vf):1.1V@300mA;
      SOD1H8 U8 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):1kV;平均整流電流(Io):1A;正向壓降(Vf):1.7V@1A;反向恢復(fù)時(shí)間(trr):75ns;
      BZT52C7V5-WC 二極管配置:獨(dú)立式;穩(wěn)壓值(標(biāo)稱值):7.5V;穩(wěn)壓值(范圍):7V~7.9V;精度:-;功率:500mW;

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