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標(biāo)簽 > DRAM

DRAM

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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))

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DRAM簡介

  DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))

  工作原理

  動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復(fù)用來組成的。

  3管動態(tài)RAM的工作原理3管動態(tài)RAM的基本存儲電路。在這個電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開的。

  寫操作時,寫選擇線為“1”,所以Q1導(dǎo)通,要寫入的數(shù)據(jù)通過Q1送到Q2的柵極,并通過柵極電容在一定時間內(nèi)保持信息。

  讀操作時,先通過公用的預(yù)充電管Q4使讀數(shù)據(jù)線上的分布電容CD充電,當(dāng)讀選擇線為高電平有效時,Q3處于可導(dǎo)通的狀態(tài)。若原來存有“1”,則Q2導(dǎo)通,讀數(shù)據(jù)線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導(dǎo)通條件,但因為Q2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”。可見,對這樣的存儲電路,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進(jìn)行反相再送往 數(shù)據(jù)總線。

DRAM百科

  DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))

  工作原理

  動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復(fù)用來組成的。

  3管動態(tài)RAM的工作原理3管動態(tài)RAM的基本存儲電路。在這個電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開的。

  寫操作時,寫選擇線為“1”,所以Q1導(dǎo)通,要寫入的數(shù)據(jù)通過Q1送到Q2的柵極,并通過柵極電容在一定時間內(nèi)保持信息。

  讀操作時,先通過公用的預(yù)充電管Q4使讀數(shù)據(jù)線上的分布電容CD充電,當(dāng)讀選擇線為高電平有效時,Q3處于可導(dǎo)通的狀態(tài)。若原來存有“1”,則Q2導(dǎo)通,讀數(shù)據(jù)線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導(dǎo)通條件,但因為Q2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”??梢?,對這樣的存儲電路,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進(jìn)行反相再送往 數(shù)據(jù)總線。

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