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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了,EUV已經(jīng)遇到了一些延遲,將技術(shù)從一個節(jié)點推向下一個階段,本單元詳細介紹了EUV光刻機,EUV光刻機技術(shù)的技術(shù)應用,EUV光刻機的技術(shù)、市場問題,國產(chǎn)euv光刻機發(fā)展等內(nèi)容。
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光刻機經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展,每次改進和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機所能實現(xiàn)的最小工藝節(jié)點。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EU...
高數(shù)值孔徑EUV光刻:引領(lǐng)下一代芯片制造的革命性技術(shù)
摩爾定律是指在給定面積的硅片上,晶體管的數(shù)量大約每兩年翻一番,這種增益推動了計算技術(shù)的發(fā)展。在過去半個世紀里,我們將該定律視為一種類似進化或衰老的不可避...
微電子制造過程中的圖形轉(zhuǎn)移母版掩膜版(Photomask)又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版等,是微電子制造過程中的圖形轉(zhuǎn)移工具或母版,是圖形設(shè)計和工藝技術(shù)等...
在3D實現(xiàn)方面,存儲器比邏輯更早進入實用階段。NAND閃存率先邁向3D 。隨著目前量產(chǎn)的20-15nm工藝,所有公司都放棄了小型化,轉(zhuǎn)而轉(zhuǎn)向存儲單元的三...
納米壓印是微納工藝中最具發(fā)展?jié)摿Φ牡谌饪坦に嚕亲钣邢M〈鷺O紫外光的新一代工藝。最近,海力士公司從佳能購買了一套奈米壓印機,進行了大規(guī)模生產(chǎn),并取...
關(guān)于數(shù)字處理技術(shù)部分的路線圖介紹
EUV 超薄 (≤10nm)尺度的光刻膠:隨著特征尺寸的縮小,光刻膠分子成分成為特征尺寸的一部分。構(gòu)成光刻膠的分子必須是單組分、小的構(gòu)建塊,以防止聚...
EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光,涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會將圖案打印到晶圓上,用于微芯片設(shè)計過程中的后續(xù)步驟。
極紫外 (EUVL) 光刻設(shè)備技術(shù)應用分析
歐洲極紫外光刻(EUVL)技術(shù)利用波長為13.5納米的光子來制造集成電路。產(chǎn)生這種光的主要來源是使用強大激光器產(chǎn)生的熱錫等離子體。激光參數(shù)被調(diào)整以產(chǎn)生大...
SSMB就產(chǎn)生了和FEL類似的“微聚束”,但是關(guān)鍵還加上了“穩(wěn)態(tài)”。FEL不是穩(wěn)態(tài),電子團在波蕩器里自由互相作用,最后發(fā)出強光完事。SSMB是讓電子束在...
EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì),當受到EUV光子照射時會發(fā)生化學變化。這些材料在解決半導體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,包括提高靈敏度、控制分辨率、減...
上海伯東客戶日本某生產(chǎn)半導體用光刻機公司, 光刻機真空度需要達到 1x10-11 pa 的超高真空, 因為設(shè)備整體較大, 需要對構(gòu)成光刻機的真空相關(guān)部件...
2023-06-02 標簽:EUVEUV光刻機氦質(zhì)譜檢漏儀 691 0
微納制造技術(shù):定向自組裝(DSA)終于找到了立足點
英特爾的發(fā)言人表示,該公司目前正在尋求多種利用定向自組裝(DSA)的集成工藝流程?!拔覀冊?SPIE 等會議上公開討論過的一個工藝流程是使用 DSA 進...
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