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聚燦光電宣布擴建Mini/Micro LED芯片研發(fā)及制造項目
3月6日,聚燦光電發(fā)布公告,宣布擬變更“Mini/Micro LED芯片研發(fā)及制造擴建項目”的部分募集資金(共計8億元)用途,用于新項目“年產(chǎn)240萬片...
中國一直堅定地追求技術(shù)優(yōu)勢,特別是在5G、電動汽車和可再生能源等新興領(lǐng)域。這些變革領(lǐng)域嚴重依賴于化合物半導體,包括GaAs, Ge, GaN, Ga2O...
影響二極管開關(guān)速度的主要因素是什么? 二極管開關(guān)是電子設(shè)備領(lǐng)域中不可或缺的一種元件,它具有快速切換衰減電壓的特性。二極管開關(guān)速度影響了整個電路的性能,包...
近年來,基于InGaAs單光子雪崩二極管(SPAD)的近紅外單光子探測技術(shù)在遠距離激光雷達等系統(tǒng)中的應(yīng)用日益廣泛,展現(xiàn)了其低功耗、小體積等優(yōu)勢。
GaAs基VCSEL已廣泛應(yīng)用于三維成像、無人駕駛、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)通訊等領(lǐng)域,同時在光電對抗、激光雷達、航空航天等高精尖領(lǐng)域也發(fā)揮著巨大的作用和潛能。
軍備芯片和商用芯片的區(qū)別 芯片14nm對比5nm差距在哪里?
其實就目前的情況(截止2022年)而言,現(xiàn)實和他們想的相反,在很多軍工領(lǐng)域,我國現(xiàn)役軍備里的芯片反而比美帝要先進,實際情況大概率是美國戰(zhàn)斗機用90nm芯...
淺析Tower硅光子平臺結(jié)合光纖與硅芯片連接技術(shù)及量子點激光器
Bump-ready晶圓將Tower的PH18硅光子技術(shù)與允許同時將大量光纖連接到芯片的功能相結(jié)合——顯著簡化了組裝成用于數(shù)據(jù)中心和電信網(wǎng)絡(luò)的最終高速數(shù)...
HMC624A是一款6位數(shù)字衰減器,以0.5 dB步長提供31.5 dB的衰減控制范圍。 HMC624A在100 MHz至6.0 GHz的指定頻率范圍內(nèi)...
為了實現(xiàn)更高的工作頻率和更低的功耗,硅基 SiGe 射頻 CMOS 和 BiCMOS 工藝技術(shù)在21 世紀初得到較為廣泛的研究。
Qorvo的CMD275是款寬帶GaAs?MMIC低相噪聲放大器芯片特別適合國防軍事、航空航天和通訊系統(tǒng)。在10GHz時,CMD275提供16dB的增益...
電子遷移率(electron mobility)高。這個特性帶來的功能上的好處是低噪音,高頻。比如GaAs是硅的5倍速度。這種半導體可以進行高速運算。
2022-09-21 標簽:太陽能電池GaAs光電轉(zhuǎn)換 2478 0
晶圓具有強大的性能,使其成為快速發(fā)展的技術(shù)領(lǐng)域的理想選擇。這些半導體正在推動移動通信的未來。
對于基礎(chǔ)研究和技術(shù)應(yīng)用,至關(guān)重要的是,開發(fā)有效的程序來準備清潔的半導體表面,顯示各種可能的重建,并了解這些程序的化學性質(zhì)。對于砷化鎵001使用砷脫殼或H...
隨著越來越多的RF系統(tǒng)轉(zhuǎn)為相控陣構(gòu)架,Custom MMIC的產(chǎn)品解決方案通過提供高性能、多位移相器成為了關(guān)鍵的引領(lǐng)者。Custom MMIC解決方案基...
2021-10-18 標簽:移相器GaAsRF系統(tǒng) 753 0
通常射頻信號源的簡單應(yīng)用通常只是輸入頻率、功率,加上一些模擬、數(shù)字調(diào)制,然而要充分挖掘出信號源的潛力和性能需要更多的技巧。本應(yīng)用指南會告訴您可以通過更多...
來源:羅姆半導體社區(qū) 半導體原料共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段:第一階段是以硅 (Si)、鍺 (Ge) 為代表的第一代半導體原料;第二階段是以砷化鎵?(GaAs)...
GaAs和GaN混合集成微波功率放大器已實現(xiàn)量產(chǎn)
隨著目前美國對我國各個行業(yè)的限制,特別是在包括Sub-1G的自組網(wǎng)等射頻通信領(lǐng)域的限制更加嚴格,我們需要發(fā)展自己的好性能芯片,尤其是通信裝備就更加敏感了...
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