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      igbt芯片

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      igbt芯片技術(shù)

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      igbt芯片vce與結(jié)溫的關(guān)系

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      2024-02-19 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體igbt芯片 295 0

      IGBT單管及IGBT模塊的區(qū)別在哪？

      IGBT最常見的形式其實是模塊（Module），而不是單管。

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      如下圖所示為目前國際上最為主流的IGBT芯片俯視圖和截面示意圖

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      光伏組串逆變器需要ANPC 3L拓?fù)鋯幔克亲罴堰x擇嗎？

      光伏組串逆變器需要ANPC 3L拓?fù)鋯?？它是最佳選擇嗎？

      ANPC 3L，英文全稱叫Active Neutral Point Clamped Three Level；中文全稱叫有源中性點鉗位三電平。

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      如果施加超過額定值的負(fù)載。會立即損壞元件或降低元件的可靠性。請遵照規(guī)格書額定值進(jìn)行設(shè)計

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      探討一下IGBT的片上電流傳感器基本原理及用法

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      比亞迪半導(dǎo)體榮獲21年度廣東省科技進(jìn)步二等獎

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      IGBT芯片技術(shù)：首次將壓降芯片的工作結(jié)溫提高到150℃

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        工業(yè)路由器
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