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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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開(kāi)關(guān)電源尖峰干擾的產(chǎn)生原因和抑制方法
開(kāi)關(guān)電源的尖峰干擾是一個(gè)復(fù)雜而重要的問(wèn)題,它主要源于開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部高頻開(kāi)關(guān)器件的快速通斷過(guò)程。這種干擾不僅影響開(kāi)關(guān)電源本身的性能,還可能對(duì)周?chē)钠渌娮釉O(shè)...
2024-08-19 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源IGBT尖峰干擾 1293 0
提升傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊
近年來(lái),1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當(dāng)前使用IGBT的電力轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師的真正替代方案。到目前為止,大多數(shù)SiCMOSFET...
當(dāng)IGBT和二極管的功能結(jié)合在單個(gè)硅片上時(shí),就產(chǎn)生了反向?qū)щ奍GBT(RC-IGBT)。這使得標(biāo)準(zhǔn)的IGBT/二極管模塊可以在單個(gè)硅芯片上構(gòu)建,從而增強(qiáng)...
推挽逆變電路與橋式逆變電路是兩種常見(jiàn)的逆變電路形式,它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在一些區(qū)別。以下是對(duì)這兩種逆變電路的比較: 結(jié)構(gòu)區(qū)別 推挽逆變...
新潔能650V Gen.7 IGBT系列產(chǎn)品介紹
新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品,基于微溝槽場(chǎng)截止技術(shù),可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲(chǔ)設(shè)計(jì)、多梯度緩沖層設(shè)計(jì)、超薄漂移區(qū)設(shè)計(jì),大...
絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開(kāi)...
IGBT尖峰吸收電容的選型方法是一個(gè)綜合考慮多個(gè)因素的過(guò)程,以確保電容能夠有效地吸收IGBT在開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的尖峰電壓和電流,從而保護(hù)IGBT不受損壞。...
PIM模塊和IGBT在電力電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色,但它們?cè)诙x、結(jié)構(gòu)、功能和應(yīng)用等方面存在顯著差異。以下是對(duì)PIM模塊的定義、與IGBT的區(qū)別以及兩...
功率模塊(Power Module)和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)在電力電子領(lǐng)域都...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和BJT(雙極型晶體管)的...
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)。然而,IGBT在長(zhǎng)時(shí)間工作過(guò)程中,...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。在IGBT的應(yīng)用過(guò)程中,吸收電容是一種常見(jiàn)的輔助元件,用于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容,這些電容會(huì)影響IGBT的...
高頻電源是一種利用高頻開(kāi)關(guān)技術(shù)實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的電源設(shè)備,廣泛應(yīng)用于通信、電力、工業(yè)、醫(yī)療等領(lǐng)域。在高頻電源的運(yùn)行過(guò)程中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為核...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于高頻電源領(lǐng)域。在高頻電源中,IGBT具有許多重要作用,以下是對(duì)這些作用的分析: 高效率:IG...
IGBT斬波調(diào)速電機(jī)車(chē)常見(jiàn)故障
IGBT斬波調(diào)速電機(jī)車(chē)是一種采用IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為功率器件的斬波調(diào)速系統(tǒng),廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、電動(dòng)叉車(chē)、電動(dòng)觀(guān)光車(chē)等場(chǎng)合。由于其具有高效率...
2024-08-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBT雙極晶體管 362 0
igbt焊機(jī)驅(qū)動(dòng)波形往前跑正常嗎
IGBT焊機(jī)驅(qū)動(dòng)波形往前跑,通常是指在焊接過(guò)程中,IGBT焊機(jī)的驅(qū)動(dòng)波形出現(xiàn)異常,導(dǎo)致焊接效果不理想。這種現(xiàn)象可能是由多種原因引起的,需要對(duì)IGBT焊機(jī)...
2024-08-07 標(biāo)簽:IGBT電子器件驅(qū)動(dòng)電路 324 0
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