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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

MOS管和IGBT的結(jié)構(gòu)區(qū)別

MOS管和IGBT的結(jié)構(gòu)區(qū)別

MOS管和IGBT是現(xiàn)代電子技術(shù)中兩種非常重要的半導(dǎo)體器件,它們?cè)陔娏﹄娮?、能量轉(zhuǎn)換、汽車(chē)電子等多個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。盡管它們都是半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件,但它...

2024-06-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管IGBT 700 0

什么是IGBT 它有什么作用

什么是IGBT 它有什么作用

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種高效的半導(dǎo)體器件,集成了MOSFET的輸入特性和BJT的輸出特性。這種結(jié)合使得IGBT在開(kāi)關(guān)速度、電壓承載能力和電流...

2024-06-09 標(biāo)簽:電阻IGBT晶體管 1476 0

高壓級(jí)聯(lián)變頻器和靜止無(wú)功發(fā)生器

高壓級(jí)聯(lián)變頻器和靜止無(wú)功發(fā)生器

EconoDUAL?3是一款經(jīng)典的IGBT模塊封裝,其上一代的1700V系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于級(jí)聯(lián)型中高壓變頻器、靜止無(wú)功發(fā)生器(SVG)和風(fēng)電變流器,...

2024-06-03 標(biāo)簽:封裝變頻器IGBT 357 0

IGBT上下橋關(guān)斷尖峰不一樣是何原因?

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,在電力電子領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。在IGBT的開(kāi)關(guān)過(guò)程中,上下橋臂的關(guān)斷尖峰現(xiàn)象是影響器件性能和可靠性的重要因素。

2024-05-29 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 8719 0

為什么使用 S 參數(shù)進(jìn)行功率模塊優(yōu)化更有優(yōu)勢(shì)?

為什么使用 S 參數(shù)進(jìn)行功率模塊優(yōu)化更有優(yōu)勢(shì)?

? 功率模塊是一種采用絕緣柵雙極性晶體管 (IGBT) 或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為開(kāi)關(guān)元件的高功率開(kāi)關(guān)電路,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、光伏...

2024-05-29 標(biāo)簽:IGBT功率模塊S參數(shù) 969 0

典型IGBT短路保護(hù)電路的工作原理簡(jiǎn)析

典型IGBT短路保護(hù)電路的工作原理簡(jiǎn)析

圖5-14所示是采用IGBT過(guò)流時(shí)UCE增大的原理構(gòu)成的保護(hù)電路,該電路采用IGBT專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)器EXB841。

2024-05-24 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器比較器IGBT 1.6萬(wàn) 0

什么是IGBT芯片?它有哪些用途?

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,是一種先進(jìn)的電力電子器件。IGBT芯片結(jié)合了MOS...

2024-05-23 標(biāo)簽:芯片IGBT晶體管 1557 0

600V/15A三相全橋驅(qū)動(dòng)智能功率模塊-DPM15C60DG1概述

600V/15A三相全橋驅(qū)動(dòng)智能功率模塊-DPM15C60DG1概述

DPM15C60 是一款三相 IGBT 逆變器模塊,內(nèi)置 IGBT 及其柵驅(qū)動(dòng)芯片,可用于無(wú)刷直流電機(jī)、永磁無(wú)刷電機(jī)等的驅(qū)動(dòng)。

2024-05-22 標(biāo)簽:逆變器IGBT電磁干擾 651 0

淺析IGBT并聯(lián)技術(shù)-并聯(lián)方法分類(lèi)

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IGBT并聯(lián)可以分為“硬并聯(lián)”及“橋臂并聯(lián)”2大類(lèi)。

2024-05-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBTbuck電路 1.7萬(wàn) 0

IGBT與MOS管的區(qū)別

在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是兩種非常重要的功率半導(dǎo)體器件。它們各自具有獨(dú)特的工作原理、結(jié)構(gòu)...

2024-05-12 標(biāo)簽:MOS管IGBT晶體管 2220 0

IGBT組成的H橋功率單元和級(jí)聯(lián)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有什么不同?

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種電力電子設(shè)備中常用的高效能開(kāi)關(guān)器件,它結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極晶體管的低導(dǎo)通壓降特點(diǎn)。

2024-05-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 1811 0

H橋的工作原理 H橋的控制方式有哪些

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H橋是一種用于控制電機(jī)方向和速度的電力電子電路。它由四個(gè)開(kāi)關(guān)器件(可以是晶體管、MOSFET、IGBT等)組成,其布局類(lèi)似于字母“H”,因此得名。

2024-05-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 3681 0

影響靜態(tài)均流的因素 IGBT芯片溫度對(duì)均流的影響

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并聯(lián)IGBT的直流母線側(cè)連接點(diǎn)的電阻分量,因此需要盡量對(duì)稱(chēng);

2024-05-10 標(biāo)簽:二極管IGBT雜散電感 1096 0

Vector與CSM助力核心技術(shù)創(chuàng)新,提升汽車(chē)終端用戶(hù)體驗(yàn)

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無(wú)論是“碳達(dá)峰,碳中和”的國(guó)家愿景,還是“到2025年,純電乘用車(chē)新車(chē)平均電耗降至12.0千瓦時(shí)/百公里,到2035年,純電汽車(chē)成為新銷(xiāo)售車(chē)輛的主流,公...

2024-05-10 標(biāo)簽:傳感器燃料電池新能源汽車(chē) 1157 0

基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)

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功率模塊從硅IGBT技術(shù)過(guò)渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而,從硅IGBT時(shí)代留下來(lái)的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化,因?yàn)樗鼈?..

2024-05-08 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率模塊 845 0

淺析電源功率模組完整的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證流程

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電動(dòng)汽車(chē)、新能源、光伏、風(fēng)電等領(lǐng)域廣泛使用高功率開(kāi)關(guān)電源功率模組。IGBT和MOSFET是模組中常用器件。

2024-05-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBT電磁兼容性 897 0

功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動(dòng)測(cè)試與計(jì)算新方案

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柵極參數(shù)設(shè)計(jì)是通過(guò)理論計(jì)算或建模仿真,模擬器件的開(kāi)關(guān)狀態(tài),掌握其動(dòng)態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等,其核心還是理論計(jì)算。

2024-04-29 標(biāo)簽:MOSFETIGBTemc 811 0

比亞迪e5高壓電控總成內(nèi)IGBT模塊技術(shù)分析

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用9 V電池作為電源接至G11觸發(fā)上橋臂中的1號(hào)IGBT,用萬(wàn)用表的二極管擋測(cè)量上橋臂“+”與“~”之間的導(dǎo)通性,顯示導(dǎo)通,壓降為0.379 V。

2024-04-28 標(biāo)簽:二極管原理圖萬(wàn)用表 902 0

門(mén)極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響

門(mén)極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響

對(duì)于半導(dǎo)體功率器件來(lái)說(shuō),門(mén)極電壓的取值對(duì)器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過(guò)門(mén)極負(fù)壓對(duì)器件開(kāi)關(guān)特性的影響,而今天我們來(lái)一起看看門(mén)極正電壓對(duì)器件的影響。文章將會(huì)...

2024-05-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 357 0

IGBT驅(qū)動(dòng)器直接并聯(lián)的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)介紹

IGBT驅(qū)動(dòng)器直接并聯(lián)的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)介紹

IGBT驅(qū)動(dòng)器在并聯(lián)的場(chǎng)合有2種配置方法(LS1,LS2為雜散參數(shù))

2024-04-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT電源電壓 1185 0

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  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • OBD
    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫(xiě),中文翻譯為“車(chē)載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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