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      標(biāo)簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1228人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：2759個 瀏覽：247637次 帖子：475個

      igbt技術(shù)

      IGBT并聯(lián)技術(shù)驅(qū)動配置的優(yōu)化策略與實踐

      IGBT并聯(lián)技術(shù)驅(qū)動配置的優(yōu)化策略與實踐

      1. 每個IGBT有獨立的驅(qū)動器； 2. IGBT的連接形式接近于硬并聯(lián)，兩橋臂交流輸出端通過銅排直接相連； 3. 可能存在發(fā)射極環(huán)流，但不同的IGBT...

      2024-04-26 標(biāo)簽：驅(qū)動器IGBT電流探頭 903 0

      功率循環(huán)對IGBT壽命有何影響？如何準(zhǔn)確估算功率器件的壽命呢？

      功率循環(huán)對IGBT壽命有何影響？如何準(zhǔn)確估算功率器件的壽命呢？

      運行過程中產(chǎn)生的高結(jié)溫和高溫度梯度會引起機(jī)械應(yīng)力，尤其是在具有不同熱膨脹系數(shù)的材料之間的接觸面上，這可能導(dǎo)致這些器件性能退化甚至完全失效。

      2024-04-24 標(biāo)簽：二極管IGBT功率器件 1013 0

      比亞迪高壓電控總成IGBT模塊檢測指南

      比亞迪高壓電控總成IGBT模塊檢測指南

      .通電導(dǎo)通性檢查 用9 V電池作為電源接至G11觸發(fā)上橋臂中的1號IGBT，用萬用表的二極管擋測量上橋臂“+”與“～”之間的導(dǎo)通性，顯示導(dǎo)通，壓降為0...

      2024-04-23 標(biāo)簽：二極管萬用表比亞迪 814 0

      光伏儲能有哪些芯片？

      光伏儲能系統(tǒng)中使用的芯片種類多樣，它們在系統(tǒng)的不同部分發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

      2024-04-22 標(biāo)簽：MOSFETIGBT場效應(yīng)晶體管 1099 0

      IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 如何確定IGBT的額定電壓？

      IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 如何確定IGBT的額定電壓？

      集電極-發(fā)射極額定電壓（UCES） ：IGBT在截止?fàn)顟B(tài)下，集電極與發(fā)射極之間能夠承受的最大電壓。

      2024-05-01 標(biāo)簽：電動機(jī)IGBT電源轉(zhuǎn)換 1988 0

      IGBT的基本工作原理、開關(guān)特性及其輸入特性

      IGBT的基本工作原理、開關(guān)特性及其輸入特性

      IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種三端子的半導(dǎo)體開關(guān)器件，它結(jié)合了MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的高輸入阻抗和BJT（雙極型晶體管）...

      2024-05-01 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體IGBT 1900 0

      PWM方式開關(guān)電源中IGBT的損耗分析

      PWM方式開關(guān)電源中IGBT的損耗分析

      　在任何裝置中使用IGBT 都會遇到IGBT 的選擇及熱設(shè)計問題。當(dāng)電壓應(yīng)力和電流應(yīng)力這2 個直觀參數(shù)確定之后， 終需要根據(jù)IGBT 在應(yīng)用條件下的損耗...

      2024-05-03 標(biāo)簽：PWMIGBT變壓器 369 0

      揭秘電動汽車IGBT芯片鍵合線

      揭秘電動汽車IGBT芯片鍵合線

      在電控模塊中，IGBT模塊是逆變器的最核心部件，總結(jié)其工作原理：通過非通即斷的半導(dǎo)體特性，不考慮過渡過程和寄生效應(yīng)，我們將單個IGBT芯片看做一個理想的開關(guān)。

      2024-04-27 標(biāo)簽：電動汽車逆變器IGBT 570 0

      一文詳解IGBT半橋逆變電路

      一文詳解IGBT半橋逆變電路

      圖1是半橋式逆變電路的原理圖，它是在全橋式逆變電路的基礎(chǔ)上用電容C1、C2代替了Q3、Q4兩個IGBT管，而且一般C1=C2，

      2024-04-19 標(biāo)簽：變壓器負(fù)載電流IGBT 7774 0

      IGBT的原理及應(yīng)用

      IGBT的原理及應(yīng)用

      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域的核心器件，以其獨特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異性能在諸多領(lǐng)域中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。其工作原理基于絕緣柵結(jié)構(gòu)實現(xiàn)高輸入阻抗與...

      2024-04-18 標(biāo)簽：IGBT晶體管核心器件 1540 0

      IGBT器件失效模式的影響分析

      IGBT器件失效模式的影響分析

      功率循環(huán)加速老化試驗中，IGBT 器件失效模式 主要為鍵合線失效或焊料老化，失效模式可能存在 多個影響因素，如封裝材料、器件結(jié)構(gòu)以及試驗條 件等。

      2024-04-18 標(biāo)簽：IGBT晶體管寬禁帶 756 0

      看完這篇，你就懂BOOST電路啦

      看完這篇，你就懂BOOST電路啦

      一、BOOST電路簡介Boost升壓電路是一種直流—直流變換電路,即是一種開關(guān)直流升壓電路。電路由直流電壓源、電感L、開關(guān)管Q、二極管D、濾波電容C、負(fù)...

      2024-04-16 標(biāo)簽：變換電路電感IGBT 2.3萬 0

      碳化硅在新型電力體系中的應(yīng)用

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      目前STATCOM多采用GTO、IGBT及IGCT等全控型器件作為開關(guān)。如IGCT其耐壓可達(dá)6.5kV，通斷電流可達(dá)4000A。但在輸電系統(tǒng)中，其電壓電...

      2024-04-16 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)IGBT配電系統(tǒng) 715 0

      淺析IGBT成為熱門的技術(shù)原因及應(yīng)用

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      近年IGBT這個專業(yè)名詞非常的熱。電子、半導(dǎo)體、汽車、能源、電力、控制系統(tǒng)等行業(yè)，好像都涉及到了這個名詞。

      2024-04-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體導(dǎo)通電阻IGBT 807 0

      IGBT無損緩沖吸收電路設(shè)計原理

      IGBT無損緩沖吸收電路設(shè)計原理

      電磁干擾嚴(yán)重。隨著頻率提高，電路中的di/dt和du/dt增大，從而使電磁干擾增大，影響變換器和周圍電子設(shè)備的工作。

      2024-04-12 標(biāo)簽：二極管IGBT電磁干擾 1838 0

      IGBT驅(qū)動設(shè)計：揭秘門極電壓選擇的奧秘

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      絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為一種結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）優(yōu)點的功率半導(dǎo)體器件，因其具有低開關(guān)損...

      2024-04-10 標(biāo)簽：電壓IGBT回流焊 2632 0

      車規(guī)芯片與非車規(guī)芯片基本性能對比

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      功率型芯片于控制單元中主要負(fù)責(zé)具有高功率負(fù)載的控制電路，是可實現(xiàn)系統(tǒng)中電力控制與管理的關(guān)鍵零件，由于其所具有的電能轉(zhuǎn)換特性，故也被稱為電能轉(zhuǎn)換芯片，于車...

      2024-04-09 標(biāo)簽：傳感器MOSFETIGBT 2724 0

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      三極管的結(jié)構(gòu)是給一塊純硅進(jìn)行三層摻雜，其中較窄區(qū)域高濃度N型摻雜，含有大量自由電子，中間極窄區(qū)域普通濃度P型摻雜，含有少數(shù)空穴，上邊較寬區(qū)域普通濃度N型...

      2024-04-09 標(biāo)簽：三極管MOS管發(fā)射機(jī) 7489 0

      一文詳解IGBT 模塊的熱設(shè)計和熱管理

      一文詳解IGBT 模塊的熱設(shè)計和熱管理

      其中模塊的鋁鍵合引線與芯片的鍵合點較小，芯片工作中產(chǎn)生的熱量主要通過熱傳導(dǎo)的方式由芯片向基板單向傳遞，在此過程中會遇到一定的阻力，稱為導(dǎo)熱熱阻。

      2024-04-07 標(biāo)簽：芯片IGBT熱管理 3814 0

      ROHM BM6337x/BM6357x系列如何解決開發(fā)背景中出現(xiàn)的各種問題呢？

      ROHM BM6337x/BM6357x系列如何解決開發(fā)背景中出現(xiàn)的各種問題呢？

      BM6337x/BM6357x系列最重要的亮點是同時實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的降噪性能和低損耗性能。

      2024-04-03 標(biāo)簽：熱敏電阻變頻器IGBT 1020 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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        +關(guān)注
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      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • OBD
        OBD
        +關(guān)注
        OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個系統(tǒng)隨時監(jiān)控發(fā)動機(jī)的運行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會馬上發(fā)出警示。
      • SDK
        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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      jf_72405040 jf_04124082 jf_31642550 jf_27230512 jf_29812963 jf_42612760 Kingofshit 我是初來乍到 jf_22555488 沉默只是不care你 jf_37801499 jf_21813894

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