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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中,加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)技術(shù)是提高M(jìn)OS管開關(guān)速度和效率的關(guān)鍵技術(shù)之一。由于MOS管通常具有慢開快關(guān)的特性,因此,在關(guān)斷瞬間,驅(qū)動(dòng)電路需要提供一個(gè)...
2024-09-26 標(biāo)簽:二極管MOS管關(guān)斷電路 168 0
在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中,電源IC直接驅(qū)動(dòng)是一種簡(jiǎn)單而有效的驅(qū)動(dòng)方式。它通過電源集成電路(IC)直接控制功率MOSFET或其他開關(guān)元件的導(dǎo)通和截止,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)...
2024-09-26 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電路電源IC 197 0
電子管柵極串聯(lián)電阻的作用主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 一、限制驅(qū)動(dòng)電流 防止電流過大 :在電子管(如MOS管)的開關(guān)電路或驅(qū)動(dòng)電路中,柵極的開啟過程可以看作...
2024-09-24 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻開關(guān)電路MOS管 147 0
mos管參數(shù)詳解及驅(qū)動(dòng)電阻選擇
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)...
2024-09-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 492 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的GS(柵極...
2024-09-18 標(biāo)簽:電阻MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 665 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的G極(柵極...
2024-09-18 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻MOS管振蕩電路 288 0
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件,它在電子電路中扮演著開關(guān)和放大器的角色。MOSFET由四個(gè)主要部分組成:源極(S...
2024-09-18 標(biāo)簽:MOS管電子電路半導(dǎo)體器件 395 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的連續(xù)漏極電...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件,它利用電場(chǎng)來控制電流的流動(dòng)。在MOSFET中,漏極電壓(Vd)是指漏極和源極之間...
2024-09-18 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管漏極電壓 481 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的柵極電壓控制是MOS管工作中的一個(gè)關(guān)鍵參...
MOS管的線性區(qū)是指MOS管在特定工作條件下,其導(dǎo)電性能隨輸入電壓(通常是柵源電壓Vgs)和輸出電壓(漏源電壓Vds)的變化而保持近似線性的區(qū)域。
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子電路...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化層半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為電子工...
電力場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和特性
電力場(chǎng)效應(yīng)管,特別是指電力MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),是一種重要...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 324 0
在我們現(xiàn)實(shí)生活中,能用到MOS管的地方太多了。MOS管也有NMOS和PMOS之分,特點(diǎn)和應(yīng)用有些許差異。N溝道MOSFET具有許多優(yōu)點(diǎn),如電流驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)...
MOS管是非常常用的分立器件產(chǎn)品,通常它有三個(gè)腳,為G、D、S,通過G、S間加控制信號(hào)時(shí)可以改變D、S間的導(dǎo)通和截止。PMOS和NMOS在結(jié)構(gòu)上完全相像...
晶揚(yáng)電子2N7002KX N溝道MOSFET晶體管的主要應(yīng)用
靜電放電,應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)的過度電應(yīng)力破壞的主要元兇。因?yàn)殪o電通常瞬間電壓非常高(>幾千伏),所以這種損傷是毀滅性和永久性的...
MOS管的敏感性使其容易受到靜電放電(ESD)的損害,這可能導(dǎo)致器件性能下降甚至完全失效。本文將深入探討MOS管被擊穿的原因,并提出相應(yīng)的解決方案,以幫...
MOS管的一個(gè)顯著特點(diǎn)是其高輸入電阻和小的柵-源極間電容。這種結(jié)構(gòu)使得MOS管極易受到外部電磁場(chǎng)或靜電的影響,從而帶電。在靜電較強(qiáng)的環(huán)境下,電荷難以泄放...
飛虹半導(dǎo)體FHA3N150A MOS管在智能電表的應(yīng)用
根據(jù)海關(guān)總署2023最新數(shù)據(jù)顯示:?jiǎn)蜗嚯姸缺?、三相電度表、高壓開關(guān)、變壓器等相關(guān)產(chǎn)品出口額分別為7.7/5.8/33.08/52.94/億美元,同比分別...
2024-09-04 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)MOS管智能電表 313 0
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