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mos管

mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重的原因

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本文主要介紹了場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重的原因以及場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理。場(chǎng)效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電,用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器...

2018-01-30 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管mos管 3.3萬(wàn) 0

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2018-06-09 標(biāo)簽:MOS管 2.1萬(wàn) 0

萬(wàn)用表如何判斷mos管好壞

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本文介紹了萬(wàn)用表如何判斷mos管好壞,mos管是金屬—氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以...

2018-01-12 標(biāo)簽:萬(wàn)用表mos管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 13.2萬(wàn) 0

基于一個(gè)MOS管波形到底能得出多少信息的解析

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當(dāng)MOS管電壓上升到A點(diǎn)時(shí),輸出整流管導(dǎo)通,初級(jí)勵(lì)磁電感箝位于V1. 此時(shí),漏感和雜散電容諧振, 由于變壓器線(xiàn)圈存在直流和交流電阻,該振蕩位阻尼振蕩,消...

2018-01-09 標(biāo)簽:mos管 1.3萬(wàn) 0

防反接保護(hù)電路設(shè)計(jì)及選材方案詳解

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這種接法簡(jiǎn)單可靠,但當(dāng)輸入大電流的情況下功耗影響是非常大的。以輸入電流額定值達(dá)到2A,如選用Onsemi的快速恢復(fù)二極管 MUR3020PT,額定管壓降...

2017-12-12 標(biāo)簽:二極管mos管 1.7萬(wàn) 0

8張圖讓你快速識(shí)別應(yīng)用MOS管

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三極管是流控型器件,MOS管是壓控型器件,兩者存在相似之處。三極管機(jī)可能經(jīng)常用,但MOS管你用的可能較少。對(duì)于MOS管先拋出幾個(gè)問(wèn)題:如何區(qū)分P-MOS...

2018-07-15 標(biāo)簽:MOS管 1.7萬(wàn) 0

如何防范開(kāi)關(guān)電源emi?這些技巧你得知道

作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大; 干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相...

2017-11-14 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源emimos管 4752 0

一文熟悉電流檢測(cè)電路的設(shè)計(jì)要點(diǎn)

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為了滿(mǎn)足對(duì)直流電流進(jìn)行檢測(cè)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)電流信號(hào)縮小的需要,設(shè)計(jì)了一款電流檢測(cè)電路,采用CSMC 0.5 μm 120 V BCD工藝。不同于傳統(tǒng)電流檢測(cè)...

2017-11-13 標(biāo)簽:mos管電流檢測(cè)有源器件 1.9萬(wàn) 0

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設(shè)計(jì)了一個(gè)分壓電路,理論上輸入1V,輸出2V,可是一測(cè),總是多了近6,7百個(gè)mV。這要是進(jìn)12位3V量程ADC,可是要吃掉600多個(gè)碼。點(diǎn)解?

2017-11-08 標(biāo)簽:運(yùn)放電路mos管導(dǎo)通電阻 1.1萬(wàn) 2

mos管工作原理及作用分析

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mos管工作原理:它是利用VGS來(lái)控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí),通過(guò)工...

2017-10-24 標(biāo)簽:mosfetmos管 14.9萬(wàn) 3

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MOS管介紹在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大

2017-10-24 標(biāo)簽:MOS管 1.7萬(wàn) 0

常用的二極管、三級(jí)管、MOS管的封裝圖

第一大電子技術(shù)學(xué)習(xí)平臺(tái)

2017-10-16 標(biāo)簽:三極管二極管封裝 2.3萬(wàn) 0

MOS管被靜電擊穿的原因

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2017-09-25 標(biāo)簽:MOS管 8028 0

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到底什么是雪崩失效呢,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)MOSFET在電源板上由于母線(xiàn)電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,導(dǎo)致的一種失效模式...

2017-09-18 標(biāo)簽:汽車(chē)電子mos管雪崩失效 1.0萬(wàn) 0

降壓轉(zhuǎn)換器的buck電路分析

 buck電路也屬于開(kāi)關(guān)電源。通過(guò)在MOS管Q上加上開(kāi)關(guān)信號(hào)PWM,控制開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷,是電感和電容充放電,這里采用的二極管是肖特基二極管,其特點(diǎn)是...

2017-07-05 標(biāo)簽:二極管電容mos管 6888 0

數(shù)字電位器的應(yīng)用及考量

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X9313為工業(yè)級(jí)的32抽頭數(shù)控電位器,最大阻值為10 kΩ,采用8引腳,有DIP、OIC、FSSOP 3種封裝。X9313的內(nèi)部功能框圖,如圖3所示。...

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最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET切換時(shí)間,比傳統(tǒng)的TO247封裝短。得益于開(kāi)關(guān)損耗降低,最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET實(shí)現(xiàn)了更...

2017-06-15 標(biāo)簽:電阻mos管電感 6236 0

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線(xiàn)路分析:電機(jī)啟動(dòng)時(shí),按下啟動(dòng)按鈕SB1,接觸器KM1線(xiàn)圈得電,KM1吸合,KM1的常開(kāi)接點(diǎn)閉合,使KM2線(xiàn)圈得電,KM2的常開(kāi)接點(diǎn)自鎖,使KM1、KM...

2017-06-12 標(biāo)簽:三極管電阻mos管 1.2萬(wàn) 0

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MOS管的驅(qū)動(dòng)對(duì)其工作效果起著決定性的作用。設(shè)計(jì)師既要考慮減少開(kāi)關(guān)損耗,又要求驅(qū)動(dòng)波形較好即振蕩小、過(guò)沖小、EMI小。這兩方面往往是互相矛盾的,需要尋求...

2017-06-09 標(biāo)簽:二極管電阻mos管 3.1萬(wàn) 0

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