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mos

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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。

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mos技術(shù)

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MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于絕緣柵型,本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個方面用工程師的話簡單描述。

2018-07-21 標(biāo)簽:電容MOSpnp 1.1萬 0

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三極管是流控型器件,MOS管是壓控型器件,兩者存在相似之處。三極管機(jī)可能經(jīng)常用,但MOS管你用的可能較少。對于MOS管先拋出幾個問題:

2018-07-17 標(biāo)簽:三極管二極管MOS 10.3萬 0

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2018-07-14 標(biāo)簽:二極管MOS管MOS 8.9萬 0

LV HV P-Well BCD技術(shù)的芯片與制程剖面結(jié)構(gòu)的資料概述

LV/HV P-Well BCD技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)低壓 5 V 與高壓 100~700 V(或更高)兼容的 BCD 工藝。為了便于高低壓 MOS 器件兼容集成...

2018-07-09 標(biāo)簽:MOSBCDLV 1.5萬 0

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)...

2018-06-28 標(biāo)簽:IGBTMOS 15.8萬 0

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對于速度飽和所引起的電流飽和情況,一般說來,當(dāng)電場很強(qiáng)、載流子速度飽和之后,再進(jìn)一步增大源-漏電壓,也不會使電流增大。因此,這時的飽和電流原則上是與源-...

2018-06-13 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體IGBT 1.3萬 0

電路邏輯問題的探討

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就是邏輯為高的時候,MOS管是關(guān)的,低的時候它為開,這個很容易出問題。假設(shè)我這個板子給軟件工程師來調(diào)試,一上電會嚇?biāo)廊说摹?/p>

2018-04-28 標(biāo)簽:邏輯電路MOS 3774 0

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2018-01-07 標(biāo)簽:開關(guān)電源pwmmos 2.2萬 0

關(guān)于MOS應(yīng)用設(shè)計(jì),這些要點(diǎn)不可忽視

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這是網(wǎng)上評價(jià)非常高的一篇關(guān)于MOS管電路工作原理的講解,從管腳的識別,到極性的分辨,再到常用

2017-12-15 標(biāo)簽:mos高功率因數(shù) 1.2萬 0

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2017-12-03 標(biāo)簽:開關(guān)電源layoutmos 2.5萬 0

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在當(dāng)今的開關(guān)電源設(shè)備中,MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會對MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對電源設(shè)計(jì)工...

2016-11-24 標(biāo)簽:電源MOS 2466 0

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2016-11-10 標(biāo)簽:mos 5368 0

怎樣用最小的代價(jià)降低MOS的失效率?

在高端MOS的柵極驅(qū)動電路中,自舉電路因技術(shù)簡單、成本低廉得到了廣泛的應(yīng)用。然而在實(shí)際應(yīng)用中,MOS常莫名其妙的失效,有時還伴隨著驅(qū)動IC的損壞。如何破...

2015-04-28 標(biāo)簽:MOS光伏電源 1496 0

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