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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于絕緣柵型,本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個方面用工程師的話簡單描述。
如何區(qū)分P-MOS和N-MOS?如何區(qū)分MOS的G、D、S管腳?MOS管如何導(dǎo)通?
三極管是流控型器件,MOS管是壓控型器件,兩者存在相似之處。三極管機(jī)可能經(jīng)常用,但MOS管你用的可能較少。對于MOS管先拋出幾個問題:
以上MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)的是信號切換(高低電平切換)。再來看個MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)電壓通斷的例子吧,MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)電壓通斷的例子:由+1.5V_SUS產(chǎn)生+1.5V電路
LV HV P-Well BCD技術(shù)的芯片與制程剖面結(jié)構(gòu)的資料概述
LV/HV P-Well BCD技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)低壓 5 V 與高壓 100~700 V(或更高)兼容的 BCD 工藝。為了便于高低壓 MOS 器件兼容集成...
萬事開頭難,開關(guān)電源設(shè)計(jì)就應(yīng)該這樣一步一步來
針對開關(guān)電源很多人覺得很難,其實(shí)不然。設(shè)計(jì)一款開關(guān)電源并不難,難就難在做精,等你真正入門了,積累一定的經(jīng)驗(yàn),再采用分立的結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)就簡單多了。萬事開頭...
2018-01-07 標(biāo)簽:開關(guān)電源pwmmos 2.2萬 0
關(guān)于MOS應(yīng)用設(shè)計(jì),這些要點(diǎn)不可忽視
這是網(wǎng)上評價(jià)非常高的一篇關(guān)于MOS管電路工作原理的講解,從管腳的識別,到極性的分辨,再到常用
2017-12-15 標(biāo)簽:mos高功率因數(shù) 1.2萬 0
做一個合格的Layout工程師,這些設(shè)計(jì)要點(diǎn)你都要知道
如今的電源市場,拼體積、拼價(jià)格、拼性能,如何做到這3點(diǎn)就需要一個經(jīng)驗(yàn)豐富的Layout工程師。
2017-12-03 標(biāo)簽:開關(guān)電源layoutmos 2.5萬 0
在當(dāng)今的開關(guān)電源設(shè)備中,MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會對MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對電源設(shè)計(jì)工...
利用MOS管的開關(guān)特性,控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路,由于功率MOS管的內(nèi)阻很小,解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
2016-11-10 標(biāo)簽:mos 5368 0
在高端MOS的柵極驅(qū)動電路中,自舉電路因技術(shù)簡單、成本低廉得到了廣泛的應(yīng)用。然而在實(shí)際應(yīng)用中,MOS常莫名其妙的失效,有時還伴隨著驅(qū)動IC的損壞。如何破...
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