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      標簽　>　NAND

      NAND

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      NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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      NAND簡介

      　　NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

      　　與NOR閃存比較

      　　NAND閃存的優(yōu)點在于寫（編程）和擦除操作的速率快，而NOR的優(yōu)點是具有隨機存取和對字節(jié)執(zhí)行寫（編程）操作的能力（見下圖圖2）。NOR的隨機存取能力支持直接代碼執(zhí)行（XiP），而這是嵌入式應用經(jīng)常需要的一個功能。NAND的缺點是隨機存取的速率慢，NOR的缺點是受到讀和擦除速度慢的性能制約。NAND較適合于存儲文件。如今，越來越多的處理器具備直接NAND接口，并能直接從NAND（沒有NOR）導入數(shù)據(jù)。

      NAND百科

      　　NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

      　　與NOR閃存比較

      　　NAND閃存的優(yōu)點在于寫（編程）和擦除操作的速率快，而NOR的優(yōu)點是具有隨機存取和對字節(jié)執(zhí)行寫（編程）操作的能力（見下圖圖2）。NOR的隨機存取能力支持直接代碼執(zhí)行（XiP），而這是嵌入式應用經(jīng)常需要的一個功能。NAND的缺點是隨機存取的速率慢，NOR的缺點是受到讀和擦除速度慢的性能制約。NAND較適合于存儲文件。如今，越來越多的處理器具備直接NAND接口，并能直接從NAND（沒有NOR）導入數(shù)據(jù)。

      　　編程速度快、擦除時間短

      　　NAND的真正好處是編程速度快、擦除時間短。NAND支持速率超過5Mbps的持續(xù)寫操作，其區(qū)塊擦除時間短至2ms，而NOR是750ms。顯然，NAND在某些方面具有絕對優(yōu)勢。然而，它不太適合于直接隨機存取。

      　　對于16位的器件，NOR閃存大約需要41個I/O引腳；相對而言，NAND器件僅需24個引腳。NAND器件能夠復用指令、地址和數(shù)據(jù)總線，從而節(jié)省了引腳數(shù)量。復用接口的一項好處，就在于能夠利用同樣的硬件設(shè)計和電路板，支持較大的NAND器件。由于普通的TSOP-1封裝已經(jīng)沿用多年，該功能讓客戶能夠把較高密度的NAND器件移植到相同的電路板上。NAND器件的另外一個好處顯然是其封裝選項：NAND提供一種厚膜的2Gb裸片或能夠支持最多四顆堆疊裸片，容許在相同的TSOP-1封裝中堆疊一個8Gb的器件。這就使得一種封裝和接口能夠在將來支持較高的密度。

      　　NOR閃存的隨機存取時間為0.12ms，而NAND閃存的第一字節(jié)隨機存取速度要慢得多

      　　以2Gb NAND器件為例，它由2048個區(qū)塊組成，每個區(qū)塊有64個頁

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      nand知識

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