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標(biāo)簽 > p溝道

p溝道

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p溝道技術(shù)

MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當(dāng)壓控電流源,并主要用作開關(guān)或用于放大電信號(hào)。MOSF...

2023-04-06 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶體管 1760 0

深度剖析H橋應(yīng)用中的P溝道MOSFET

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在H橋電路中實(shí)現(xiàn)P溝道MOSFET可能看起來(lái)既簡(jiǎn)單又誘人,但可能需要一些嚴(yán)格的計(jì)算和參數(shù)才能實(shí)現(xiàn)最佳響應(yīng)。

2023-06-29 標(biāo)簽:MOSFETP溝道H橋電路 1719 0

N/P結(jié)構(gòu)的MOS管選型有何不同?——從開關(guān)性能、封裝形式兩方面考慮

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選型之前我們要清楚MOS管的原理:MOS管有兩種結(jié)構(gòu)形式,即N溝道型和P溝道型,結(jié)構(gòu)不一樣,使用的電壓極性也會(huì)不一樣,因此,在確定選擇哪種產(chǎn)品前,首先需...

2022-11-16 標(biāo)簽:MOS管N溝道p溝道 1351 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)MOSFET

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MOSFET,全稱為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,...

2024-02-21 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶體管 1155 0

3種防反接常用單元電路的優(yōu)缺點(diǎn)

但是,對(duì)于產(chǎn)品處于工廠生產(chǎn)階段,可能不便采用防差錯(cuò)接頭,這可能就會(huì)造成由于生產(chǎn)人員的疏忽造成反接,帶來(lái)?yè)p失。 所以給電路增加防接反電路有時(shí)還是有必要的,...

2023-02-12 標(biāo)簽:二極管場(chǎng)效應(yīng)管單元電路 973 0

MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)(一)

MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)(一)

MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方

2023-03-31 標(biāo)簽:MOS管p溝道高電平 968 0

場(chǎng)效應(yīng)管N溝道和P溝道怎樣判斷

場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor, FET)的N溝道和P溝道是其兩種主要類型,它們?cè)趯?dǎo)電機(jī)制、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、工作原理及應(yīng)用場(chǎng)景上存在...

2024-08-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管p溝道 955 0

N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管有什么區(qū)別

N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET)和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(P-Channel ...

2024-09-23 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管N溝道p溝道 767 0

MOS管的基本認(rèn)識(shí)

不論N溝道還是P溝道MOS管,中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的: 要么都由S指向D,要么都有D指向S。

2023-03-24 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管NMOS 716 0

功率MOSFET選型指南

功率MOSFET選型指南

俗話說(shuō)“人無(wú)遠(yuǎn)慮必有近憂”,對(duì)于電子設(shè)計(jì)工程師,在項(xiàng)目開始之前,器件選型之初,就要做好充分考慮,選擇最適合自己需要的器件,才能保證項(xiàng)目的成功。

2023-08-25 標(biāo)簽:MOSFET封裝MOS 706 0

P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通條件

P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(P-channel Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱P-FET)的導(dǎo)通條件是其能夠正常工作的關(guān)鍵要素。以下是關(guān)于P溝...

2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管p溝道 670 0

MOSFET開關(guān):電源變換器基礎(chǔ)知識(shí)及應(yīng)用

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金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當(dāng)壓控電流源,并主要用作開關(guān)或用于放大電信號(hào)。MOSF...

2023-08-02 標(biāo)簽:MOSFET晶體管電源變換器 558 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管

P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱P-MOSFET(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor F...

2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管p溝道 433 0

什么是N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種通過(guò)改變電場(chǎng)來(lái)控制半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的電子器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道中載流子的類型,...

2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管p溝道 394 0

通過(guò)PCB設(shè)計(jì)實(shí)踐減輕噪聲

通過(guò)PCB設(shè)計(jì)實(shí)踐減輕噪聲

這兩種 MOSFET 類型對(duì) MOSFET 柵極電壓具有相反的響應(yīng)。MOSFET 柵極處的輸入邏輯低信號(hào)將導(dǎo)致 p 溝道 MOSFET 將 Vss 連接...

2023-11-15 標(biāo)簽:MOSFETp溝道PCB 374 0

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