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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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氮化鎵技術(shù)壁壘是什么,氮化鎵優(yōu)異特性介紹
達(dá)摩院指出,近年來(lái)第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn),正在打開應(yīng)用市場(chǎng):SiC元件已用作汽車逆變器,GaN快速充電器也大量上市。
碳化硅電力電子支持可再生能源等新興產(chǎn)業(yè)(包括太陽(yáng)的,燙的和風(fēng)力)、EV/HEV動(dòng)力系統(tǒng),以及電動(dòng)火車、公共汽車和其他類型的公共交通工具。
詳細(xì)的MOSFET制造工藝流程及版圖設(shè)計(jì)
帶保護(hù)環(huán)的SiC屏蔽DMOSFET的模擬 A.Kanale和B.J.Baliga,“加強(qiáng)短路電流抑制方法的比較”1.2kV SiC功率MOSF...
剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 1
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體有如下優(yōu)勢(shì),如低損耗、高速開關(guān)、高溫...
特別是對(duì)于SiC MOSFET,柵極驅(qū)動(dòng)器IC必須將開關(guān)和傳導(dǎo)損耗(包括導(dǎo)通和關(guān)斷能量)降至最低。
碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...
碳化硅的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,而現(xiàn)在科技市場(chǎng)的大力發(fā)展,碳化硅的功勞也是不容小覷,碳化硅在工業(yè)方面的應(yīng)用可以說(shuō)是比較廣泛、經(jīng)濟(jì)的一種,那么碳化硅用途主要有哪些...
以碳化硅(silicon carbide,SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件,受到了廣泛的關(guān)注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系),它們的物性值也各不相...
2023-02-04 標(biāo)簽:SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 1388 0
汽車碳化硅技術(shù)成熟嗎 汽車碳化硅的優(yōu)缺點(diǎn)
SiC是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一,技術(shù)也已經(jīng)趨于成熟,令其成為實(shí)現(xiàn)新能源汽車最佳性能的理想選擇。SiC對(duì)電動(dòng)汽車的作用非常大,簡(jiǎn)而...
2023-02-03 標(biāo)簽:新能源汽車SiC碳化硅技術(shù) 2429 0
碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝
碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...
碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些
碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...
SiC(碳化硅)是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比,SiC具有許多優(yōu)勢(shì),包括10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度,3倍的帶隙,以及實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...
高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀
高壓 SiC MOSFET 由于其單極工作模式,高擊穿電壓將嚴(yán)重限制器件的導(dǎo)通電流能力。例如對(duì)于10 kV 等級(jí)器件來(lái)說(shuō),室溫下其電流等級(jí)約為 20~4...
2023-02-03 標(biāo)簽:SiCSiC MOSFET 3176 0
綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國(guó)防應(yīng)用,尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅(SiC)是引領(lǐng)這一趨勢(shì)的核心技術(shù),可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車...
碳化硅二極管的優(yōu)勢(shì) 1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性 寬禁帶材料可提高器件的工作溫度,6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...
什么是碳化硅?SiC在電力電子領(lǐng)域的一些非凡特性有哪些
碳化硅因其獨(dú)特的性能而被譽(yù)為硅的潛在替代品。以下是使這種材料如此非凡的特性,以及它在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用。
碳化硅二極管在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用
碳化硅(SiC)是一種高性能的半導(dǎo)體材料,基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能...
2023-02-03 標(biāo)簽:肖特基二極管半導(dǎo)體材料SiC 403 0
硅早已是大多數(shù)電子應(yīng)用中的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料,但與SiC相比,則顯得效率低下。SiC現(xiàn)在已開始被多種應(yīng)用采納,特別是電動(dòng)汽車,以應(yīng)對(duì)開發(fā)高效率和高功率器件所...
中科院物理研究所實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅生長(zhǎng)的突破
從6寸把它發(fā)展到8寸,這樣在襯底上做出來(lái)的器件,就可以降低單個(gè)器件的襯底所占的成本,這是一個(gè)國(guó)際上發(fā)展的趨勢(shì)。
電機(jī)碳化硅技術(shù)指標(biāo)是什么 碳化硅國(guó)家技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)介紹
以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開始受到重視,并在多個(gè)領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用,并且展現(xiàn)出了良好的發(fā)展前景。
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