完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > sic
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
文章:2343個(gè) 瀏覽:62286次 帖子:123個(gè)
眾所周知單晶材料是SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),依據(jù)器件的使用,還會(huì)要求SiC單晶片要有高的表面質(zhì)量
隨著電動(dòng)汽車(EV)制造商之間在開發(fā)成本更低、行駛里程更長的車型方面的競爭日益激烈,電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力,這可...
SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作環(huán)境
GaN 、SiC很有可能在高壓高頻方面完全取代硅基,SiC MOSFET 主打高壓領(lǐng)域;GaN MOSFET 主打高頻領(lǐng)域。
在功率器件半導(dǎo)體領(lǐng)域,越來越需要高頻高功率耐高溫的功率器件,隨著時(shí)間發(fā)展,硅材料在功率器件領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了材料性能的極限,碳化硅憑借其材料的優(yōu)越特性開始大放異彩
隔離比較器在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的應(yīng)用
功率半導(dǎo)體供應(yīng)商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)速度上實(shí)現(xiàn)突破,推出更高的電流等級(jí)、更小的封裝尺寸以及更短的短路耐受時(shí)間的半導(dǎo)體器件。并且隨著寬禁帶半導(dǎo)體器件成本降...
2022-10-14 標(biāo)簽:比較器電機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2409 0
UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓功率設(shè)計(jì)選擇FET和SiC變得輕而易舉
該工具可以立即計(jì)算出整體效率、動(dòng)態(tài)和導(dǎo)通導(dǎo)致的組件功耗以及電流應(yīng)力水平;甚至可以指定并聯(lián)器件、多個(gè)轉(zhuǎn)換器“支路”和外部散熱片性能,以便預(yù)測結(jié)溫。
新能源車的功率控制單元(PCU)是汽車電驅(qū)系統(tǒng)的中樞神經(jīng),管理電池中的電能與電機(jī)之間的流向、傳遞速度。傳統(tǒng) PCU 使用硅基材料半導(dǎo)體制成,強(qiáng)電流與高壓...
使采用SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)更容易
BM2SC12xFP2-LBZ是業(yè)內(nèi)先進(jìn)*的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,采用一體化封裝,已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對(duì)其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)...
2022-09-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1038 0
VE-Trac SiC如何讓主驅(qū)逆變器變得更強(qiáng)
雙碳目標(biāo)正加速推進(jìn)汽車向電動(dòng)化發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動(dòng)車,新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨(dú)特優(yōu)勢將改變電動(dòng)車的未來,如在關(guān)鍵...
VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長電動(dòng)車?yán)m(xù)航能力
因續(xù)航能力有限而導(dǎo)致的“里程焦慮”是許多消費(fèi)者采用電動(dòng)車的一個(gè)障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過程的效率是延長車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效至關(guān)...
2022-08-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 3150 0
隨著 SiC MOSFET 等新型功率晶體管越來越多地用于電力電子系統(tǒng),使用特殊的驅(qū)動(dòng)器已成為必要。通過提供對(duì) IGBT 和 MOSFET 的可靠控制,...
評(píng)估1200V SiC MOSFET在短路條件下的穩(wěn)健性
由于其極低的開關(guān)損耗,碳化硅 (SiC) MOSFET 為最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換器的效率提供了廣闊的前景。然而,在確定這些設(shè)備是否是實(shí)際電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的實(shí)...
碳化硅MOSFET的經(jīng)濟(jì)高效且可靠的大功率解決方案
碳化硅已被證明是高功率和高電壓設(shè)備的理想材料。但是,設(shè)備的可靠性極其重要,我們不僅指短期可靠性,還指長期可靠性。性能、成本和可制造性也是其他重要因素,但...
對(duì)基于碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)的需求持續(xù)快速增長,以最大限度地提高效率并減小尺寸和重量,從而使工程師能夠創(chuàng)建創(chuàng)新的電源解決方案。利用 SiC 技術(shù)的應(yīng)...
隨著寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)變得越來越流行,正在執(zhí)行不同的耐久性測試來評(píng)估二極管在高溫和嚴(yán)酷電流循環(huán)條件下的運(yùn)行情況。毫無疑問,電力電子在未來幾年內(nèi)將繼續(xù)在基礎(chǔ)...
動(dòng)態(tài)測試確認(rèn)SiC開關(guān)頻率的準(zhǔn)確性
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)等寬帶隙材料由于其電氣特性已被證明優(yōu)于硅,因此在電力電子應(yīng)用中占據(jù)領(lǐng)先地位。盡管被廣泛接受,專家們?nèi)圆粩鄼z查其真實(shí)性。
2022-08-08 標(biāo)簽:MOSFETSiC動(dòng)態(tài)測試 1715 0
選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器來解決碳化硅(SiC)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
Balogh還指出了其他需要考慮的問題,例如保護(hù)功能、欠壓鎖定、更高頻率的工作、更快的開關(guān)速度和裸片上的熱點(diǎn),這些都會(huì)對(duì)功耗、EMI和尺寸產(chǎn)生影響。
2022-08-07 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 3331 0
我們都知道,IGBT發(fā)生短路時(shí),需要在10us或者更短的時(shí)間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
使用LTspice估算SiC MOSFET的開關(guān)損耗
為了正確利用這種能源,必須采用并大量使用轉(zhuǎn)換器,其目的是將一種能源轉(zhuǎn)換成另一種更適合最終使用的能源。今天,這些公司專注于減少轉(zhuǎn)換器的重量和體積,以及提高...
2022-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 9348 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |