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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

認(rèn)識(shí)碳化硅晶錠切割

眾所周知單晶材料是SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),依據(jù)器件的使用,還會(huì)要求SiC單晶片要有高的表面質(zhì)量

2022-10-25 標(biāo)簽:SiC碳化硅 6647 0

降低SiC牽引逆變器的功率損耗和熱耗散

降低SiC牽引逆變器的功率損耗和熱耗散

隨著電動(dòng)汽車(EV)制造商之間在開發(fā)成本更低、行駛里程更長的車型方面的競爭日益激烈,電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力,這可...

2022-10-25 標(biāo)簽:逆變器SiC 1705 0

SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作環(huán)境

GaN 、SiC很有可能在高壓高頻方面完全取代硅基,SiC MOSFET 主打高壓領(lǐng)域;GaN MOSFET 主打高頻領(lǐng)域。

2022-10-19 標(biāo)簽:SiCGaN 394 0

SiC MOSFET必不可少的可靠性測試

在功率器件半導(dǎo)體領(lǐng)域,越來越需要高頻高功率耐高溫的功率器件,隨著時(shí)間發(fā)展,硅材料在功率器件領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了材料性能的極限,碳化硅憑借其材料的優(yōu)越特性開始大放異彩

2022-10-18 標(biāo)簽:MOSFETSiC 4128 0

隔離比較器在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的應(yīng)用

隔離比較器在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的應(yīng)用

功率半導(dǎo)體供應(yīng)商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)速度上實(shí)現(xiàn)突破,推出更高的電流等級(jí)、更小的封裝尺寸以及更短的短路耐受時(shí)間的半導(dǎo)體器件。并且隨著寬禁帶半導(dǎo)體器件成本降...

2022-10-14 標(biāo)簽:比較器電機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2409 0

UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓功率設(shè)計(jì)選擇FET和SiC變得輕而易舉

該工具可以立即計(jì)算出整體效率、動(dòng)態(tài)和導(dǎo)通導(dǎo)致的組件功耗以及電流應(yīng)力水平;甚至可以指定并聯(lián)器件、多個(gè)轉(zhuǎn)換器“支路”和外部散熱片性能,以便預(yù)測結(jié)溫。

2022-10-11 標(biāo)簽:FET肖特基二極管SiC 638 0

什么是GaN氮化鎵?為什么充電器用GaN而不是SiC?

新能源車的功率控制單元(PCU)是汽車電驅(qū)系統(tǒng)的中樞神經(jīng),管理電池中的電能與電機(jī)之間的流向、傳遞速度。傳統(tǒng) PCU 使用硅基材料半導(dǎo)體制成,強(qiáng)電流與高壓...

2022-10-08 標(biāo)簽:充電器SiC氮化鎵 4251 0

碳化硅功率器件解讀 碳化硅與車載充電器(OBC)

碳化硅功率器件解讀 碳化硅與車載充電器(OBC)

碳化硅功率器件,助力OBC提升功率密度降低重量,讓新能源汽車充電更快,續(xù)航更長

2022-09-23 標(biāo)簽:新能源汽車充電器SiC 7721 0

使采用SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)更容易

使采用SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)更容易

BM2SC12xFP2-LBZ是業(yè)內(nèi)先進(jìn)*的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,采用一體化封裝,已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對(duì)其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)...

2022-09-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1038 0

VE-Trac SiC如何讓主驅(qū)逆變器變得更強(qiáng)

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雙碳目標(biāo)正加速推進(jìn)汽車向電動(dòng)化發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動(dòng)車,新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨(dú)特優(yōu)勢將改變電動(dòng)車的未來,如在關(guān)鍵...

2022-09-20 標(biāo)簽:安森美逆變器SiC 1282 0

VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長電動(dòng)車?yán)m(xù)航能力

VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長電動(dòng)車?yán)m(xù)航能力

因續(xù)航能力有限而導(dǎo)致的“里程焦慮”是許多消費(fèi)者采用電動(dòng)車的一個(gè)障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過程的效率是延長車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效至關(guān)...

2022-08-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 3150 0

優(yōu)化SiC功率器件的三個(gè)步驟

優(yōu)化SiC功率器件的三個(gè)步驟

隨著 SiC MOSFET 等新型功率晶體管越來越多地用于電力電子系統(tǒng),使用特殊的驅(qū)動(dòng)器已成為必要。通過提供對(duì) IGBT 和 MOSFET 的可靠控制,...

2022-08-10 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 1176 0

評(píng)估1200V SiC MOSFET在短路條件下的穩(wěn)健性

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由于其極低的開關(guān)損耗,碳化硅 (SiC) MOSFET 為最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換器的效率提供了廣闊的前景。然而,在確定這些設(shè)備是否是實(shí)際電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的實(shí)...

2022-08-09 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 1238 0

碳化硅MOSFET的經(jīng)濟(jì)高效且可靠的大功率解決方案

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碳化硅已被證明是高功率和高電壓設(shè)備的理想材料。但是,設(shè)備的可靠性極其重要,我們不僅指短期可靠性,還指長期可靠性。性能、成本和可制造性也是其他重要因素,但...

2022-08-09 標(biāo)簽:MOSFET逆變器SiC 1946 0

碳化硅MOSFET的可靠有效控制

碳化硅MOSFET的可靠有效控制

對(duì)基于碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)的需求持續(xù)快速增長,以最大限度地提高效率并減小尺寸和重量,從而使工程師能夠創(chuàng)建創(chuàng)新的電源解決方案。利用 SiC 技術(shù)的應(yīng)...

2022-08-08 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 1146 0

如何有效地測量Sic MOSFET

如何有效地測量Sic MOSFET

隨著寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)變得越來越流行,正在執(zhí)行不同的耐久性測試來評(píng)估二極管在高溫和嚴(yán)酷電流循環(huán)條件下的運(yùn)行情況。毫無疑問,電力電子在未來幾年內(nèi)將繼續(xù)在基礎(chǔ)...

2022-08-08 標(biāo)簽:二極管MOSFETSiC 1003 0

動(dòng)態(tài)測試確認(rèn)SiC開關(guān)頻率的準(zhǔn)確性

動(dòng)態(tài)測試確認(rèn)SiC開關(guān)頻率的準(zhǔn)確性

碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)等寬帶隙材料由于其電氣特性已被證明優(yōu)于硅,因此在電力電子應(yīng)用中占據(jù)領(lǐng)先地位。盡管被廣泛接受,專家們?nèi)圆粩鄼z查其真實(shí)性。

2022-08-08 標(biāo)簽:MOSFETSiC動(dòng)態(tài)測試 1715 0

選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器來解決碳化硅(SiC)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器來解決碳化硅(SiC)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

Balogh還指出了其他需要考慮的問題,例如保護(hù)功能、欠壓鎖定、更高頻率的工作、更快的開關(guān)速度和裸片上的熱點(diǎn),這些都會(huì)對(duì)功耗、EMI和尺寸產(chǎn)生影響。

2022-08-07 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 3331 0

為什么SiC MOSFET的短路耐受時(shí)間比較小

我們都知道,IGBT發(fā)生短路時(shí),需要在10us或者更短的時(shí)間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...

2022-08-07 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 3284 0

使用LTspice估算SiC MOSFET的開關(guān)損耗

使用LTspice估算SiC MOSFET的開關(guān)損耗

為了正確利用這種能源,必須采用并大量使用轉(zhuǎn)換器,其目的是將一種能源轉(zhuǎn)換成另一種更適合最終使用的能源。今天,這些公司專注于減少轉(zhuǎn)換器的重量和體積,以及提高...

2022-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 9348 0

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    共享充電寶
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    共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備,用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金,即可租借一個(gè)充電寶,充電寶成功歸還后,押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月,研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬,用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增,消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
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電機(jī)控制 DSP 氮化鎵 功率放大器 ChatGPT 自動(dòng)駕駛 TI 瑞薩電子
BLDC PLC 碳化硅 二極管 OpenAI 元宇宙 安森美 ADI
無刷電機(jī) FOC IGBT 逆變器 文心一言 5G 英飛凌 羅姆
直流電機(jī) PID MOSFET 傳感器 人工智能 物聯(lián)網(wǎng) NXP 賽靈思
步進(jìn)電機(jī) SPWM 充電樁 IPM 機(jī)器視覺 無人機(jī) 三菱電機(jī) ST
伺服電機(jī) SVPWM 光伏發(fā)電 UPS AR 智能電網(wǎng) 國民技術(shù) Microchip
瑞薩 沁恒股份 全志 國民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯海科技 Altium
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st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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