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第4代SiC FET的突破性性能

幾十年來，基于硅的半導(dǎo)體開關(guān)一直主導(dǎo)著功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，IGBT 和 Si MOSFET 提供了成熟、穩(wěn)健的解決方案。然而，當(dāng)寬帶隙 (WBG) 器件于 2...

2022-08-05 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體SiC 1195 0

如何將SiC庫導(dǎo)入LTspice并對(duì)其進(jìn)行仿真

碳化硅 （SiC）是一種越來越重要的半導(dǎo)體材料：用這種材料制造的電子元件越來越普遍和高效。最好的電子仿真程序已經(jīng)用這些組件豐富了他們的庫，這些組件現(xiàn)在在...

2022-08-05 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體SiC 2879 0

工業(yè)驅(qū)動(dòng)使用SiC MOSFET提高能效

工業(yè)電源應(yīng)用基于強(qiáng)大的電動(dòng)機(jī)，可以在風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱中找到。三相電動(dòng)機(jī)是最常見的電動(dòng)機(jī)類型，它由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯尿?qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。...

2022-08-04 標(biāo)簽：MOSFET逆變器SiC 400 0

電源設(shè)計(jì)說明：如何優(yōu)化您的SiC器件

采用 SiC 電子元件的 電力電子 設(shè)備越來越多地用于工業(yè)、家用和汽車電源中最苛刻的開關(guān)操作。 電路的實(shí)現(xiàn)顯然不是隨機(jī)執(zhí)行的，而是遵循精確的計(jì)算路線和數(shù)...

2022-08-04 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)SiC計(jì)算器 555 0

車庫高效直流充電站詳解

直流 (DC) 快速充電站主要用于公共場(chǎng)所，而交流 (AC) 充電概念主要用于私人家庭。然而，現(xiàn)在有了 DC Wallbox，有了強(qiáng)大的家用充電選項(xiàng)，其...

2022-08-04 標(biāo)簽：DCSiC充電站 913 0

SiC基DNPC轉(zhuǎn)換器器件電壓不平衡問題分析與解決

SiC、GaN MOSFET等寬帶隙器件的進(jìn)步，給電力電子領(lǐng)域帶來了一場(chǎng)革命。這些器件具有快速開關(guān)、高電荷密度和高效設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。它們?cè)诟吖β蕬?yīng)用中非常有...

2022-08-04 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 2163 0

IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價(jià)格-性能分析

在設(shè)計(jì)電力電子設(shè)備時(shí)，我們需要評(píng)估所有業(yè)務(wù)需求和技術(shù)要求，以優(yōu)化設(shè)計(jì)周期時(shí)間，從而以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高性能的系統(tǒng)。這是DiscoverEE及其創(chuàng)始人 S...

2022-08-04 標(biāo)簽：IGBT功率SiC 4084 0

正確使用SiC MOSFET的出色驅(qū)動(dòng)器

本文描述了使用 SiC MOSFET 的一般接線圖，并解釋了如何將其整合到仿真中。

2022-08-04 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器SiC 1424 0

SiC FET的起源及其向完美開關(guān)的演變

當(dāng)然，（近乎）完美的電氣開關(guān)已經(jīng)存在很長(zhǎng)時(shí)間了，但我們?cè)谶@里不是在談?wù)摍C(jī)械。 現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換依賴于理想情況下沒有電阻的半導(dǎo)體開關(guān)，當(dāng)打開時(shí)沒有電阻，關(guān)閉時(shí)...

2022-08-03 標(biāo)簽：電源FETSiC 938 0

用于改善SiC MOSFET導(dǎo)通瞬態(tài)的電荷泵柵極驅(qū)動(dòng)

用于高功率和高頻應(yīng)用的最有前途的器件之一是 SiC MOSFET。2,3 它支持更高的結(jié)溫，其特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻和更高的開關(guān)。SiC MOSFET 允許...

2022-08-03 標(biāo)簽：MOSFETSiC電荷泵 1085 0

混合七電平T2C-HB 轉(zhuǎn)換器的新空間矢量調(diào)制方案

基于碳化硅 (SiC) 的多電平轉(zhuǎn)換器受到了很多關(guān)注，2-5 由于新興的 SiC 功率模塊，它們顯示出較小的功率損耗和高阻斷電壓。中性點(diǎn)鉗位 (NPC)...

2022-08-03 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器SiC 934 0

面向xEV和工業(yè)應(yīng)用的新一代SiC MOSFET

數(shù)據(jù)中心、光伏以及大量其他可再生能源和工業(yè)應(yīng)用也是如此。這些新的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)需要在固態(tài)電源開關(guān)器件方面取得突破，以高效可靠地處理高功率、快速開關(guān)速度和寬...

2022-08-03 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體SiC 632 0

一種新型3.6-kV/400-A SiC IPM可提升電源應(yīng)用的性能

高能效對(duì)于多種大電流電源應(yīng)用至關(guān)重要，包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、可再生能源系統(tǒng)和固態(tài)變壓器。盡管硅長(zhǎng)期以來一直是這些應(yīng)用中使用的主要半導(dǎo)體，但由于SiC提供的...

2022-08-03 標(biāo)簽：電源MOSFETSiC 866 0

GaN和SiC晶體管的區(qū)別

幾十年來，硅一直主導(dǎo)著晶體管世界，但這種情況正在逐漸發(fā)生變化。已經(jīng)開發(fā)出由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體，并具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和卓越的特性。例如，化合物半...

2022-08-03 標(biāo)簽：晶體管SiCGaN 1618 0

基于SiC的優(yōu)化2x250kW雙逆變器

電動(dòng)汽車隨著汽車行業(yè)技術(shù)的進(jìn)步 (HEV)，(EV) 和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車 (HEV) 越來越受歡迎。交通系統(tǒng)的電氣化過程需要大量電力。雙逆變器技術(shù)已被用...

2022-08-03 標(biāo)簽：MOSFETSiC雙逆變器 1360 0

60W輔助電源1700V SiC MOSFET

輔助電源是電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器和 UPS 系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用的重要組成部分。高壓直流總線轉(zhuǎn)換為 5 V 至 48 V 直流電源，為控制電路、傳感電路、冷卻風(fēng)...

2022-08-03 標(biāo)簽：MOSFETSiC輔助電源 1428 0

如何為您的SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器

雖然 SiC 提供了一系列優(yōu)勢(shì)，包括更快的開關(guān)和更高的效率，但它也帶來了一些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，可以通過選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)器來解決。

2022-08-03 標(biāo)簽：MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 1890 0

650V混合SiC單管的開關(guān)特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)...

2022-08-01 標(biāo)簽：英飛凌二極管SiC 703 0

650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比

650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場(chǎng)包括光伏和儲(chǔ)能、驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報(bào)告，電動(dòng)汽車充電市場(chǎng)的增長(zhǎng)將非常強(qiáng)...

2022-08-02 標(biāo)簽：MOSFETSiC羅姆 847 0