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標(biāo)簽 > sic
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態(tài)抑制二極管系列
數(shù)據(jù)中心、電動汽車基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)設(shè)備中高效電源解決方案的理想選擇 ? 芝加哥2024年10月22日訊 --?Littelfuse公司(NASDAQ:LF...
2024-10-22 標(biāo)簽:SiC 5 0
日本企業(yè)加速氮化鎵半導(dǎo)體生產(chǎn),力推電動汽車?yán)m(xù)航升級
日本公司正積極投入大規(guī)模生產(chǎn)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體器件,旨在提升電動汽車的行駛里程。盡管氮化鎵與碳化硅(SiC)在電動汽車功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用上競爭...
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈成本大幅下降,市場迎來新變革
近期市場消息指出,中國新能源汽車和光伏市場的快速發(fā)展,推動了碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)鏈在技術(shù)迭代和產(chǎn)能擴充上的加速。這一趨勢導(dǎo)致SiC產(chǎn)業(yè)鏈中的多個環(huán)節(jié)成本...
【RISC-V產(chǎn)業(yè)資訊】SiC、Chiplet、RISC-V,汽車半導(dǎo)體發(fā)展的三大動力
本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫(ID:ICVIEWS)綜合到2027年,汽車半導(dǎo)體整體規(guī)模將超過792億美金。應(yīng)對汽車電子系統(tǒng)日益復(fù)雜的需求,新的技術(shù)趨勢正在不斷...
2024-10-22 標(biāo)簽:SiCRISC-V汽車半導(dǎo)體 142 0
方正微電子:2025年將實現(xiàn)16.8萬片/年車規(guī)SiC MOS產(chǎn)能
近日,方正微電子發(fā)布了其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新進展。作為該領(lǐng)域的IDM(垂直整合制造)企業(yè),方正微電子目前擁有兩個fab(制造工廠)。
方正微電子:2025年車規(guī)SiC MOS年產(chǎn)能將達(dá)16.8萬片
10月16日,方正微電子宣布,作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的IDM(集成設(shè)備制造)企業(yè),公司現(xiàn)擁有兩個生產(chǎn)基地(fab)。其中,F(xiàn)ab1已實現(xiàn)每月9000片6英...
IGBT還是SiC?英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實現(xiàn)高性價比電驅(qū)
如何設(shè)計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術(shù)人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當(dāng)?shù)钠胶狻?/p>
NREL 將為美國戰(zhàn)車設(shè)計 SiC 逆變器
來源:半導(dǎo)體芯科技編譯 基于 SiC 的推進系統(tǒng)將提供四倍的功率,而尺寸僅為前代產(chǎn)品的四分之一 美國國家可再生能源實驗室(NREL)將重新設(shè)計美國地面戰(zhàn)...
芯動半導(dǎo)體與羅姆簽署SiC車載功率模塊合作協(xié)議
近日,長城汽車旗下的無錫芯動半導(dǎo)體科技有限公司(簡稱“芯動半導(dǎo)體”)與全球知名半導(dǎo)體廠商羅姆簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將以SiC為核心,共同開發(fā)車載功率模...
意法半導(dǎo)體發(fā)布第四代SiC MOSFET技術(shù)
意法半導(dǎo)體(簡稱ST)近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù),標(biāo)志著公司在高效能半導(dǎo)體領(lǐng)域又邁出了重要一步。此次推出的第四代...
2024-10-10 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體SiC碳化硅 426 0
泰國近日宣布將建立首家碳化硅(SiC)晶圓工廠,標(biāo)志著該國在半導(dǎo)體行業(yè)邁出了重要一步。據(jù)悉,該工廠預(yù)計將于2027年正式投入運營,有望為泰國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...
SiC和GaN:新一代半導(dǎo)體能否實現(xiàn)長期可靠性?
近年來,電力電子應(yīng)用中硅向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的轉(zhuǎn)變越來越明顯。在過去的十年中,SiC和GaN半導(dǎo)體成為了推動電氣化和強大未來的重要力量。...
Vishay微型降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器SiC461ED-T1-GE3
SiC461ED是一個寬輸入電壓、高效率DC/DC轉(zhuǎn)換器,集成高壓端和低壓端同步降壓調(diào)節(jié)功率MOSFET。其功率MOSFET能夠以高達(dá)2MHz的開關(guān)頻率...
2024-09-30 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器VishaySiC 152 0
基于Infineon XMC1400搭配CoolSiC? Mosfet 實現(xiàn)3.3KW高功率密度雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案
隨著社會經(jīng)濟發(fā)展、能源結(jié)構(gòu)變革,近幾年全球?qū)矣脙δ芟到y(tǒng)的需求量一直保持相當(dāng)程度的增長。2023年,全球家用儲能系統(tǒng)市場銷售額達(dá)到了87.4億美元,預(yù)計...
瞻芯電子交付碳化硅(SiC)MOSFET逾千萬顆 產(chǎn)品長期可靠性得到驗證
來源:瞻芯電子 近日,自2020年正式發(fā)布第一代碳化硅(SiC) MOSFET產(chǎn)品以來,瞻芯電子累計交付SiC MOSFET產(chǎn)品1000萬顆以上,其中包...
新品第2代CoolSiCMOSFET400VCoolSiCMOSFET400VG2將高堅固性與超低開關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻結(jié)合在一起,同時改善了系統(tǒng)成本。40...
功率半導(dǎo)體各品類及下游應(yīng)用市場空間分析
功率半導(dǎo)體發(fā)展過程中,20世紀(jì)50年代,功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀(jì)60-70年代,晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展。20世...
2024-09-27 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 306 0
【ISES China 2024精彩回顧】半導(dǎo)體精英齊聚,共促產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展
2024國際汽車半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展交流會(ISESChina2024)日前在無錫圓滿落幕。本次活動匯聚了全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)的頂尖企業(yè)與精英領(lǐng)袖,共同探索行業(yè)...
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