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東芝集團(tuán)理念體系是東芝集團(tuán)持續(xù)發(fā)展的根基,也是-切企業(yè)行為的基礎(chǔ)。東芝集團(tuán)理念體系由三個(gè)要素組成:東芝集團(tuán)經(jīng)營(yíng)理念、我們存 在的意義和我們的價(jià)值觀。
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型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
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TK100E10N1,S1X(S | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):100V;連續(xù)漏極電流(Id):100A;功率(Pd):255W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.4mΩ@10V,50A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@1mA; |
獲取價(jià)格
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TK11A65W,S5X(M | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):650V;連續(xù)漏極電流(Id):11.1A;功率(Pd):35W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):390mΩ@10V,5.5A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3.5V@450uA; |
獲取價(jià)格
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TK11A65D(STA4,X,M) | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):650V;連續(xù)漏極電流(Id):11A;功率(Pd):45W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):700mΩ@10V,5.5A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@1mA; |
獲取價(jià)格
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RN1106MFV,L3F | 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置) NPN - 預(yù)偏壓 50 V 100 mA 150 mW 表面貼裝型 VESM |
獲取價(jià)格
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RN1117MFV,L3F | 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置) NPN - 預(yù)偏壓 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面貼裝型 VESM |
獲取價(jià)格
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RN1116MFV,L3F | 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置) NPN - 預(yù)偏壓 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面貼裝型 VESM |
獲取價(jià)格
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RN1114MFV,L3F | 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置) NPN - 預(yù)偏壓 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面貼裝型 VESM |
獲取價(jià)格
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RN2110MFV,L3F | 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置) PNP - 預(yù)偏壓 50 V 100 mA 150 mW 表面貼裝型 VESM |
獲取價(jià)格
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RN2108MFV,L3F | 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置) PNP - 預(yù)偏壓 50 V 100 mA 150 mW 表面貼裝型 VESM |
獲取價(jià)格
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RN2130MFV,L3F | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM |
獲取價(jià)格
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2SC6026MFV-Y,L3F | NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.15A H |
獲取價(jià)格
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RN1108MFV,L3F | 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置) NPN - 預(yù)偏壓 50 V 100 mA 150 mW 表面貼裝型 VESM |
獲取價(jià)格
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RN1105MFV,L3F(CT | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
獲取價(jià)格
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RN2119MFV,L3F | 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置) PNP - 預(yù)偏壓 50 V 100 mA 150 mW 表面貼裝型 VESM |
獲取價(jià)格
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RN2112MFV,L3F | 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置) PNP - 預(yù)偏壓 50 V 100 mA 150 mW 表面貼裝型 VESM |
獲取價(jià)格
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RN2103MFV,L3F(CT | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM |
獲取價(jià)格
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RN1101MFV,L3F(CT | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
獲取價(jià)格
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RN2107MFV,L3F(CT | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM |
獲取價(jià)格
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RN1112MFV,L3F | 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置) NPN - 預(yù)偏壓 50 V 100 mA 150 mW 表面貼裝型 VESM |
獲取價(jià)格
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RN1103MFV,L3F(CT | 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置) NPN - 預(yù)偏壓 50 V 100 mA 150 mW 表面貼裝型 VESM |
獲取價(jià)格
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|
RN2101MFV,L3F(CT | 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置) PNP - 預(yù)偏壓 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面貼裝型 VESM |
獲取價(jià)格
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RN2106MFV,L3F(CT | 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置) PNP - 預(yù)偏壓 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面貼裝型 VESM |
獲取價(jià)格
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RN1107MFV,L3F(CT | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
獲取價(jià)格
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RN1106MFV,L3F(CT | 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置) NPN - 預(yù)偏壓 50 V 100 mA 150 mW 表面貼裝型 VESM |
獲取價(jià)格
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RN2131MFV,L3F | 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置) PNP - 預(yù)偏壓 50 V 100 mA 150 mW 表面貼裝型 VESM |
獲取價(jià)格
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RN2132MFV,L3F | 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置) PNP - 預(yù)偏壓 50 V 100 mA 150 mW 表面貼裝型 VESM |
獲取價(jià)格
|
|
RN1104MFV,L3F(CT | 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置) NPN - 預(yù)偏壓 50 V 100 mA 150 mW 表面貼裝型 VESM |
獲取價(jià)格
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RN1106MFV,L3XHF(CT | 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置) NPN - 預(yù)偏壓 50 V 100 mA 150 mW 表面貼裝型 VESM |
獲取價(jià)格
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RN2101MFV,L3XHF(CT | 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置) PNP - 預(yù)偏壓 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面貼裝型 VESM |
獲取價(jià)格
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RN1101MFV,L3XHF(CT | 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置) NPN - 預(yù)偏壓 50 V 100 mA 150 mW 表面貼裝型 VESM |
獲取價(jià)格
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