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vdd

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 Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正,Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C,和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss,含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)

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vdd技術(shù)

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電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)消耗了歐洲近50%的電力 ,因此政府制定了相關(guān)法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn),以確保盡可能高效地使用電力,同時(shí)盡量減少對(duì)電網(wǎng)的影響和擾亂。

2024-05-30 標(biāo)簽:逆變器電平轉(zhuǎn)換器寄生電感 444 0

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本篇將分兩部分為大家介紹RL78/G16 FPB觸摸樣例工程創(chuàng)建演示,首先是RL78/G16快速原型開發(fā)板(FPB),然后是如何在e2 studio開發(fā)...

2024-05-21 標(biāo)簽:USB接口仿真器LED閃爍 830 0

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2024-05-17 標(biāo)簽:MOSFET肖特基二極管陶瓷電容 336 0

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2024-05-13 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器充電器芯片偏置電壓 799 0

充電器ic U6203DC方案的特點(diǎn)及功能介紹

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2024-05-11 標(biāo)簽:智能家居電容充電VDD 986 0

LED驅(qū)動(dòng)電源ic U6113的特點(diǎn)和應(yīng)用有哪些

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氮化鎵快充電源ic U8722DE集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路

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VCLP(VC Low Power)是Synopsys提供的一款低功耗靜態(tài)規(guī)則檢查工具,它能夠幫助驗(yàn)證和清潔IEEE 1801 Unified Powe...

2024-04-15 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器電源開關(guān)Synopsys 1817 0

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AI的進(jìn)步和發(fā)展,以一種超過我們?cè)瓉眍A(yù)期的方式和意想不到的角度出現(xiàn)了。未來的AI手機(jī)應(yīng)該是擁有個(gè)人化的操作系統(tǒng),一個(gè)可以真正懂你的手機(jī)。

2024-04-12 標(biāo)簽:電池電壓充電器芯片VDD 409 0

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電源IC就像人類的心臟,充當(dāng)著管家的身份。跑步時(shí),心臟會(huì)向腿部肌肉輸送更多的血液。學(xué)習(xí)時(shí),心臟會(huì)向大腦輸送更多的血液。

2024-04-11 標(biāo)簽:手機(jī)充電器電源適配器電源IC 707 0

介紹一款高性能綠色PWM功率開關(guān)芯片—SF1538

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2024-04-10 標(biāo)簽:PWM適配器電源IC 1451 0

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2024-04-09 標(biāo)簽:充電器氮化鎵驅(qū)動(dòng)電流 575 0

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CMOS電路功耗主要由動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗組成,動(dòng)態(tài)功耗又分為開關(guān)功耗、短路功耗兩部分

2024-04-01 標(biāo)簽:NMOS靜態(tài)功耗CMOS電路 4976 0

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