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平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS的雪崩耐量有何差異以及如何選擇?
平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS的雪崩耐量有何差異以及如何選擇? 平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS是常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFETs)...
2023-11-24 標(biāo)簽:VDMOS場效應(yīng)管 1202 0
本文分別從管芯的靜態(tài)參數(shù)設(shè)計(jì)方面,介紹了VMDOS(200 V)設(shè)計(jì)的方法以及仿真的結(jié)果,并對流片結(jié)果進(jìn)行了比較。
2011-12-20 標(biāo)簽:VDMOS 4775 0
詳細(xì)論述了器件制造過程中的關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié),包括柵氧化、光刻套準(zhǔn)、多晶硅刻蝕、P 阱推進(jìn)等。流水所得VDMOS 實(shí)測結(jié)果表明,該器件反向擊穿特性良好
2011-12-02 標(biāo)簽:VDMOS 3195 0
優(yōu)化柵的VDMOS器件結(jié)構(gòu)及特性簡析
目前市場上使用較多的主要是N溝道增強(qiáng)型VDMOS產(chǎn)品,其也是目前各半導(dǎo)體公司開發(fā)生產(chǎn)的主流功率MOSFET產(chǎn)品。
2011-12-02 標(biāo)簽:VDMOS 4530 0
直流無刷電機(jī)的逆變器由六個(gè)功率VDMOS管和六個(gè)續(xù)流二極管組成,六個(gè)續(xù)流二極管分別寄生在這六個(gè)VDMOS管里,因而從控制器外面看只有六個(gè)VDMOS管。
2011-12-02 標(biāo)簽:VDMOS直流無刷電機(jī) 2483 0
一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu) 0 引 言 VDMOS與雙...
一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu) 0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比,它的開關(guān)速度快,開關(guān)損耗小,輸入電阻高...
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