LPDDR4X內(nèi)存表現(xiàn)亮眼 竟比LPDDR4節(jié)能多達(dá)40%

　　2017年新一代旗艦手機(jī)內(nèi)存容量越來越大，4GB只是起步，6GB才算是標(biāo)準(zhǔn)，而除了容量更大、頻率越高之外，手機(jī)內(nèi)存還有趨勢，那就是LPDDR4X類型的內(nèi)存越來越多，與標(biāo)準(zhǔn)的LPDDR4內(nèi)存相比它的多數(shù)指標(biāo)相同，但是電壓更低，有效降低了內(nèi)存能耗，降幅40%以上也不奇怪。

　　由于它的省電節(jié)能特性，LPDDR4X內(nèi)存的出貨量正在不斷增長，預(yù)計(jì)Q2季度將超過LPDDR4內(nèi)存，這兩者加起來的比重也將超越LPDDR3內(nèi)存，2017年內(nèi)成為市場上主流選擇。

　　LPDDR4X相比LPDDR4內(nèi)存更加節(jié)能

　　LPDDR4X與LPDDR4經(jīng)常同時(shí)出現(xiàn)，二者名字上的相似也容易讓人混淆，這里就簡單說下區(qū)別吧：

　　LPDDR4是LPDDR3內(nèi)存的繼任者，它是基于DDR4規(guī)范的，不過電壓從DDR4的1.2V降低到了1.1V，而LPDDR3工作電壓也是1.2V，從這點(diǎn)上來看LPDDR4相對前代節(jié)能效果并不明顯，所以三星等廠商又推出了LPDDR4X內(nèi)存，將LPDDR4內(nèi)存中的Vddq電壓從1.1V降至0.6V，Vdd2電壓保持1.1V不變，而在LPDDR4中Vdd2、Vddq電壓都是1.1V，所以電壓更低的LPDDR4X內(nèi)存更加節(jié)能。

　　具體能節(jié)能多少，不同廠商的參考對象可能不同，節(jié)能幅度并不一直，SK Hynix文檔中宣稱LPDDR4X比LPDDR4節(jié)能15%，而美光文檔中提到過節(jié)能多達(dá)45%。我們粗略來算的話，LPDDR4X內(nèi)存節(jié)能也在20-40%左右吧，這個(gè)還得看廠商的具體產(chǎn)品的頻率、工藝等等。

　　LPDDR4X內(nèi)存把Vddq電壓從1.1V降到了0.6V，降低了能耗

　　除了電壓更低導(dǎo)致能耗降低之外，LPDDR4X內(nèi)存在針腳、封裝等方面也跟LPDDR4有所不同，不過雙方在技術(shù)上的差異并不大，而能耗更低的LPPDR4X顯然更受廠商重視，三星、美光、SK Hynix三大內(nèi)存廠商都把重點(diǎn)轉(zhuǎn)向了LPDDR4X內(nèi)存，而高通的驍龍820/835、聯(lián)發(fā)科P20及X30還有今年的驍龍660等處理器都開始開始或者已經(jīng)支持LPDDR4X內(nèi)存了。

　　LPDD4X內(nèi)存日漸受寵，所以上游廠商的出貨量也偏向LPDDR4X了，集邦科技旗下的DRAMeXchange日前發(fā)表報(bào)告稱LPDDR4X產(chǎn)能持續(xù)增加，以及在Q2季度就會(huì)超越LPDDR4內(nèi)存，而且價(jià)格上二者逐漸趨同，與LPDDR3的價(jià)差也不到5%了，所以LPDDR4系列內(nèi)存更受廠商歡迎，普及速度將會(huì)加快，預(yù)計(jì)今年內(nèi)就占據(jù)一半以上的份額，取代LPDDR3成為今年內(nèi)的主流選擇。

　　對于手機(jī)內(nèi)存，今年發(fā)布的手機(jī)配備的容量最大還是6GB（華碩早前搶先推出過8GB內(nèi)存手機(jī)，但他們的占有率實(shí)在太低），8GB內(nèi)存手機(jī)說過很多次了，但主流廠商中還沒有大規(guī)模上8GB。今天一加官方證實(shí)夏天發(fā)布一加5，據(jù)說它是首個(gè)大規(guī)模應(yīng)用8GB內(nèi)存的手機(jī)。