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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>內(nèi)置功率MOSFET的通用半橋驅(qū)動器NJW4800

內(nèi)置功率MOSFET的通用半橋驅(qū)動器NJW4800

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2023-06-26 15:48:29

IGBT MOSFET驅(qū)動

   TF21844M是一種高壓、高速柵極驅(qū)動器,能夠在配置中驅(qū)動n通道MOSFET和IGBT。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF21844M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切換到600V
2023-06-26 15:00:48

IGBT MOSFET驅(qū)動

   TF2104M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動器,能夠在式配置中驅(qū)動n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2104M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-06-26 09:27:41

IGBT MOSFET驅(qū)動

   TF2103M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動器,能夠在式配置中驅(qū)動n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2103M高側(cè)切換到600V的引導(dǎo)操作
2023-06-25 16:39:30

IGBT MOSFET驅(qū)動

        TF2184是一種高壓、高速柵極驅(qū)動器,能夠在配置中驅(qū)動n通道MOSFET和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2184的高側(cè)能夠在引導(dǎo)
2023-06-25 16:25:20

用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器使用指南

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分,還將提供? NCP51705(用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器)的使用指南 。本文為
2023-06-25 14:35:02377

MOSFET柵極驅(qū)動電路應(yīng)用設(shè)計

常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產(chǎn)生電流,必須在基極端子和發(fā)射極端子之間施加電流。
2023-06-25 12:24:00556

GaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計

升級到GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21

什么是氮化鎵功率芯片?

電源和信號,一直是業(yè)界無法實現(xiàn)的。因為硅器件的開關(guān)速度太慢,而且存在驅(qū)動器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉(zhuǎn)換/隔離,導(dǎo)致了硅器件無法做到更高的頻率。氮化鎵電源芯片
2023-06-15 14:17:56

單片驅(qū)動器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)如何改善電源系統(tǒng)設(shè)計

本文介紹最新的驅(qū)動器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進而增強最終應(yīng)用的整體性能。
2023-06-14 14:25:171548

無線充電&線圈均發(fā)熱

目前使用的無線充電方案是+諧振電路,搭的MOS芯片通過板子散熱最終可以達到50℃,天線可以到45℃,發(fā)射理論功率1W,有沒有什么可以降低發(fā)熱的辦法==
2023-06-14 10:20:43

馬達驅(qū)動芯片BDR6120S-空間敏感的系統(tǒng)設(shè)計提供理想選擇

BDR6120S 特性 ● 內(nèi)置 PMOS/NMOS 功率開關(guān)的單通道 H 驅(qū)動器 ● 有正轉(zhuǎn)/反轉(zhuǎn)/停止/剎車四個功能 ● 低待機電流 (typ.0.1uA) ● 寬工作電壓范圍,適用于鋰電池
2023-06-01 11:36:17

RDDRONE-BMS772電池平衡,芯片組是內(nèi)置FET還是只是驅(qū)動器?

最近在研究一個無人機電池管理系統(tǒng),RDDRONE-BMS772。文檔中關(guān)于電池平衡的內(nèi)容不清楚——芯片組是內(nèi)置 FET 還是只是驅(qū)動器?
2023-06-01 07:23:40

功率MOSFET驅(qū)動保護電路方案大全

分享功率MOSFET驅(qū)動保護電路方案大全,希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02

MOSFET柵極驅(qū)動電路的應(yīng)用有哪些

常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。
2023-05-22 09:54:02518

MOSFET柵極驅(qū)動電路的應(yīng)用

常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。
2023-05-22 09:52:08747

隔離式柵極驅(qū)動器的介紹和選型指南

功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。 為了操作 MOSFET,通常須將一個電壓施加于柵極(相對于源極或發(fā)射極)。使用專用驅(qū)動器功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動電流。
2023-05-17 10:21:391473

驅(qū)動電路能濾出波嗎

驅(qū)動電路通過 SPWM 已經(jīng)能生成正弦波了,請問一下各位大神,能不能修改程序生成波啊
2023-05-09 13:21:57

帶有電機精確控制的雙功率電機驅(qū)動芯片MAX22203中文資料

推薦一款雙功率電機驅(qū)動芯片,帶有精確的電流監(jiān)控,電流控制和電流限制徹底解決傳統(tǒng)功率芯片電流控制復(fù)雜的問題。提高控制感性線圈負載的電流精度。內(nèi)置低功耗MOSFET
2023-05-06 19:03:31

如何使用P/N溝道MOSFET構(gòu)建通用全橋或H橋MOSFET驅(qū)動電路

在本文中,我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動電路,該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動電路。
2023-04-29 09:35:005288

請問一下LLC諧振變換功率最大可以做多大???

請問一下LLC諧振變換功率最大可以做多大啊?
2023-04-25 15:23:47

如何定義柵極電阻、自舉電容器以及為什么高側(cè)柵極驅(qū)動器可能需要對MOSFET源極施加一些電阻?

您好,我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動器,但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動器的問題。首先,是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06

OC5822 是一款內(nèi)置功率 MOSFET 的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換

OC5822 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換。OC5822在6-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實現(xiàn) 1.5 A最大輸出電流,并且具有出色的線電壓和負載調(diào)整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54

中科芯億達MX6833雙橋電機驅(qū)動器解決方案

每個 H 橋的輸出驅(qū)動器模塊由配置為 H 橋的 N 溝道功率 MOSFET 組成,用于驅(qū)動電機繞組。每個 H 橋均具備調(diào)節(jié)或限制繞組電流的電路。
2023-04-07 12:26:21311

CMS3960廣泛應(yīng)用于風(fēng)扇、水泵等小功率直流無刷電機

電機驅(qū)動是中微半導(dǎo)體集驅(qū)動和三相于一體設(shè)計的緊湊型芯片,具有多重保護功能、輸出電流能力強、空間體積小等特點 。CMS3960是一款內(nèi)置 MOSFET三相直流無刷電機驅(qū)動IC,集成故障輸出、過壓
2023-04-07 09:13:57

電力電子IGBT柵極驅(qū)動器

半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心。這些系統(tǒng)利用許多門控半導(dǎo)體器件,如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開關(guān)模式電源(SMPS)、通用電源(UPS)和電機驅(qū)動器中的開關(guān)元件。電力電子的現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展通常跟隨功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展。
2023-04-04 10:23:45546

隔離式柵極驅(qū)動器設(shè)計技巧

功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391001

LT1336是一款驅(qū)動器

LT?1336是一款成本效益型式N 溝道功率 MOSFET 驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器能夠采用一個高達 60V (絕對最大值) 的高電壓 (HV) 軌作為工作電源,以驅(qū)動頂端 N 溝道功率MOSFET
2023-03-31 11:37:51

LT1162是一款驅(qū)動器

LT?1160/LT1162 是成本效益型式/全式 N 溝道功率MOSFET 驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器能夠采用一個高達 60V 的高電壓 (HV) 軌作為工作電源,以驅(qū)動頂端 N 溝道功率
2023-03-31 11:31:54

LT1160是一款驅(qū)動器

LT?1160/LT1162 是成本效益型式/全式 N 溝道功率MOSFET 驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器能夠采用一個高達 60V 的高電壓 (HV) 軌作為工作電源,以驅(qū)動頂端 N 溝道功率
2023-03-31 11:28:39

LTC7060是一款驅(qū)動器

LTC7060驅(qū)動兩個采用配置的N通道MOSFET,電源電壓高達100V。高端和低端驅(qū)動器可以驅(qū)動具有不同接地基準(zhǔn)的MOSFET,提供出色的瞬變抗擾度。其功能強大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉
2023-03-31 10:49:48

LTC7061是一款驅(qū)動器

LTC7061驅(qū)動兩個采用配置的N通道MOSFET,電源電壓高達100V。高端和低端驅(qū)動器可以驅(qū)動具有不同接地基準(zhǔn)的MOSFET,提供出色的瞬變抗擾度。其功能強大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉
2023-03-31 10:44:27

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機驅(qū)動)和模塊“SA110”“SA111”(非常適用于眾多高電壓應(yīng)用)兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200
2023-03-29 15:06:13

ir2104驅(qū)動芯片代換料ID7U603SEC-R1 600V預(yù)驅(qū)方案

ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動芯片,可兼容代換IR2104,應(yīng)用領(lǐng)域于中小型功率電機驅(qū)動、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動、照明鎮(zhèn)流器、驅(qū)動
2023-03-29 09:24:35

一種寬輸出范圍的混合諧振正反激變換控制方法

諧振正激變換(LLC)有更寬的增益調(diào)節(jié)能力因而適合在需要寬范圍輸出的應(yīng)用,如工業(yè)用電池充電器、USBPD充電器等領(lǐng)域使用?! ∮捎谧儔?b class="flag-6" style="color: red">器副邊僅有一個繞組和二極管進行整流,當(dāng)變換的輸出功率
2023-03-23 14:19:33

通用12輸出LED驅(qū)動器控制4 RGB LED

RGB LED可產(chǎn)生多種顏色,包括白色,使其具有高度的通用性。每個RGB LED需要三個驅(qū)動器,每個顏色的LED需要一個驅(qū)動器。與單個LED驅(qū)動器相比,在RGB應(yīng)用中使用多輸出LED驅(qū)動器可以節(jié)省解決方案的尺寸和成本。LTC3207和LTC3207-1每個都提供12個單獨可編程的電流源(通用驅(qū)動器)。
2023-03-23 11:08:122172

LTC7001 N溝道MOSFET柵極驅(qū)動器參數(shù)介紹

LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器,選用高達 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個擔(dān)任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵,因此使其可以無限期地堅持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45514

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