讓量子計(jì)算機(jī)走出實(shí)驗(yàn)室造中國自主可控量子計(jì)算機(jī)量子芯片作為量子計(jì)算機(jī)的核心部件，扮演著類似于傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)中‘大腦’的角色。而與此同時(shí)，高密度微波互連模組則像是‘神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)’，在量子芯片與外部設(shè)備之間
2024-03-15 08:21:05
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:58:12
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:53:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲(chǔ)器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:24:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450 全球連接與傳感領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity (TE)近日宣布推出的高密度(HD)+ 金手指電源連接器是市場(chǎng)上可實(shí)現(xiàn)最高電流密度的金手指電源連接器，能夠支持高達(dá)3千瓦的電源功率，從而
2024-03-06 16:51:58
這位博主堅(jiān)持認(rèn)為，在今年的年底，小米僅計(jì)劃生產(chǎn)搭載驍龍8 Gen 3或驍龍8 Gen 4處理器的機(jī)型。另外，預(yù)計(jì)這兩款新品都將搭載超大容量的高密度硅負(fù)離子電池，屏幕大小、外觀設(shè)計(jì)以及后置攝像頭的配置保持不變。
2024-03-06 10:18:00131 的布局也就成了大家設(shè)計(jì)PCB高頻板時(shí)候需要探討的關(guān)鍵點(diǎn)。接下來深圳PCBA公司為大家介紹下高頻PCB設(shè)計(jì)布局的注意要點(diǎn)。 高頻PCB設(shè)計(jì)布局注意要點(diǎn) ? (1)高頻電路傾向于具有高集成度和高密度PCB設(shè)計(jì)布線。使用多層板既是PCB設(shè)計(jì)布線所必需的，也是減少干擾的
2024-03-04 14:01:0271 特點(diǎn)●超高密度細(xì)胞溝設(shè)計(jì)為低RDS（開）。●堅(jiān)固而可靠?！癖砻姘惭b軟件包。
2024-02-22 14:44:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT-23-3 N通道高密度壕溝MOSFET PL2300GD數(shù)據(jù)手冊(cè)》資料免費(fèi)下載
2024-02-21 14:35:290 【摘要/前言】 “角度”，這個(gè)詞每天都出現(xiàn)在我們的生活中，有物理學(xué)的角度，如街邊的拐角，還有視覺上的角度和觀點(diǎn)中的角度~ Samtec新型? AcceleRate? mP 高密度電源/信號(hào)互連
2024-01-05 11:47:24103 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PL2302GD N溝道高密度溝槽MOSFET英文資料》資料免費(fèi)下載
2024-01-05 11:12:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PL2300GD N溝道高密度溝槽MOSFET英文資料》資料免費(fèi)下載
2024-01-05 11:08:290 相對(duì)于傳統(tǒng)PC，云桌面具有部署靈活、接入安全、維護(hù)方便、簡(jiǎn)化辦公環(huán)境等顯著優(yōu)點(diǎn)。但云桌面解決方案涉及后臺(tái)服務(wù)器、前臺(tái)終端、虛擬化軟件、云桌面軟件等，綜合成本相對(duì)較高。
2023-12-21 10:27:56236 
高密度互連印刷電路板：如何實(shí)現(xiàn)高密度互連 HDI
2023-12-05 16:42:39226 
54V，有效降低了電源全鏈路損耗，改善了數(shù)據(jù)中心能效。結(jié)合在氣流優(yōu)化、液冷散熱等方面的技術(shù)改進(jìn)，以及第四代英特爾 至強(qiáng) 可擴(kuò)展處理器帶來的更高能耗比，我們推出了綠色的高密度算力整機(jī)柜方案，打造了可持續(xù)的數(shù)據(jù)中心典范。我們也和英特爾將技術(shù)成果標(biāo)準(zhǔn)化，幫助更多企業(yè)構(gòu)建綠色的高密度算力
2023-12-01 20:40:03467 
2023年11月24日，雷賽智能基于二十余年伺服行業(yè)成功經(jīng)驗(yàn)，歷經(jīng)一年多努力，研發(fā)成功FM1系列高密度無框電機(jī)和微型伺服驅(qū)動(dòng)器，推動(dòng)人形機(jī)器人等產(chǎn)業(yè)發(fā)展，幫助廣大客戶進(jìn)行進(jìn)口替代和升級(jí)降本。
2023-11-27 17:28:10872 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一種高密度、易于設(shè)計(jì)的通道間隔離模擬輸入模塊完整解決方案.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-23 10:34:550 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《突破PLC DCS多通道模擬輸入通道間隔離、高密度和EMI高輻射的設(shè)計(jì)障礙.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 10:42:400 法人方面解釋說：“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業(yè)主導(dǎo)，因此，中臺(tái)灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無法與之抗衡?！痹?b class="flag-6" style="color: red">ddr3 ddr3的情況下，臺(tái)灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強(qiáng)勢(shì)。ddr3的價(jià)格也隨之上漲，給臺(tái)灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 高密度、高復(fù)雜性的多層壓合pcb電路板
2023-11-09 17:15:32867 JSCJ長(zhǎng)晶長(zhǎng)電科技面向5G射頻功放推出的高密度異構(gòu)集成SiP解決方案即將在國內(nèi)大規(guī)模量產(chǎn)
2023-11-01 15:20:20254 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003885 簡(jiǎn)儀推出新產(chǎn)品高密度多功能數(shù)據(jù)采集模塊——PCIe/PXIe-5113/5113s，針對(duì)高密度模擬輸入通道需求提供高性價(jià)比的解決方案，擴(kuò)展DAQ數(shù)據(jù)采集產(chǎn)品的涵蓋范圍。 產(chǎn)品亮點(diǎn) 01 高密度模擬
2023-10-25 14:30:59450 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，介紹MAX?II系列即時(shí)開啟非易失性CPLD基于0.18-μ，6層金屬閃存工藝，密度從240到2210個(gè)邏輯元件（LE）（128至22
2023-10-24 15:38:16
三星電子在此次會(huì)議上表示：“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級(jí)dram，目前正在開發(fā)的11納米級(jí)dram將提供業(yè)界最高密度?！绷硗猓钦跍?zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架，并計(jì)劃為一個(gè)芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485 DDR3是2007年推出的，預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場(chǎng)份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
我們提出了一種高密度3kW電源解決方案，移除輸入整流二極管,使用圖騰極PFC電路和650VSiCMOSFET和以及次級(jí)側(cè)控制LLC帶同步整流功能的轉(zhuǎn)換器。本方案是推動(dòng)高效率和減小電源尺寸:其中
2023-10-12 08:27:40751 
對(duì)于嵌入式開發(fā)者來講，對(duì)產(chǎn)品設(shè)計(jì)小型化的追求似乎是永無止境的。這種追求帶來了兩個(gè)直接的挑戰(zhàn)：一是如何在有限的空間內(nèi)“堆料”，滿足不斷增加的功能性要求；二是如何實(shí)現(xiàn)高密度、高可靠的互連，以滿足系統(tǒng)連接
2023-10-04 08:10:012595 
摘要：本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 雷迪埃F2C-40是 40 通道高密度多同軸連接方案是為響應(yīng)市場(chǎng)需求而開發(fā)的。該解決方案采用符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的超柔、無磁、超低溫電纜組件，非常適用于有更多量子比特?cái)?shù)的商用量子計(jì)算機(jī)。這種無磁免焊
2023-09-25 16:10:36
相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441478 
開發(fā)完成的高密度成品制造解決方案進(jìn)入產(chǎn)能擴(kuò)充階段，預(yù)計(jì)2024年起相關(guān)產(chǎn)品營(yíng)收規(guī)模翻番，將有利促進(jìn)第三代半導(dǎo)體器件在全球應(yīng)用市場(chǎng)的快速上量。 碳化硅，氮化鎵產(chǎn)品相對(duì)于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有更高的開關(guān)速度，支持高電流密度，耐受
2023-09-19 10:20:38379 高密度服務(wù)器播放 rtsp 流出現(xiàn)斷連情況驗(yàn)證
2023-09-18 07:14:50
以MT41J128M型號(hào)為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個(gè)8bit的DDR3，每個(gè)bank的大小為16Mbit，一共有8個(gè)bank。
2023-09-15 15:30:09629 
DDR3帶寬計(jì)算之前，先弄清楚以下內(nèi)存指標(biāo)。
2023-09-15 14:49:462497 
內(nèi)置校準(zhǔn): DDR3和DDR4控制器通常具有內(nèi)置的校準(zhǔn)機(jī)制，如ODT (On-Die Termination)、ZQ校準(zhǔn)和DLL (Delay Locked Loop)。這些機(jī)制可以自動(dòng)調(diào)整驅(qū)動(dòng)和接收電路的特性，以優(yōu)化信號(hào)完整性和時(shí)序。
2023-09-11 09:14:34420 意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
本文介紹一個(gè)FPGA開源項(xiàng)目：DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對(duì)FPGA DDR3實(shí)現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19741 
本文開源一個(gè)FPGA項(xiàng)目：基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡(jiǎn)單用戶接口的讀寫方式：《DDR3讀寫測(cè)試》，如果在某些項(xiàng)目中，我們需要把DDR掛載到AXI總線上，那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:371887 
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2023-09-01 15:21:431 數(shù)據(jù)中心機(jī)房高密度布線是我們現(xiàn)在經(jīng)常關(guān)注的問題，這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">高密度光纖配線箱的使用，很多人對(duì)于這一點(diǎn)有很多疑問，其實(shí)我們從數(shù)據(jù)中心機(jī)房網(wǎng)絡(luò)布線系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)就可以看出，當(dāng)前最重要的有四種，分別是集中化直連
2023-08-29 10:13:49234 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《通過博科FC16-64端口刀片簡(jiǎn)化高密度電纜部署.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-28 14:36:280 MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒有詳細(xì)的介紹。
在introduction文件中只有簡(jiǎn)略的如下圖的一句話的介紹
在schematic文件中也沒有明確表明每個(gè)接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3時(shí)，一些關(guān)鍵參數(shù)的選擇在手冊(cè)中并沒有給出，以及.ucf引腳約束文件也沒有提供，請(qǐng)問這些信息應(yīng)該從哪里得到？
2023-08-16 07:02:57
復(fù)制Vivado工程路徑vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夾。粘貼到仿真路徑testbench\tb_ddr3_cache（新建用于DDR3仿真的文件夾）下。
2023-08-12 11:08:27735 PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
，不知道出現(xiàn)啥問題？求助解決方案，同時(shí)有個(gè)疑問DDR4是否可以使用，論壇中都是使用DDR3的教程。
log如下
2023-08-11 06:17:58
MPO光纖配線架應(yīng)用于大型數(shù)據(jù)中心機(jī)房MDF，近幾年來，MPO高密度光纖配線架在機(jī)房布線中應(yīng)用廣泛，得到項(xiàng)目的青睞使用，這就有很多人有一個(gè)疑問，到底是什么樣的有點(diǎn)讓此類配線架火起來的，下面就跟著
2023-08-09 09:58:56285 
把控制器掛在了交換機(jī)上，交換機(jī)上有極高密度的arp報(bào)文造成以太網(wǎng)接收中斷無法及時(shí)處理。 看手冊(cè)中有廣播幀濾過和單播幀濾過，能否通過設(shè)置源地址濾過將非業(yè)務(wù)主機(jī)的arp廣播報(bào)文濾掉(單播和廣播功能在手冊(cè)中是分開寫的，不清楚單播的源地址濾過配置能否對(duì)廣播幀進(jìn)行過濾)
2023-08-07 06:46:01
xilinx平臺(tái)DDR3設(shè)計(jì)教程之設(shè)計(jì)篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
快充需求推動(dòng)了高密度適配器的蓬勃發(fā)展。在實(shí)際的適配器設(shè)計(jì)中，花樣繁多的新型開關(guān)功率器件、拓?fù)浜涂刂?b class="flag-6" style="color: red">方案不計(jì)其數(shù)。
2023-08-02 11:31:42226 
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2023-08-01 16:54:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:470 PCB的布局也就成了大家設(shè)計(jì)PCB高頻板時(shí)候需要探討的關(guān)鍵點(diǎn)。接下來深圳PCBA公司為大家介紹下高頻PCB設(shè)計(jì)布局的注意要點(diǎn)。 高頻PCB設(shè)計(jì)布局注意要點(diǎn) (1)高頻電路傾向于具有高集成度和高密度PCB設(shè)計(jì)布線。使用多層板既是PCB設(shè)計(jì)布線所必需的，也是減少
2023-07-19 09:26:08518 當(dāng)工業(yè)4.0浪潮席卷而來，智能傳感器在工廠環(huán)境中日益普及。廣泛使用的傳感器正帶來一個(gè)重要變化，即要在舊款控制器內(nèi)處理大量IO，包括數(shù)字IO或模擬IO。由此，構(gòu)建可控尺寸和熱量的高密度IO模塊成為關(guān)鍵。本文中ADI將重點(diǎn)介紹數(shù)字IO。
2023-07-13 16:56:041119 
DDR3的速度較高，如果控制芯片封裝較大，則不同pin腳對(duì)應(yīng)的時(shí)延差異較大，必須進(jìn)行pin delay時(shí)序補(bǔ)償。
2023-07-04 09:25:38312 
Weiking 灌封型寬范圍輸入電壓DC-DC? WK4128**D-08G系列 ? 產(chǎn)品概述 ? WK4128**D-08G系列DC-DC電源模塊內(nèi)部采用高密度組裝工藝方法，并配合使用具有優(yōu)異性
2023-07-03 11:08:55310 
摘要：提出了一種只讀高密度光盤的DPD信號(hào)檢測(cè)方法，闡述了DPD信號(hào)檢測(cè)中均衡電路和相位檢測(cè)器的原理和設(shè)計(jì)方法，并基于CPLD器件實(shí)現(xiàn)了光盤高頻讀出信號(hào)的相位差檢測(cè)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，本文提出的方法可以準(zhǔn)確檢測(cè)光盤的DPD信號(hào)。
2023-06-29 17:07:390 光纖連接器的高密度布局和設(shè)計(jì)方法是在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多連接器數(shù)量的一種策略，以提高光纖網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的容量和效率。
2023-06-26 15:20:001129 路由器、智能穿戴設(shè)備等各類終端產(chǎn)品。隨著5G的導(dǎo)入，模塊要有更高的功率，工作頻率、更大的帶寬和更小的模組尺寸。 長(zhǎng)電科技面向5G射頻功放打造的高密度異構(gòu)集成SiP解決方案，具備高密度集成、高良品率等顯著優(yōu)勢(shì)。該方案通過工藝流程優(yōu)化、
2023-06-19 16:45:00355 GaN高密度300W交直流變換器
2023-06-19 06:03:23
高密度互連 (HDI) 需求主要來自于芯片供應(yīng)商。最初的球柵陣列封裝 (BGA) 支持常規(guī)過孔。
2023-06-01 16:43:58523 
解決方案，配置方式比較靈活，采用軟核實(shí)現(xiàn) DDR memory 的控制，有如下特點(diǎn)：
?支持 DDR3
?支持 x8、x16 Memory Device
?最大位寬支持 32 bit
?支持裁剪的 AXI4
2023-05-31 17:45:39
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
在這個(gè)技術(shù)革命的時(shí)代，人工智能應(yīng)用程序、高端服務(wù)器和圖形等領(lǐng)域都在不斷發(fā)展。這些應(yīng)用需要快速處理和高密度來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，其中高帶寬內(nèi)存 （HBM） 提供了最可行的內(nèi)存技術(shù)解決方案。
2023-05-25 16:39:333396 
memory 控制器解決方案，配置方式比較靈活，采用軟核實(shí)現(xiàn) DDR memory 的控制，有如下特點(diǎn)：
?支持 DDR3
?支持 x8、x16 Memory Device
?最大位寬支持 32 bit
2023-05-19 14:28:45
你好 ：
專家，我們想使用S32R45和DDR3，你能幫我在哪里找到示例項(xiàng)目或用例嗎？
2023-05-17 08:13:46
在 i.MX6 SOLO 中有沒有辦法讀取芯片 DDR3 的大??？
2023-05-06 07:04:11
被廣泛應(yīng)用于在布線過程里需要高密度集成光纖線路環(huán)境中。 ? 解決高密度高速傳輸需求的MPO ? MPO，全名Multi-fiber Push ON，是用來做設(shè)備到光纖布線鏈路的跳接線。MPO光纖跳線由MPO連接器和光纜組成。MPO連接器是一種使用精密模具成型在機(jī)械
2023-04-18 01:16:005585 
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場(chǎng)，直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺有點(diǎn)跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對(duì)比。
2023-04-04 17:08:472867 
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