電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）近日有消息稱，臺積電將組建2nm任務(wù)團沖刺2nm試產(chǎn)及量產(chǎn)。根據(jù)相關(guān)信息，這個任務(wù)編組同時編制寶山及高雄廠量產(chǎn)前研發(fā)（RDPC）團隊人員，將成為協(xié)助寶山廠及高雄廠廠務(wù)
2023-08-20 08:32:07
2089 
李時榮聲稱，“客戶對代工企業(yè)的產(chǎn)品競爭力與穩(wěn)定供應(yīng)有嚴(yán)格要求，而4
nm工藝已步入成熟良率階段。我們正積極籌備后半年第二代3
nm工藝及明年2
nm工藝的
量產(chǎn)，并積極與潛在客戶協(xié)商?！?/div>
2024-03-21 15:51:4385 三星電子和SK海力士計劃在今年上半年量產(chǎn)下一代顯卡用內(nèi)存GDDR7 DRAM，這是用于圖形處理單元（GPU）的最新一代高性能內(nèi)存。
2024-03-18 10:35:2936 
IC LPDDR2-PCM/LPDDR2 1.5G
2024-03-14 22:02:18
三星作為行業(yè)領(lǐng)軍者，在本季度DRAM營收達到79.5億美元，環(huán)比增長近50％，主要受益于1αnm DDR5的出貨提速，服務(wù)器DRAM出貨量躍增逾60％。
2024-03-05 15:40:57162 根據(jù)韓媒2月26日最新消息，韓國上市企業(yè)三星電機(KOSPI:009150)的越南封裝基板工廠將在3月底完成試生產(chǎn)階段，并于3月底或4月初開始量產(chǎn)。今年預(yù)計封裝基板的業(yè)績將有所改善。
2024-02-26 11:35:14508 
來源：EETOP，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 近期韓媒DealSite+報道，表示三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問題，在嘗試生產(chǎn)適用于Galaxy S25 /S25+手機的Exynos
2024-02-04 09:31:13310 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 有存儲模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價，但預(yù)計NAND價格將繼續(xù)上漲。2023年12月DRAM價格上漲2%-3%，大幅提升DRAM價格，但低于當(dāng)月3D TLC NAND約10%的漲幅。
2024-01-08 16:43:54466 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22387 根據(jù)最新的存儲器模組行業(yè)消息，隨著自2023年下半年以來NAND Flash價格一路攀升，三星電子和美光等主要存儲器制造商計劃在Q1上調(diào)DRAM價格，漲幅預(yù)計將達到15%-20%。 業(yè)內(nèi)分析師指出
2024-01-03 18:14:16872 近期，全球DRAM市場風(fēng)云再起。兩大巨頭三星和SK海力士紛紛宣布增加設(shè)備投資和產(chǎn)能，這一舉動無疑將對整個市場帶來深遠的影響。而現(xiàn)在，最新消息表明，DRAM價格有望在2024年第一季度迎來新一輪的上漲，漲幅預(yù)計達到15%至20%。
2024-01-03 14:35:20414 部分存儲模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價格上調(diào)15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價，故預(yù)計后者將會持續(xù)上漲。DRAM價格在去年年底上漲2%-3%，不及3D TLC NAND約10%；
2024-01-03 10:46:21550 英特爾的Intel 20A和Intel 18A工藝已經(jīng)開始流片，意味著量產(chǎn)階段已經(jīng)不遠。而2nm工藝和1.8nm工藝的先進程度無疑已經(jīng)超過了三星和臺積電的3nm工藝。
2023-12-20 17:28:52799 LPDDR5芯片目前已在國內(nèi)主流手機廠商小米、傳音等品牌機型上完成驗證。LPDDR5是長鑫存儲面向中高端移動設(shè)備市場推出的產(chǎn)品，它的市場化落地將進一步完善長鑫存儲DRAM芯片的產(chǎn)品布局。 其中，12GB
2023-12-19 17:55:57234 年開始量產(chǎn)。 根據(jù) SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片，臺積電的 1.4nm 制程節(jié)點正式名稱為 A14。IT之家注意到，目前臺積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時間和具體
2023-12-18 15:13:18191 MP4@?MHz
內(nèi)存
長鑫CXDQ3BFAM DDR4 1GB*4
海力士H5TQ4G63CFR DDR3 512MB*4
三星K4E8E324EBGCF LPDDR3 1GB*3(2+1)
佰維
2023-12-14 23:33:28
全面展開。同時，臺積電重申，2nm 級制程將按計劃于 2025 年開始量產(chǎn)。 ? 據(jù)悉，臺積電的 1.4nm 制程節(jié)點正式名稱為 A14。目前臺積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時間和具體參數(shù)，但考慮到
2023-12-14 11:16:00733 LPDDR5芯片目前已在國內(nèi)主流手機廠商小米、傳音等品牌機型上完成驗證。LPDDR5是長鑫存儲面向中高端移動設(shè)備市場推出的產(chǎn)品，它的市場化落地將進一步完善長鑫存儲DRAM芯片的產(chǎn)品布局。 其中，12GB
2023-12-13 11:12:08229 請問一下電機的星三角啟動是不是降低電機的啟動電流的啊，還是其他的原因
2023-12-13 08:09:25
三星dram的營業(yè)利潤在第三季度約增加15.9%，達到52.5億美元，市場占有率為38.9%，占據(jù)首位。三星對ai高用量產(chǎn)品的需求不斷增加，1alpha nm ddr5的批量生產(chǎn)也呈現(xiàn)良好勢頭。
2023-12-05 17:07:08461 
據(jù)報導(dǎo)，三星已主要客戶的部分先進 EUV 代工生產(chǎn)在線導(dǎo)入 EUV 光罩護膜。雖然三星也在 DRAM 生產(chǎn)線中采用 EUV 制程，但考慮到生產(chǎn)率和成本，該公司認(rèn)為即使沒有光罩護膜也可以進行內(nèi)存量產(chǎn)。
2023-12-05 15:09:01491 trendforce表示，第三季度三家企業(yè)的營業(yè)利潤均有所增加，由于ai話題的擴散，對高用量產(chǎn)品的需求保持穩(wěn)定，而且在批量生產(chǎn)1 alpha nm ddr5以后價格也有所上升，從而使三星第三季度dram銷售額增長15.9%，約52.5億美元。
2023-12-05 10:19:53297 
長鑫存儲最近在其官網(wǎng)上宣布，已研發(fā)出中國首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片，并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5及DSC封裝的6GB LPDDR5等一系列
2023-12-03 11:30:00283 
資料顯示，LPDDR是低功耗的DRAM存儲器，由DDR內(nèi)存演化而來。LPDDR的架構(gòu)和接口針對低功耗應(yīng)用進行了專門優(yōu)化，提供更窄的通道寬度、尺寸更小、工作電壓更低和支持多種低功耗運行狀態(tài)。
2023-12-01 10:44:12217 三星已將4nm制程良率提升到了70%左右，并重點在汽車芯片方面尋求突破。特斯拉已經(jīng)將其新一代FSD芯片交由三星生產(chǎn)，該芯片將用于特斯拉計劃于3年后量產(chǎn)的Hardware 5（HW 5.0）計算機。
2023-12-01 10:33:451052 
三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計劃等。當(dāng)投資者詢問三星今后將開發(fā)的技術(shù)時，管理人員公開了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:16324 長鑫存儲12gb lpddr5芯片目前已經(jīng)在韓國主流手機制造商小米、傳音等品牌機型上完成了驗證。lpddr5是長鑫存儲針對中高端移動機器市場推出的產(chǎn)品，市場化將進一步完善長鑫存儲的dram半導(dǎo)體產(chǎn)品配置。
2023-11-29 09:31:10498 DRAM制造技術(shù)進入10nm世代（不到20nm世代）已經(jīng)過去五年了。過去五年，DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此，本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢。
2023-11-25 14:30:15536 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
“LPDDR5T是最大限度發(fā)揮智能手機性能的最佳內(nèi)存。我們將繼續(xù)擴大該產(chǎn)品的應(yīng)用范圍，引領(lǐng)移動DRAM領(lǐng)域的換代?！盨K海力士在一份聲明中表示。隨著JEDEC標(biāo)準(zhǔn)化進程進入最后
2023-11-20 17:37:08353 據(jù)sk海力士透露，LPDDR5T是迄今為止最能大幅提高智能手機性能的存儲產(chǎn)品中速度最快的產(chǎn)品。公司方面強調(diào)說，將繼續(xù)擴大產(chǎn)品適用范圍，引領(lǐng)移動dram領(lǐng)域的升級。
2023-11-13 10:32:31779 筆電DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存儲器模組合約價，10 月也較9 月上漲11.5%，到每單位33 美元。智能手機DRAM合約價也開始漲價。TrendForce 預(yù)計第四季行動DRAM
2023-11-03 17:23:09958 1. 三星透露：已和大客戶接洽2nm 、1.4nm 代工服務(wù) ? 三星旗下晶圓代工部門Samsung Foundry首席技術(shù)官Jeong Ki-tae 近日透露，三星盡管成功量產(chǎn)3nm GAA工藝
2023-10-27 11:14:21748 
日宣布， 公司開始推進"LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo) DRAM"的商用化*，其目前移動DRAM中可實現(xiàn)9.6Gbps（每秒9.6千兆）最高
2023-10-25 18:17:54711 
三星電子在此次會議上表示：“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級dram，目前正在開發(fā)的11納米級dram將提供業(yè)界最高密度。”另外，三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架，并計劃為一個芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485 ? ? ? ?在臺積電的法人說明會上據(jù)臺積電總裁魏哲家透露臺積電有望2025年量產(chǎn)2nm芯片。 目前，臺積電已經(jīng)開始量產(chǎn)3nm工藝; 臺灣新竹寶山、高雄兩座工廠的2nm芯片計劃2024年試產(chǎn)
2023-10-20 12:06:23930 可以容納更多的晶體管在同樣的芯片面積上，從而提供更高的集成度和處理能力。此外，較小的節(jié)點尺寸還可以降低電路的功耗，提供更高的能效?？梢哉f，2nm芯片代表了制程工藝的最新進展和技術(shù)創(chuàng)新。 2nm芯片什么時候量產(chǎn) 2nm芯片什么時候量產(chǎn)這
2023-10-19 16:59:161958 客戶。 ? 臺積電工廠目前正推進N3E工藝量產(chǎn)，并計劃2024年替代N3工藝。預(yù)計2024年開始，除三星外其他幾家主要的芯片玩家，包括高通、聯(lián)發(fā)科
2023-10-16 10:57:46507 GPS定位到三顆星為什么還不能實現(xiàn)定位？
2023-10-16 06:58:02
平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報道，三星原計劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 據(jù)悉，臺積電第一個3nm制程節(jié)點N3于去年下半年開始量產(chǎn)，強化版3nm（N3E）制程預(yù)計今年下半年量產(chǎn)，之后還會有3nm的延伸制程，共計將有5個制程，包括：N3、N3E、N3P、N3S以及N3X。
2023-09-26 17:00:43823 據(jù)三星的報道資料顯示，個人電腦和筆記本電腦使用現(xiàn)有的lpddr dram或基于ddr的so-dimm（小型雙內(nèi)置存儲器模塊）。但是lpddr由于必須直接安裝在設(shè)備主板上的結(jié)構(gòu)上的制約，在修理或升級期間很難更換。
2023-09-26 14:09:16304 三星泰勒工廠目前正在建設(shè)中，計劃今年竣工，明年年底開始大量生產(chǎn)。該工廠的第一個正式生產(chǎn)產(chǎn)品將合并到三星電子無線事業(yè)部門galaxy s25系列。該系列將于2025年初發(fā)行。泰勒工廠的第一個顧客有望是三星電子。
2023-09-22 10:09:20371 已保留有6位SDR空間。最后，它占用的片上空間更少，單個封裝最多可以包含12GB的DRAM。不利的一面是，LPDDR4X不能與LPDDR4向后兼容。即使設(shè)備與更快的LPDDR4內(nèi)存兼容，它也可能不適用于LPDDR4X。
2023-09-19 11:09:368366 
?首搭國內(nèi)首款自研車規(guī)級7nm量產(chǎn)芯片“龍鷹一號”，魅族車機系統(tǒng)首發(fā)上車。
2023-09-14 16:12:30484 9月12日，據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》報導(dǎo)，三星電子近期與客戶（谷歌等手機制造商）簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議，DRAM和NAND閃存芯片價格較現(xiàn)有合同價格上調(diào)10%-20％。三星電子預(yù)計，從第四季度起存儲芯片市場或?qū)⒐┎粦?yīng)求。
2023-09-14 10:56:18206 隨著行動內(nèi)存芯片市場跡象顯示出復(fù)蘇跡象，并且最早在第四季度供不應(yīng)求，三星電子已宣布將提高動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）和NAND閃存芯片的價格，幅度達到10%~20%。 韓國經(jīng)濟日報報道，知情人
2023-09-13 14:22:34486 LPDDDD2(DMC-342)本文件描述了按嚴(yán)重程度分類的勘誤表。每個描述包括：
缺陷的當(dāng)前狀態(tài)，其中實現(xiàn)偏離了規(guī)范，以及錯誤行為發(fā)生的條件，關(guān)于典型應(yīng)用程序的勘誤表的含義，“變通辦法”的應(yīng)用和限制（如可能）
2023-09-04 07:32:06
本人使用MS51XB9AE,請問有沒有支持量產(chǎn)的下載工具？就是把芯片燒錄好后再貼片，官方或者第三方的都行，有沒有推薦？
官網(wǎng)那個量產(chǎn)燒錄器好像不支持8051??？NuGang，沒找到MS51XB9AE，適配插座也沒有QFN20的
2023-09-01 07:43:24
lpddr5是什么意思？lpddr5和lpddr4x提升了多少？? LPDDR5是一種基于低功耗雙數(shù)據(jù)速率（LPDDR）的內(nèi)存技術(shù)，它是目前移動設(shè)備中性能最高的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)之一。正如其名稱所示，它是
2023-08-21 17:28:327912 lpddr4x和lpddr5區(qū)別 lpddr4x和ddr5的區(qū)別大不大 隨著智能手機、平板電腦、筆記本電腦等消費電子產(chǎn)品的不斷升級和發(fā)展，人們對設(shè)備運行速度和效率的要求也越來越高。在這樣的背景
2023-08-21 17:28:2919677 筆記本lpddr4x和lpddr5區(qū)別？? LPDDR4X和LPDDR5都是一種低功耗雙向數(shù)據(jù)傳輸標(biāo)準(zhǔn)，是現(xiàn)代智能手機和平板電腦等移動設(shè)備的主要內(nèi)存類型。這兩種技術(shù)從設(shè)計上就注重了對移動設(shè)備電池續(xù)航
2023-08-21 17:28:273861 lpddr4x過時了嗎？lpddr4x顯卡怎么樣？電腦LPDDR4X夠用嗎？? LPDDR4X是低功耗雙數(shù)據(jù)速率第四代SDRAM的一種版本，主要用于低功耗移動設(shè)備。它在功耗、性能和尺寸上，都有了很大
2023-08-21 17:16:463688 LPDDR4是什么意思？LPDDR4X內(nèi)存是什么意思？ LPDDR4和LPDDR4X內(nèi)存是目前市面上最為先進和流行的手機和移動設(shè)備內(nèi)存。 該內(nèi)存是針對移動設(shè)備而設(shè)計的，因為移動設(shè)備要求更高、更快
2023-08-21 17:16:445949 近日，SK海力士宣布其LPDDR5T移動DRAM在聯(lián)發(fā)科下一代的天璣旗艦移動平臺上已成功驗證，實現(xiàn)了高達9.6Gbps的傳輸速率。 其實，早在今年2月SK海力士就向聯(lián)發(fā)科提供了LPDDR5T樣品進行
2023-08-12 14:23:101303 
LPDDR2 DMC是一款符合高級微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備，由ARM開發(fā)、測試和許可。
LPDDR2 DMC是一款高性能、區(qū)域優(yōu)化的LPDDR和LPDDR2 SDRAM內(nèi)存控制器，與AMBA AXI協(xié)議兼容。
2023-08-02 18:41:16
1. 傳三星3 納米工藝平臺第三款產(chǎn)品投片 ? 外媒報道，盡管受NAND和DRAM市場拖累，三星電子業(yè)績暴跌，但該公司已開始生產(chǎn)其第三個3nm芯片設(shè)計，產(chǎn)量穩(wěn)定。根據(jù)該公司二季度報告，當(dāng)季三星
2023-07-31 10:56:44480 一篇拆解報告，稱比特微電子的Whatsminer M56S++礦機所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工藝。這一發(fā)現(xiàn)證實了三星3nm GAA技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-07-21 16:03:571012 三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開始。
2023-07-20 11:20:001124 
大約一年前，三星正式開始采用其 SF3E（3nm 級、早期全柵）工藝技術(shù)大批量生產(chǎn)芯片，但沒有無晶圓廠芯片設(shè)計商證實其產(chǎn)品使用了該節(jié)點。
2023-07-19 17:13:331010 目前三星在4nm工藝方面的良率為75%，稍低于臺積電的80%。然而，通過加強對3nm技術(shù)的發(fā)展，三星有望在未來趕超臺積電。
2023-07-19 16:37:423176 Mobile DRAM方面，由于上半年智能手機需求疲弱，盡管傳統(tǒng)旺季有望帶動Mobile DRAM需求，加上原廠同時進行減產(chǎn)，但對于快速降低原廠庫存的助益仍相當(dāng)有限。
2023-07-06 11:39:44170 
外媒在報道中提到，根據(jù)公布的計劃，三星電子將在2025年開始，采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動設(shè)備應(yīng)用所需的芯片，2026年開始量產(chǎn)高性能計算設(shè)備的芯片，2027年則是利用2nm制程工藝開始量產(chǎn)汽車所需的芯片。
2023-06-30 16:55:07458 。 LPDDR也分為MDDR、LPDDR2、LPDDR3、LPDDR4、LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X，和DDR一樣，數(shù)據(jù)處理速度和節(jié)能性隨著代數(shù)的增加而提高。 LPDDR2 第二代低功耗內(nèi)存技術(shù) LPDDR2 的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范于
2023-06-22 08:40:021807 
15基本型產(chǎn)品的LTPS OLED供應(yīng)，預(yù)計三星顯示的數(shù)量將擴大。三星Display最近開始批量生產(chǎn)iPhone用面板。
2023-06-15 15:55:22603 具MSCALE_DDR_Tool.exe，測試正常，如下
將生成的lpddr4_timing.c編譯進入uboot，下載到基板，啟動后ddr頻率不變，還是2g，如下
2023-06-02 07:26:51
、12V、15V、20V、28V
? 集成三星 AFC 快充協(xié)議
?支持 PD 協(xié)議:5V、9V、12V、15V、20V
? 集成三星 AFC 快充協(xié)議
?支持 QC 協(xié)議:5V、9V、12V、20
2023-06-01 22:14:22
供應(yīng)SC2002A芯片替代料XPD720 pps快充協(xié)議芯片支持三星 AFC 協(xié)議，提供XPD720關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-06-01 10:10:41
3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法現(xiàn)在已廣為人知，因此只要不使用任何新材料，使用此工藝的 DRAM 應(yīng)該能夠快速量產(chǎn)。
2023-05-31 11:41:58358 供應(yīng)XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-30 14:24:29
供應(yīng)XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級代理富滿，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:37:36
供應(yīng)XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:13:51
供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 10:09:46
、時序和可編程參數(shù)。DFI 適用于所有 DRAM 協(xié)議，包括 DDR4、DDR3、DDR2、DDR、LPDDR4、LPDDR3、LPDDR2 和 LPDDR。
2023-05-26 15:27:314567 
DRAM 存儲器是任何計算設(shè)備的“心臟”，例如智能手機、筆記本電腦、服務(wù)器等。LPDDR4 主要用于提高智能手機、平板電腦和超薄筆記本電腦等移動計算設(shè)備的內(nèi)存速度和效率。它支持高達 4267Mbps
2023-05-26 14:34:073489 
基于先進CXL 2.0的128GB CXL DRAM將于今年量產(chǎn)，加速下一代存儲器解決方案的商用化
2023-05-15 17:02:10179 /LVDDR2-800、LPDDR2-800或DDR3-800 DRAM存儲器。
適用于：平板、智能設(shè)備、互聯(lián)網(wǎng)桌面設(shè)備、互聯(lián)網(wǎng)顯示器
高端移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備（MID）、PMP、導(dǎo)航設(shè)備PND。
溫度范圍：-20 to +85
2023-05-11 11:04:19
季度里，來自中國市場的營收將大幅增長。
【三星4nm良率接近臺積電，開始提供MPW服務(wù)】
韓國業(yè)界指出，近期三星4nm良率大幅改善，與臺積電4nm良率推估為80%左右相比，三星良率已從先前推估的60
2023-05-10 10:54:09
1) 需要 11x11 IMX93 封裝的 LPDDR4 線路（或全部）的傳播延遲值。在項目中使用 Altium。在我們準(zhǔn)備調(diào)整 LPDDR4 跡線時需要。在 IBIS 模型中沒有看到這一點。
2
2023-05-09 10:36:32
供應(yīng)XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以內(nèi)多口互聯(lián)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-26 10:22:36
i.mx8m 加支持 lpddr4 和 lpddr4x
2023-04-21 06:11:49
IC LPDDR2-PCM/LPDDR2 1.5G
2023-04-04 20:37:47
IC LPDDR2-PCM/LPDDR2 1.5G
2023-04-04 20:37:47
CORTEX-A5 MPU 2GBIT LPDDR2 BGA I
2023-03-28 21:02:16
IC LPDDR2 1.2V DIE-COM
2023-03-23 13:08:44
512MB LPDDR2 X32 400MHZ
2023-03-23 07:46:20
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