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電子發(fā)燒友網>新品快訊>飛兆半導體推出型號為FDB9403的40V PowerTrench MOSFET

飛兆半導體推出型號為FDB9403的40V PowerTrench MOSFET

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2023-07-03 16:11:12677

英飛凌推出新一代面向汽車應用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302

有關氮化鎵半導體的常見錯誤觀念

氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術,可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么,為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解?事實又是怎樣的呢? 關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47

突破氮化鎵功率半導體的速度限制

突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49

半橋GaN功率半導體應用設計

升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21

GaNFast功率半導體建模資料

GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27

優(yōu)恩半導體源頭廠家供應40D系列MOV壓敏電阻

優(yōu)恩半導體40D系列徑向導聯(lián)壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值,為低直流電壓應用提供了理想的電路保護解決方案。極限 峰值浪涌電流額定值可達30ka (8/20 μs脈沖),以防止包括間接雷擊干擾
2023-06-14 10:39:23

CMS32M65xx系列MCU中微半導體電機控制產品

電機控制領域。CMS32M65xx系列MCU是中微半導體推出的基于ARM-Cortex M0+內核的高端電機控制專用芯片。主頻高達64MHz;工作電壓1.8V至5.5V;提供64KB Flash
2023-06-09 09:11:16

CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET:高速開關和改進的dv/it能力

摘要:CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET,采用SGT IV MOSFET技術。它具有快速開關和改進的dv/it能力,適用于MB/VGA、POL應用和DC-DC轉換器等領域。本文將介紹CMS4070M的特點、應用領域以及關鍵性能參數(shù)。
2023-06-08 14:28:28663

安世半導體宣布推出最低導通阻抗,且優(yōu)化關鍵性能的LFPAK56和LFPAK33封裝MOSFET

蘭奈梅亨--(美國商業(yè)資訊)--Nexperia(安世半導體),分立器件、邏輯器件和 MOSFET 器件的全球領導者,今日宣布其已采用 Trench 11 技術實現(xiàn)具有史上最低導通阻抗
2023-06-08 13:57:21441

英飛凌推出面向汽車應用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列,改進導通電阻、提升開關效率和設計魯棒性

【 2023 年 5 月 12 日,德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026

半導體企業(yè)如何決勝2023秋招?

根據(jù)中國集成電路產業(yè)人才白皮書數(shù)據(jù)來看,目前行業(yè)內從業(yè)人員僅46w左右,人才缺口仍有30w之 巨 。在國內半導體行業(yè)快速發(fā)展的當下,定位、搶奪優(yōu)質人才是企業(yè)未來長期發(fā)展的基石。 那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23

Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產品組合

Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產品組合 基礎半導體器件領域的專家 Nexperia(安世半導體推出了用于自動化安全氣囊應用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372

2023年中國半導體分立器件銷售將達到4,428億元?

MOSFET 等類型;從技術發(fā)展趨勢看,采用制程復雜芯片工藝以及采用氮化鎵等新型材料和與之相匹配的封裝工藝制造具有優(yōu)異性能參數(shù)產品是場效應管生產廠商不斷追蹤的熱點。 廣東友臺半導體有限公司(簡稱
2023-05-26 14:24:29

意法半導體發(fā)布100V工業(yè)級STripFET F8晶體管,優(yōu)值系數(shù)提高 40%

? 2023 年 5 月 24 日,中國 —— 意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on),優(yōu)值系數(shù) (FoM
2023-05-26 14:11:20701

意法半導體發(fā)布100V工業(yè)級STripFET F8晶體管,優(yōu)值系數(shù)提高40%

中國—— 意法半導體的STL120N10F8N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on),優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類產品提高40%。
2023-05-25 10:08:23330

新微半導體40V增強型氮化鎵功率器件工藝平臺成功量產

新微半導體40V氮化鎵功率器件工藝平臺擁有較大的工藝窗口,并具有良好的一致性和穩(wěn)定性的工藝保障。其采用的無金工藝,RC<0.4 Ω·mm;柵極采用自對準工藝,使得柵極形貌良好,且最小線寬低至0.5μm。
2023-05-24 16:24:051698

RJF0411JPD 數(shù)據(jù)表(40V, 34A SiliconNChannel Thermal FET Power Switching)

RJF0411JPD 數(shù)據(jù)表 (40V, 34A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-05-15 18:56:480

RJF0409JSP 數(shù)據(jù)表(40V, 5A SiliconNChannel Thermal FET Power Switching)

RJF0409JSP 數(shù)據(jù)表 (40V, 5A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-05-15 18:37:400

RJF0408JPD 數(shù)據(jù)表(40V, 30A SiliconNChannel Thermal FET Power Switching)

RJF0408JPD 數(shù)據(jù)表 (40V, 30A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-05-15 18:37:280

試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導體的是負的?

試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導體的是負的?
2023-04-23 11:27:04

國內功率半導體需求將持續(xù)快速增長,歡迎廣大客戶通過華秋商城購買晶導微系列產品

制造產業(yè)的轉移、下游行業(yè)需求的拉動以及國家推出的支持政策,半導體分立器件行業(yè)已經進入快速發(fā)展通道。目前,我國已經成為全球重要的半導體分立器件制造基地和全球最大的半導體分立器件市場,根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會
2023-04-14 16:00:28

國內功率半導體需求將持續(xù)快速增長

制造產業(yè)的轉移、下游行業(yè)需求的拉動以及國家推出的支持政策,半導體分立器件行業(yè)已經進入快速發(fā)展通道。目前,我國已經成為全球重要的半導體分立器件制造基地和全球最大的半導體分立器件市場,根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會
2023-04-14 13:46:39

寶礫微 PL1303N04 QFN6*6-40L 40V/25.0A N溝道功率MOSFET

應用: DC-DC轉換 SMPS中的同步整流 硬開關和高速電路 電動工具 電機控制 概述: PL1303N04是寶礫微推出的4開關N溝道功率MOSFET,采用QFN6*6-40L封裝。產品具有較強
2023-04-11 14:47:50513

實現(xiàn)創(chuàng)新升級替代,先楫半導體助力中國MCU “快道超車”

創(chuàng)新、自主可控,推出HPM6000高性能RISC-V MCU產品系列,助力推動國產創(chuàng)新型替代進程。國潮崛起,先楫半導體邀您一起共同邁向高性能 “芯” 時代。
2023-04-10 18:39:28

5057-9403

5057-9403
2023-03-29 21:49:46

FDBL9403_F085

MOSFET N-CH 40V 240A PSOF8
2023-03-28 22:35:09

FDB024N04AL7

MOSFET N-CH 40V D2PAK-7
2023-03-28 22:35:06

FDB9403L_F085

MOSFET N-CH 40V 110A
2023-03-28 22:34:51

FDB9403_F085

MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
2023-03-28 22:34:51

FDB9403-F085

MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
2023-03-27 14:31:11

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