硅光電池的種類
硅光電池是一種直接把光能轉(zhuǎn)換成電能的半導(dǎo)體器件。它的結(jié)構(gòu)很簡單，核心部分是一個大面積的PN結(jié)，把一只透明玻璃外殼的點(diǎn)接觸型二極管與一塊微安表接成閉合回路，當(dāng)二極管的管芯(PN結(jié))受到光照時，你就會看到微安表的表針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，顯示出回路里有電流，這個現(xiàn)象稱為光生伏特效應(yīng)。硅光電池的PN結(jié)面積要比二極管的PN結(jié)大得多，所以受到光照時產(chǎn)生的電動勢和電流也大得多。
光伏技術(shù)、產(chǎn)業(yè)及市場 簡述 摘自中國電子報
光伏技術(shù)可直接將太陽的光能轉(zhuǎn)換為電能，用此技術(shù)制作的光電池使用方便，特別是近年來微小型半導(dǎo)體逆變器迅速發(fā)展，促使其應(yīng)用更加快捷。美、日、歐和發(fā)展中國家都制定出龐大的光伏技術(shù)發(fā)展計劃，開發(fā)方向是大幅度提高光電池轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性，降低成本，不斷擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)。目前已有80多個國家和地區(qū)形成商業(yè)化、半商業(yè)化生產(chǎn)能力，年均增長達(dá)16％，市場開拓從空間轉(zhuǎn)向地面系統(tǒng)應(yīng)用，甚至用于驅(qū)動交通工具。據(jù)報道，全球發(fā)展、建造太陽能住宅（光電池 作屋頂、外墻、窗戶等建材用）投資規(guī)模為600億美元，而到2005年還會再翻一倍達(dá)1200億美元，光伏技術(shù)制作的光電池有望成為21世紀(jì)的新能源。以下按其材料分類，展示光伏技術(shù)、產(chǎn)業(yè)及市場發(fā)展動向。
晶體硅光電池
晶體硅光電池有單晶硅與多晶硅兩大類，用P型（或n型）硅襯底，通過磷（或硼）擴(kuò)散形成Pn結(jié)而制作成的，生產(chǎn)技術(shù)成熟，是光伏市場上的主導(dǎo)產(chǎn)品。采用埋層電極、表面鈍化、強(qiáng)化陷 光、密柵工藝、優(yōu)化背電極及接觸電極等技術(shù)，提高材料中的載流子收集效率，優(yōu)化抗反射膜、 凹凸表面、高反射背電極等方式，光電轉(zhuǎn)換效率有較大提高。單晶硅光電池面積有限，目前比較大的為Φ10至20cm的圓片，年產(chǎn)能力46MW／a。目前主要課題是繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)規(guī)模，開發(fā)帶狀硅光電池技術(shù)，提高材料利用率。國際公認(rèn)最高效率在AM1.5條件下為24％，空間用高質(zhì)量的效率在AM0條件約為13.5?18％，地面用大量生產(chǎn)的在AM1條件下多在11?18％之間。以定向凝固法生長的鑄造多晶硅錠代替單晶硅，可降低成本，但效率較低。優(yōu)化正背電極的銀漿和鋁漿絲網(wǎng)印刷，切磨拋工藝，千方百計進(jìn)一步降成本，提高效率，大晶粒多晶硅光電池的轉(zhuǎn)換效率最高達(dá)18.6％。
非晶硅光電池
a-Si（非晶硅）光電池一般采用高頻輝光放電方法使硅烷氣體分解沉積而成的。由于分解沉積溫度低，可在玻璃、不銹鋼板、陶瓷板、柔性塑料片上沉積約1μm厚的薄膜，易于大面積化 （0.5m×1.0m），成本較低，多采用p in結(jié)構(gòu)。為提高效率和改善穩(wěn)定性，有時還制成三層p in 等多層疊層式結(jié)構(gòu)，或是插入一些過渡層。其商品化產(chǎn)量連續(xù)增長，年產(chǎn)能力45MW／a，10MW生產(chǎn)線已投入生產(chǎn)，全球市場用量每月在1千萬片左右，居薄膜電池首位。發(fā)展集成型a-Si光電池組 件，激光切割的使用有效面積達(dá)90％以上，小面積轉(zhuǎn)換效率提高到14.6％，大面積大量生產(chǎn)的為8-10％，疊層結(jié)構(gòu)的最高效率為21％。研發(fā)動向是改善薄膜特性，精確設(shè)計光電池結(jié)構(gòu)和控制各層厚度，改善各層之間界面狀態(tài)，以求得高效率和高穩(wěn)定性。
多晶硅光電池
p-Si（多晶硅，包括微晶）光電池沒有光致衰退效應(yīng)，材料質(zhì)量有所下降時也不會導(dǎo)致光電池受影響，是國際上正掀起的前沿性研究熱點(diǎn)。在單晶硅襯底上用液相外延制備的p-Si光電池轉(zhuǎn) 換效率為15.3％，經(jīng)減薄襯底，加強(qiáng)陷光等加工，可提高到23.7％，用CVD法制備的轉(zhuǎn)換效率約為 12.6-17.3％。采用廉價襯底的p-Si薄膜生長方法有PECVD和熱絲法，或?qū)-Si：H材料膜進(jìn)行后退火，達(dá)到低溫固相晶化，可分別制出效率9.8％和9.2％的無退化電池。微晶硅薄膜生長與a-Si工藝相容，光電性能和穩(wěn)定性很高，研究受到很大重視，但效率僅為7.7％。大面積低溫p-Si膜與-Si組成疊層電池結(jié)構(gòu)，是提高a-S光電池穩(wěn)定性和轉(zhuǎn)換效率的重要途徑，可更充分利用太陽光譜，理論計算表明其效率可在28％以上，將使硅基薄膜光電池性能產(chǎn)生突破性進(jìn)展。銅銦硒光電池
CIS（銅銦硒）薄膜光電池已成為國際光伏界研究開發(fā)的熱門課題，它具有轉(zhuǎn)換效率高（已達(dá)到17.7％），性能穩(wěn)定，制造成本低的特點(diǎn)。CIS光電池一般是在玻璃或其它廉價襯底上分別沉積多層膜而構(gòu)成的，厚度可做到2?3μm，吸收層CIS膜對電池性能起著決定性作用。現(xiàn)已開發(fā)出反應(yīng)共蒸法和硒化法（濺射、蒸發(fā)、電沉積等）兩大類多種制備方法，其它外層通常采用真空蒸發(fā)或 濺射成膜。阻礙其發(fā)展的原因是工藝重復(fù)性差，高效電池成品率低，材料組分較復(fù)雜，缺乏控制薄膜生長的分析儀器。CIS光電池正受到產(chǎn)業(yè)界重視，一些知名公司意識到它在未來能源市場中的前景和所處地位，積極擴(kuò)大開發(fā)規(guī)模，著手組建中試線及制造廠。
碲化鎘光電池
CdTe（碲化鎘）也很適合制作薄膜光電池，其理論轉(zhuǎn)換效率達(dá)30％，是非常理想的光伏材料。可采用升華法、電沉積、噴涂、絲網(wǎng)印刷等10種較簡便的加工技術(shù)，在低襯底溫度下制造出效率12％以上的CdTe光電池，小面積CdTe光電池的國際先進(jìn)水平光電轉(zhuǎn)換率為15.8％，一些公司正深入研究與產(chǎn)業(yè)化中試，優(yōu)化薄膜制備工藝，提高組件穩(wěn)定性，防范Cd對環(huán)境污染和操作者的健康危害。
砷化鎵光電池
GaAs（砷化鎵）光電池大多采用液相外延法或MOCVD技術(shù)制備。用GaAs作襯底的光電池效率高 達(dá)29.5％（一般在19.5％左右），產(chǎn)品耐高溫和輻射，但生產(chǎn)成本高，產(chǎn)量受限，目前主要作空間電源用。以硅片作襯底，用MOCVD技術(shù)異質(zhì)外延方法制造GaAs電池是降低成本很有希望的方法。
其它材料光電池
InP（磷化銦）光電池的抗輻射性能特別好，效率達(dá)17?19％，多用于空間方面。采用SiGe單晶襯底，研制出在AM0條件下效率大于20％的GaAs／Si異質(zhì)結(jié)外延光電池，最高效率23.3％。Si／ Ge／GaAs結(jié)構(gòu)的異質(zhì)外延光電池在不斷開發(fā)中，控制各層厚度，適當(dāng)變化結(jié)構(gòu)，可使太陽光中各 種波長的光子能量都得到有效利用，GaAs基多層結(jié)構(gòu)光電池效率已接近40％。