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2.3 缺陷的分布規(guī)律
在實驗中拍攝到下面一組圖片
在硅片的邊緣觀察到了大量的缺陷，如圖8，在硅片的中心則觀察到少量的缺陷，如圖9，這反應出了單晶硅缺陷分布的規(guī)律，即：中心缺陷的尺寸大，密度少;邊緣缺陷的尺寸小，密度大。
3 結論
應用化學腐蝕硅片然后在金相顯微鏡下觀察，可以對硅片的缺陷做有效的觀察。為了得到清晰的圖象，選擇金相放大400倍最為合適。而化學腐蝕劑的選擇應該根據不同的半導體材料及其晶體學屬性而定，其中Dash試劑對硅片各向都有良好的腐蝕效果，在簡單實驗條件下對位錯仍然有良好的腐蝕放大效果。在實驗過程中我們用常規(guī)的化學腐蝕法，顯示了單晶硅中的各種典型缺陷，驗證了缺陷對雜質的吸收作用，還發(fā)現(xiàn)了缺陷分布的規(guī)律性，即：中心缺陷的尺寸大，密度少;邊緣缺陷的尺寸小，密度大。