怎樣識(shí)別電容容量標(biāo)示？
電容的容量標(biāo)識(shí)的幾種方法：
1、直接標(biāo)識(shí)：如上圖的電解電容，容量47uf，電容耐壓25v。
2、使用單位nf：如上圖的滌綸電容，標(biāo)稱(chēng)4n7，即4.7nf，轉(zhuǎn)換為pf即為4700pf。還有的例如：10n，即0.01uf；33n，即0.033uf。后面的63是指電容耐壓63v.
3、數(shù)學(xué)計(jì)數(shù)法：如上圖瓷介電容，標(biāo)值104，容量就是：10X10000pf=0.1uf.如果標(biāo)值473，即為47X1000pf=0.047uf。（后面的4、3，都表示10的多少次方）。又如：332=33X100pf= 3300pf。電容的使用，都應(yīng)該在指定的耐壓下工作?，F(xiàn)在的好多質(zhì)量不高的產(chǎn)品，就因?yàn)槭褂昧四蛪翰蛔愕碾娙荻鸸收希ǔＲ?jiàn) 電容爆裂）。
在電解電容中，鉭電容和鋁電容的區(qū)別和優(yōu)勢(shì)都是什么？
同為電解電容，鉭電容比鋁電容好在哪？
● 鉭電容其實(shí)也屬于電解電容范疇
鉭電解電容的體積很小，都使用貼片式安裝，其外殼一般用樹(shù)脂封裝，但它的容量并不小，很多型號(hào)的容量和電壓都能夠接近于傳統(tǒng)的直立鋁電解電容。但要注意的是，鉭電容的陽(yáng)極是鉭，陰極也是電解質(zhì)，因此鉭電容也屬于很多人所瞧不起的“電解電容”，關(guān)鍵是電解電容這個(gè)分類(lèi)太大了！
鉭電容的介質(zhì)為陽(yáng)極氧化后生成的五氧化二鉭，它的介電能力（ε）比鋁電容的三氧化二鋁介質(zhì)要高。因此在同樣容量的情況下，鉭電容的體積能比鋁電容做得更小。再加上鉭的性質(zhì)比較穩(wěn)定，所以通常認(rèn)為鉭電容性能比鋁電容好。
● 鉭聚合物電容比鋁聚合物電容擁有更完美的電氣性能：
通常衡量電容的性能，大家都知道大容量、耐高壓、低ESR（等效串聯(lián)電阻）這幾項(xiàng)參數(shù)，其實(shí)除此之外還有一些鮮為人知的關(guān)鍵參數(shù)，對(duì)于電容的穩(wěn)定性影響很大。
漏電流少：同樣陰極是聚合物（PEDTPPY等）鉭聚合物電容的漏電流只有鋁聚合物電容的幾分之一左右，以著名的三洋OSCON的SVP產(chǎn)品為例，其4V 33UF的4SVP33M漏電流（LC）為66UA而同規(guī)格鉭聚合物電容一般僅為12UA左右，這代表顯卡如果用鉭聚合物電容濾波會(huì)更干凈，漏電流導(dǎo)致的脈沖會(huì)小。
損耗角?。哼€是拿4SVP33M為例，其損耗角是0.15，而同規(guī)格鉭聚合物電容的DF（損耗角）則為0.08。0.15與0.08間差了0.10、0.12兩個(gè)數(shù)量級(jí)，損耗角小表示電容發(fā)熱會(huì)小很多，有利于提高電容壽命和增加顯卡穩(wěn)定性。
失效率低：失效率就是每工作一定時(shí)間電容可能會(huì)失效一次，注意是失效一次，而不是從此出故障了需要修理才能繼續(xù)或直接壞掉。鉭聚合物電容由于都是樹(shù)脂封裝，外加多層銀和石墨陰極鍍層和鉭導(dǎo)線(xiàn)所以電容失效率遠(yuǎn)小于容易進(jìn)入濕氣和被腐蝕的鋁聚合物電容，在美軍的一次試驗(yàn)中AVX和KEMET的鉭聚合物電容在模擬運(yùn)行了1000000小時(shí)中才出現(xiàn)一次失效，也就是說(shuō)你想碰到一次鉭聚合物電容失效要等110多年，所以山姆的關(guān)鍵性電子設(shè)備都采用它是有道理的。
ESR極低，且不會(huì)爆炸，可以說(shuō)其是顯卡上性能最好的電解電容。
● 鉭電容比鋁電容擁有更佳的物理性能：
除了更出色電氣性能和穩(wěn)定性之外，鉭電容優(yōu)秀的物理性能（體積小、容量相對(duì)較大）使得它的適用面比鋁電容更加廣闊，主要表現(xiàn)在：
高端顯卡/CPU供電模塊集成度很高，可能無(wú)法安裝更多的直立鋁電容；
主板/顯卡的PCB背面不可能安裝直立鋁電容；
當(dāng)顯卡/CPU需要安裝厚重散熱器時(shí)，煙囪式的直立鋁電容顯然不行。
正因?yàn)槿绱?，近年?lái)很多高端顯卡和高端主板開(kāi)始使用鉭電容作為供電模塊的濾波電容（大多為鉭電容+鋁電容的組合），但非公版因?yàn)榉N種原因（設(shè)計(jì)、成本、采購(gòu)等）不敢輕易使用。