肖特基二極管（SBD）是一種低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流電流卻可達(dá)到幾千安培。肖特基二極管多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。常用在彩電的二次電源整流，高頻電源整流中。??
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
肖特基二極管（Schottky Barrier Diode） ，它是具有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除鎢材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵，多為型半導(dǎo)體。
肖特基二極管的作用是單相導(dǎo)電特性的，利用金屬與半導(dǎo)體接觸所形成的勢(shì)壘對(duì)電流進(jìn)行控制。這也就是我們常常說的肖特基二極管的作用原理。
肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的多屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度表面逐漸降輕工業(yè)部，表面電中性被破壞，于是就形成勢(shì)壘，其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A。但在該電場(chǎng)作用之下，A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場(chǎng)。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢(shì)壘。?
基本原理是：在金屬和N型硅片的接觸面上，用金屬與半導(dǎo)體接觸所形成的勢(shì)壘對(duì)電流進(jìn)行控制。肖特基與PN結(jié)的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右，大多不高于60V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。其特長(zhǎng)是：開關(guān)速度非?？欤悍聪蚧謴?fù)時(shí)間特別地短。因此，能制作開關(guān)二極和低壓大電流整流二極管。
肖特基二極管伏安特性
1.正向特性
肖特基二極管兩端加正向電壓時(shí)，就產(chǎn)生正向電流，當(dāng)正向電壓較小時(shí)，正向電流極小（幾乎為零），這一部分稱為死區(qū)，相應(yīng)的A（A′）點(diǎn)的電壓稱為死區(qū)電壓或門檻電壓（也稱閾值電壓），硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V，如圖中OA（OA′）段。
當(dāng)正向電壓超過門檻電壓時(shí)，正向電流就會(huì)急劇地增大，肖特基二極管呈現(xiàn)很小電阻而處于導(dǎo)通狀態(tài)。這時(shí)硅管的正向?qū)▔航导s為0.6~0.7V，鍺管約為0.2~0.3V，如圖中AB（A′B′）段。
肖特基二極管正向?qū)〞r(shí)，要特別注意它的正向電流不能超過值，否則將燒壞PN結(jié)。
2.反向特性
肖特基二極管兩端加上反向電壓時(shí)，在開始很大范圍內(nèi)，肖特基二極管相當(dāng)于非常大的電阻，反向電流很小，且不隨反向電壓而變化。此時(shí)的電流稱之為反向飽和電流IR，見圖中OC（OC′）段。
3.反向擊穿特性
肖特基二極管反向電壓加到一定數(shù)值時(shí)，反向電流急劇增大，這種現(xiàn)象稱為反向擊穿。此時(shí)對(duì)應(yīng)的電壓稱為反向擊穿電壓，用UBR表示，如圖1.11中CD（C′D′）段。
4.溫度對(duì)特性的影響
由于肖特基二極管的核心是一個(gè)PN結(jié)，它的導(dǎo)電性能與溫度有關(guān)，溫度升高時(shí)肖特基二極管正向特性曲線向左移動(dòng)，正向壓降減小;反向特性曲線向下移動(dòng)，反向電流增大。