4.1方法之一
在通用型光耦合器中，接收器是一只硅光電半導體管，因此在B-E之間只有一個硅PN結。達林頓型不然，它由復合管構成，兩個硅PN結串聯(lián)成復合管的發(fā)射結。根據(jù)上述差別，很容易將通用型與達林頓型光耦合器區(qū)分開來。具體方法是，將萬用表撥至R×100檔，黑表筆接B極，紅表筆接E極，采用讀取電壓法求出發(fā)射結正向電壓VBE。若VBE=0.55～0.7V，就是達林頓型光耦合器。
實例：用500型萬用表的R×100檔分別測量4N35、4N30型光耦合器的VBE，測量數(shù)據(jù)及結論一并列入表2中。
? 表2測試結果
????????????????? 型號 RBE（Ω） n`（格） VBE（V） 計算公式 測試結論
????????????????? 4N35 850 23 0.69 VBE=0.03n（V） 通用型
????????????????? 4N30 4.3k 40.5 1.215 VBE=0.03n`（V） 達林頓型
4.2方法之二
通用型與達林頓型光耦合器的主要區(qū)別是接收管的電流放大系數(shù)不同。前者的hFE為幾十倍至幾百倍，后者可達數(shù)千倍，二者相差1～2個數(shù)量級。因此，只要準確測量出hFE值，即可區(qū)分。在測量時應注意事項：
（1）因為達林頓型光耦合器的hFE值很高，所以表針兩次偏轉格數(shù)非常接近。準確讀出n1、n2的格數(shù)是本方法關鍵所在，否則將引起較大的誤差。此外，歐姆零點亦應事先調準。
（2）若4N30中的發(fā)射管損壞，但接收管未發(fā)現(xiàn)故障，則可代替超β管使用。同理，倘若4N35中的接收管完好無損，也可作普通硅NPN晶體管使用，實現(xiàn)廢物利用。
（3）對于無基極引線的通用型及達林頓型光耦合器，本方法不再適用。建議采用測電流傳輸比CTR的方法加以區(qū)分。
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