第一種:
可以使用如下公式估算：
Ig=Qg/Ton
其中：
Ton=t3-t0≈td(on)+tr
td(on)：MOS導(dǎo)通延遲時(shí)間，從有駛?cè)腚妷荷仙?0%開始到VDS下降到其幅值90%的時(shí)間。
Tr：上升時(shí)間。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時(shí)間
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到）?
第二種：（第一種的變形）
密勒效應(yīng)時(shí)間（開關(guān)時(shí)間）Ton/off=Qgd/Ig；
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；
Ig：MOS柵極驅(qū)動(dòng)電流；Vb：穩(wěn)態(tài)柵極驅(qū)動(dòng)電壓；?
第三種：
以IR的IRF640為例，看DATASHEET里有條Total Gate Charge曲線。該曲線先上升然后幾乎水平再上升。水平那段是管子開通（密勒效應(yīng)）假定你希望在0.2us內(nèi)使管子開通，估計(jì)總時(shí)間（先上升然后水平再上升）為0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：67nC/0.4us=0.1675A，當(dāng)然，這是峰值，僅在管子開通和關(guān)短的各0.2us里有電流，其他時(shí)間幾乎沒(méi)有電流，平均值很小，但如果驅(qū)動(dòng)芯片不能輸出這個(gè)峰值，管子的開通就會(huì)變慢。
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