可控硅中頻電源在我國誕生于70年代，可控硅靜止變頻與旋轉(zhuǎn)式機組變頻相比，具有很多優(yōu)點，因此，近三十年來可控硅中頻電源在相當(dāng)大的感應(yīng)加熱應(yīng)用領(lǐng)域里代替了中頻發(fā)電機組。占有不可抗拒的推陳出新的地位。傳統(tǒng)的可控硅中頻電源，其主要電路如圖1所示。
多年來我們以圖1為基礎(chǔ)，圍繞高效、可靠、操作方便為目標(biāo)，做了大量實驗研究工作，諸如控制電路全集成化、零點壓啟動、微機控制代替集成系統(tǒng)等，使得以交流——支流——交流，并聯(lián)逆變電路為框架的可控硅（晶閘管）中頻電源具有一定特色。產(chǎn)品遍及全國各地，數(shù)量上也達到相當(dāng)大的規(guī)模，很受用戶歡迎。
但多年實踐，這種產(chǎn)品仍有一些復(fù)雜的問題圍繞著我們。多為并聯(lián)逆變電路的固有特征所造成的：
1、并聯(lián)逆變電路流過感應(yīng)器中的電流IL是有功電流La的Q倍。對于中頻熔煉爐的Q=10——13，IL在感應(yīng)器電阻r中產(chǎn)生的電損耗IL2r一般達到有功功率的30%左右。也就是說感應(yīng)爐的電效率只能有70%左右，難以提高。
2、并聯(lián)逆變器輸出功率特征，由于負(fù)載參數(shù)變化的原因，必然出現(xiàn)功率凹角，且不可控制，使設(shè)備不能在全過程輸出額定功率，降低了運行效率，增加了能源損耗。
3、并聯(lián)逆變電路是強迫換向，且依賴于負(fù)載電壓，加之不論是全集成化系統(tǒng)還是微機控制系統(tǒng)都是采用負(fù)載電壓對每個半波進行步控制，在啟動時或在通常運行時，都可能由于控制差異而出現(xiàn)換向失敗，造成直通或者故障。
4、并聯(lián)逆變電路要求恒流源輸入，要求三相全控調(diào)壓、平波電抗器的數(shù)值不能太大等。這樣使三相輸入電流變成方波，從而分解出三次及高次諧波，如圖2；使三相輸入線電壓出現(xiàn)整流換向缺口，使中頻電壓Ucp至少有百分之幾進入電抗器Ld前端，如圖4。這些干擾都反饋到電網(wǎng)中去，給電網(wǎng)造成公害。
5、由于調(diào)節(jié)功率是通過三相全控整流電路的移相調(diào)壓來實現(xiàn)，從而造成電網(wǎng)功率因數(shù)差，一般只能在0.8左右。
6、并聯(lián)逆變電路的啟動，在國家標(biāo)準(zhǔn)中是重點考核的技術(shù)指標(biāo)，不論各制造廠家解決這個問題的深度如何，總說明，并聯(lián)逆變電路的啟動是一個問題存在，或啟動較難，或因啟動故障而影響正常的生產(chǎn)。
