基于MEMS的LED芯片封裝主要包括兩個(gè)大的部分,第一個(gè)部分是加工帶有反射腔的硅基體;第二部分是LED芯片的貼片、引線等通用工藝。由于該封裝結(jié)構(gòu)的第二個(gè)部分和標(biāo)準(zhǔn)的LED封裝工藝相同,因此本文卡要詳細(xì)的介紹第一部分的主要工藝流程(如圖7)。
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首先準(zhǔn)備一片具有(100)晶向的硅片(a);通過(guò)熱氧化在硅的表面形成層二氧化硅;光刻二氧化硅,形成需要的開(kāi)口尺寸和形狀(b);用KOH腐蝕硅基體形成需要的凹槽,通過(guò)腐蝕液的濃度和腐蝕時(shí)間控制槽的深度(c):除占表面殘余的二氧化硅;對(duì)硅基進(jìn)行背碰腐蝕,生成通孔(d);利用電鍍的方法在通孔內(nèi)沉積金屬導(dǎo)電材料(e);在硅的表面濺射會(huì)屬層作為反射面,光刻金屬表面和引線區(qū),形成封裝電極(f)。接下來(lái)就可以進(jìn)行LED的貼片等后續(xù)工藝。
3 結(jié)論
仿真結(jié)果顯示反射腔的深度越大,則反射效率越高,腔的開(kāi)口越小,反射效率越高。文章最后給出該封裝結(jié)構(gòu)的工藝流程設(shè)汁。通過(guò)分析表明,基于MEMS工藝LED封裝技術(shù)可以降低器件的封裴尺寸,提高發(fā)光效率。