三極管飽和問(wèn)題總結(jié)：
1.在實(shí)際工作中，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài)，實(shí)際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上，才能達(dá)到真正的飽和;倍數(shù)越大，飽和程度就越深。
2.集電極電阻 越大越容易飽和;
3.飽和區(qū)的現(xiàn)象就是：二個(gè)PN結(jié)均正偏，IC不受IB之控制
問(wèn)題：基極電流達(dá)到多少時(shí)三極管飽和？
解答：這個(gè)值應(yīng)該是不固定的，它和集電極負(fù)載、β值有關(guān)，估算是這樣的：假定負(fù)載電阻是1K，VCC是5V，飽和時(shí)電阻通過(guò)電流最大也就是5mA，用除以該管子的β值（假定β=100）5/100=0.05mA=50μA，那么基極電流大于50μA就可以飽和。
對(duì)于9013、9012而言，飽和時(shí)Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V。下面是9013的特性表：
問(wèn)題：如何判斷飽和？
判斷飽和時(shí)應(yīng)該求出基級(jí)最大飽和電流IBS，然后再根據(jù)實(shí)際的電路求出當(dāng)前的基級(jí)電流，如果當(dāng)前的基級(jí)電流大于基級(jí)最大飽和電流，則可判斷電路此時(shí)處于飽和狀態(tài)。
飽和的條件：1.集電極和電源之間有電阻存在 且越大就越容易管子飽和;2.基集電流比較大以使集電極的電阻把集電極的電源拉得很低，從而出現(xiàn)b較c電壓高的情況。
影響飽和的因素：1.集電極電阻 越大越容易飽和;2.管子的放大倍數(shù) 放大倍數(shù)越大越容易飽和;3.基集電流的大小;
飽和后的現(xiàn)象：1.基極的電壓大于集電極的電壓;2.集電極的電壓為0.3左右，基極為0.7左右（假設(shè)e極接地）
談?wù)擄柡筒荒懿惶嶝?fù)載電阻。假定晶體管集-射極電路的負(fù)載電阻（包括集電極與射極電路中的總電阻）為R，則集-射極電壓Vce=VCC-Ib*hFE*R，隨著Ib的增大，Vce減小，當(dāng)Vce《0.6V時(shí)，B-C結(jié)即進(jìn)入正偏，Ice已經(jīng)很難繼續(xù)增大，就可以認(rèn)為已經(jīng)進(jìn)入飽和狀態(tài)了。當(dāng)然Ib如果繼續(xù)增大，會(huì)使Vce再減小一些，例如降至0.3V甚至更低，就是深度飽和了。以上是對(duì)NPN型硅管而言。
另外一個(gè)應(yīng)該注意的問(wèn)題就是：在Ic增大的時(shí)候，hFE會(huì)減小，所以我們應(yīng)該讓三極管進(jìn)入深度飽和Ib》》Ic（max）/hFE，Ic（max）是指在假定e、c極短路的情況下的Ic極限，當(dāng)然這是以犧牲關(guān)斷速度為代價(jià)的。
注意：飽和時(shí)Vb》Vc，但Vb》Vc不一定飽和。一般判斷飽和的直接依據(jù)還是放大倍數(shù)，有的管子Vb》Vc時(shí)還能保持相當(dāng)高的放大倍數(shù)。例如：有的管子將Ic/Ib《10定義為飽和，Ic/Ib《1應(yīng)該屬于深飽和了。
從晶體管特性曲線看飽和問(wèn)題：我前面說(shuō)過(guò)：談?wù)擄柡筒荒懿惶嶝?fù)載電阻?，F(xiàn)在再作詳細(xì)一點(diǎn)的解釋。
以某晶體管的輸出特性曲線為例。由于原來(lái)的Vce僅畫(huà)到2.0V為止，為了說(shuō)明方便，我向右延伸到了4.0V。
如果電源電壓為V，負(fù)載電阻為R，那么Vce與Ic受以下關(guān)系式的約束：Ic = （V-Vce）/R
在晶體管的輸出特性曲線圖上，上述關(guān)系式是一條斜線，斜率是 -1/R，X軸上的截距是電源電壓V，Y軸上的截距是V/R（也就是前面NE5532第2帖說(shuō)的“Ic（max）是指在假定e、c極短路的情況下的Ic極限”）。這條斜線稱為“靜態(tài)負(fù)載線”（以下簡(jiǎn)稱負(fù)載線）。各個(gè)基極電流Ib值的曲線與負(fù)載線的交點(diǎn)就是該晶體管在不同基極電流下的工作點(diǎn)。見(jiàn)下圖：
圖中假定電源電壓為4V，綠色的斜線是負(fù)載電阻為80歐姆的負(fù)載線，V/R=50MA，圖中標(biāo)出了Ib分別等于0.1、0.2、0.3、0.4、0.6、1.0mA的工作點(diǎn)A、B、C、D、E、F。據(jù)此在右側(cè)作出了Ic與Ib的關(guān)系曲線。根據(jù)這個(gè)曲線，就比較清楚地看出“飽和”的含義了。曲線的綠色段是線性放大區(qū)，Ic隨Ib的增大幾乎成線性地快速上升，可以看出β值約為200。蘭色段開(kāi)始變彎曲，斜率逐漸變小。紅色段就幾乎變成水平了，這就是“飽和”。實(shí)際上，飽和是一個(gè)漸變的過(guò)程，蘭色段也可以認(rèn)為是初始進(jìn)入飽和的區(qū)段。在實(shí)際工作中，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。在圖中就是假想綠色段繼續(xù)向上延伸，與Ic=50MA的水平線相交，交點(diǎn)對(duì)應(yīng)的Ib值就是臨界飽和的Ib值。圖中可見(jiàn)該值約為0.25mA。
由圖可見(jiàn)，根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài)，實(shí)際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上，才能達(dá)到真正的飽和;倍數(shù)越大，飽和程度就越深。
圖中還畫(huà)出了負(fù)載電阻為200歐姆時(shí)的負(fù)載線?？梢钥闯觯瑢?duì)應(yīng)于Ib=0.1mA，負(fù)載電阻為80歐姆時(shí)，晶體管是處于線性放大區(qū)，而負(fù)載電阻200歐姆時(shí)，已經(jīng)接近進(jìn)入飽和區(qū)了。負(fù)載電阻由大到小變化，負(fù)載線以Vce=4.0為圓心呈扇狀向上展開(kāi)。負(fù)載電阻越小，進(jìn)入飽和狀態(tài)所需要的Ib值就越大，飽和狀態(tài)下的C-E壓降也越大。在負(fù)載電阻特別小的電路，例如高頻諧振放大器，集電極負(fù)載是電感線圈，直流電阻接近0，負(fù)載線幾乎成90度向上伸展（如圖中的紅色負(fù)載線）。這樣的電路中，晶體管直到燒毀了也進(jìn)入不了飽和狀態(tài)。以上所說(shuō)的“負(fù)載線”，都是指直流靜態(tài)負(fù)載線;“飽和”都是指直流靜態(tài)飽和。