要開發(fā)傳感器系統(tǒng)，首先必須對(duì)預(yù)期的磁輸入信號(hào)有一個(gè)總體了解。首先要了解編碼器輪和傳感器頭上永磁體的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，以及預(yù)期尺寸和公差。通過 ANSYS 方法進(jìn)行 FEM 仿真可確定磁場(chǎng)。這里就有對(duì)編碼器輪、傳感器元件和磁體進(jìn)行建模的問題(圖 5)。然后便可根據(jù)傳感器元件和編碼器輪之間的距離，確定與之呈函數(shù)關(guān)系的磁場(chǎng)強(qiáng)度。圖 6 是傳感器橋上的磁輸入信號(hào)與距離呈函數(shù)關(guān)系的三維圖示。很容易看出輸入信號(hào)呈正弦曲線，信號(hào)振幅隨距離增加而明顯減小。除了距離之外，位置偏離也會(huì)導(dǎo)致振幅減小。例如，如果傳感器頭不在編碼器輪前面的中心位置，那么信號(hào)振幅也會(huì)減小。根據(jù) FEM仿真方法，這樣也可將機(jī)械規(guī)范轉(zhuǎn)化成預(yù)期磁變量。與氣隙變化不同，傾斜會(huì)導(dǎo)致偏移，這同樣會(huì)影響系統(tǒng)的正常運(yùn)轉(zhuǎn)。FEM 仿真也可以預(yù)估其造成的影響(圖 7)，而且結(jié)果可直接轉(zhuǎn)化為可容許的位置公差。
確定磁場(chǎng)之后是傳感器系統(tǒng)仿真。AMR 元件的電阻變化是各向異性磁阻效應(yīng)的直接結(jié)果。這樣，磁場(chǎng)仿真的結(jié)果會(huì)導(dǎo)致代表信號(hào)處理中輸入信號(hào)的電阻發(fā)生變化。對(duì)模擬前端進(jìn)行建?？刹捎?Simulink。這種行為模型是概念設(shè)計(jì)的產(chǎn)物，標(biāo)志著產(chǎn)品開發(fā)的起點(diǎn)。每個(gè) Simulink 塊對(duì)應(yīng)一個(gè)模擬信號(hào)處理組件，例如放大器或過濾器。但是，尚未考慮模擬組件的控制部分，這由數(shù)字系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)。HDL 設(shè)計(jì)則仿真通過數(shù)字方法實(shí)現(xiàn)的功能，而且在完成產(chǎn)品開發(fā)之后就會(huì)最終成形。因此，整體系統(tǒng)仿真是 Simulink 對(duì)模擬組件的行為模型以及 ModelSim 對(duì) HDL 設(shè)計(jì)的共同仿真(圖8)?？赏ㄟ^仿真從概念階段順利過渡到 HDL 設(shè)計(jì)及后續(xù)階段。在共同仿真中，可用 ModelSim 中部署的 Verilog 代碼逐漸代替 Simulink 參考模型，從而可逐項(xiàng)驗(yàn)證 HDL 設(shè)計(jì)?？沙掷m(xù)進(jìn)行此過程，直到在 Verilog 中實(shí)現(xiàn)整個(gè)數(shù)字部件，而模擬系統(tǒng)部件仍保持為 Simulink 模型。此工具組合也已證明對(duì) IC 評(píng)估同樣有用。自始至終使用這種工具可以更容易理解 IC 行為，并可創(chuàng)建用來分析和解釋任何錯(cuò)誤的框架。這些工具的主要好處在于，能夠更快速、更準(zhǔn)確地答復(fù)客戶的查詢，以及更好地了解與環(huán)境條件相關(guān)的傳感器功能。
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圖 6 與傳感器頭和編碼器輪間距離呈函數(shù)關(guān)系的磁輸入信號(hào)模擬
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圖 7 為確定可容許的位置公差而進(jìn)行的磁場(chǎng)計(jì)算
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圖 8 模擬前端和數(shù)字塊的共同仿真