本帖最后由 qq709869261 于 2015-11-16 20:35 編輯
求助?。≡趺礃訉⒅绷?4
V輸入變?yōu)檎?fù)直流
200V輸出?。。∏蟠笊裰笇?dǎo)!最好稍微詳細(xì)點(diǎn)?。。。。。》浅8兄x?。。。。。。?!要能具體實(shí)現(xiàn)的!?。?!小實(shí)驗(yàn)類(lèi)似的!?。。。。?/div>
2015-11-16 16:58:13
小弟需要做一個(gè)半導(dǎo)體激光驅(qū)動(dòng)電路,需要用到100v,200v直流電壓,請(qǐng)問(wèn)各位大神嗎,我怎么樣得到這個(gè)電壓呢,激光的功率在4w左右,真心求助
2016-05-17 08:44:00
,Hi3516AV200,Hi3516CV500,Hi3516D,Hi3516A,Hi3516E Hi3519:Hi3519V101,Hi3519AV100,Hi3519A Hi3556:Hi3556V100
2019-07-06 22:07:36
用單片機(jī)做一個(gè)電壓電流采集電路,電壓0~60V,電流0~100A。采集方式該選什么樣的?求助各位大佬
2018-07-09 10:35:22
設(shè)計(jì)100A有源負(fù)載來(lái)測(cè)試電源
2019-06-05 11:19:52
我要設(shè)計(jì)一個(gè)升壓器式的開(kāi)關(guān)電源,實(shí)現(xiàn)的是+12v到+200v的變換,請(qǐng)問(wèn)有什么很好的思路可以推薦一個(gè)。
2018-03-14 00:36:06
。并且要求其機(jī)動(dòng)性強(qiáng),體積小,以設(shè)計(jì)中需使用24V電池為驅(qū)動(dòng)供電。根據(jù)1.5倍峰值電流的標(biāo)準(zhǔn)[1],本文需設(shè)計(jì)一個(gè)輸出電壓為24V,輸出電流大為100A的驅(qū)動(dòng)器。機(jī)器人只能由自身攜帶的電池供電驅(qū)動(dòng)器的整體...
2021-09-10 08:44:55
:1.5A直流、10A脈沖/100fA - 電壓值/***小值:200V/100nV一般特性 - 內(nèi)建“即插即用”基于Java的I-V特性分析和測(cè)試軟件 - TSP?(測(cè)試腳本處理)技術(shù)在測(cè)量?jī)x器內(nèi)嵌入了完整
2021-09-15 17:07:27
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 18:58 編輯
現(xiàn)在有3個(gè)電阻,分別是0.05歐姆,0.05歐姆,0.1歐姆。通過(guò)電流為100A,現(xiàn)在想實(shí)現(xiàn)通過(guò)串并聯(lián)的關(guān)系,實(shí)現(xiàn)4個(gè)功率擋位,即500W,1000W,1500W和2000W,請(qǐng)教高手如何實(shí)現(xiàn),最好有個(gè)圖,謝謝??!
2011-04-27 16:14:58
求大神幫忙!24V120AH電池組如何以100A電流輸出放電?小弟不勝感激 ;另外MZJ-400S/12V型號(hào)直流接觸器如何使用,工作原理??
2018-06-27 15:16:02
誰(shuí)有控制信號(hào)0-5V,輸出0-5V/100A,0V起調(diào)的電源?500W以上
2013-01-10 13:32:09
的單相控制器。高電流設(shè)備使用多相控制器,且隨著電流容量的增加,也會(huì)增加相數(shù)(以及組件的尺寸和成本)。TI的適用于50A、100A和200A應(yīng)用的模塊化電池測(cè)試儀參考設(shè)計(jì)使用50A和100A電池測(cè)試
2022-11-09 06:47:09
差分放大器。DRV411 采用的獨(dú)特電流自旋技術(shù)幾乎可以完全消除霍爾器件的偏移和 1/f 噪聲。 特性100A 閉環(huán)電流傳感器利用 DRV411電流隔離雙極電源`
2015-04-27 15:23:11
VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美國(guó)IR 公司推出VDMOS 結(jié)構(gòu),將器件耐壓、導(dǎo)通電阻和電流處理能力提高到一個(gè)新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的,由于一個(gè)管芯包括幾千個(gè)元胞
2009-12-21 10:52:2440
KK5A—100A 螺栓型 快速晶閘管
2009-07-25 14:31:17825 IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷
國(guó)際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,為開(kāi)
2009-08-18 12:00:511176 英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件,進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:57828 英飛凌推出性能領(lǐng)先業(yè)界的200V和250V OptiMOSTM系列器件,壯大功率MOSFET 產(chǎn)品陣
2010年1月21日,德國(guó)Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX: IFNNY)近
2010-01-26 09:25:271053 英飛凌發(fā)布200V和250V OptiMOSTM系列器件,壯大MOSFET陣容
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件,進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用
2010-01-29 08:53:011162 本文闡述了一種電機(jī)用功率 VDMOS 器件的可靠性試驗(yàn)方案和試驗(yàn)過(guò)程。對(duì)不同驅(qū)動(dòng)電壓下VDMOS器件所能承受的最人供電電壓進(jìn)行了測(cè)試,分別在輕、重負(fù)載下對(duì)器件進(jìn)行不同驅(qū)動(dòng)電壓的電
2011-07-22 11:32:5737 VDMOS兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點(diǎn),無(wú)論是開(kāi)關(guān)應(yīng)用還是線(xiàn)形應(yīng)用,VDMOS都是理想的功率器件,VDMOS主要應(yīng)用于電機(jī)調(diào)速、逆變器、不間斷電源、電子開(kāi)關(guān)、高保真音響、汽車(chē)電器
2011-12-01 14:09:57111 目前市場(chǎng)上使用較多的主要是N溝道增強(qiáng)型VDMOS產(chǎn)品,其也是目前各半導(dǎo)體公司開(kāi)發(fā)生產(chǎn)的主流功率MOSFET產(chǎn)品。
2011-12-02 10:38:453627 功率VDMOS 器件的工作條件通常惡劣,因此其可靠性研究格外重要。本文總結(jié)了目前眾多VDMOS 器件可靠性研究的結(jié)果,著重討論了功率VDMOS 在高溫大電壓的工作環(huán)境下,關(guān)鍵電學(xué)參數(shù)的漂
2011-12-16 15:28:5777 X-FAB Silicon Foundries 日前推出全新的 XT018 制程,這是180奈米200V MOS的獨(dú)立溝槽電介質(zhì)(SOI)代工制程。
2012-11-28 10:04:091410 LTM4700 Demo Circuit - Single 100A μModule Buck Regulator with Digital Interface for Control & Monitoring (4.5-16V to 1V @ 100A)
2021-01-31 10:53:121 LTM4650-1 Project - High Efficiency 4-Phase 100A Step-Down Regulator (4.6-13.2V to 1V @ 100A)
2021-02-04 10:44:120 LTM4650-1 Demo Circuit - High Efficiency 4-Phase 100A Step-Down Regulator (4.5-15V to 1V @ 100A)
2021-02-21 15:16:294 LTM4676 Project - 100A PolyPhase Step-Down μModule Regulator (4.5-16V to 1V @ 100A)
2021-02-22 11:13:175 LTM4650-1 Demo Circuit - High Efficiency 4-Phase 100A Step-Down Regulator (4.5-15V to 1V @ 100A)
2021-03-09 08:34:556 高效率開(kāi)關(guān)浪涌抑制器針對(duì) 200V 及更高瞬態(tài)提供保護(hù)
2021-03-19 11:15:228 設(shè)計(jì)100A有源負(fù)載測(cè)試電源
2021-05-11 14:43:466 AN133-A閉環(huán)寬帶100A有源負(fù)載
2021-05-11 20:53:018 LT1351:250μA、3 MHz、200V/μs運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 10:58:0510 12V/100A熱交換服務(wù)器農(nóng)場(chǎng)設(shè)計(jì)
2021-05-27 13:03:121 LTM4650-1演示電路-高效4相100A降壓穩(wěn)壓器(4.5-15V至1V@100A)
2021-05-29 11:26:474 LTM4650-1項(xiàng)目-高效4相100A降壓穩(wěn)壓器(4.6-13.2V至1V@100A)
2021-05-29 18:30:465 LTM4676項(xiàng)目-100A多相降壓μ模塊穩(wěn)壓器(4.5V-16V至1V@100A)
2021-05-30 08:27:2511 LTC6102演示電路-簡(jiǎn)易200V電流監(jiān)控器
2021-06-07 14:52:134 中港揚(yáng)盛單相100V/60Hz,三相200V/60Hz 變頻電源的標(biāo)準(zhǔn)電壓頻率是叫什么??我國(guó)大陸規(guī)定,直接用戶(hù)的單相交流電為220V,三相交流電線(xiàn)電壓為380V,頻率為50Hz,其它國(guó)家的電源電壓
2021-11-09 09:36:0011 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《100A電流源參考設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-06 10:07:005 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高效、200V/520W LLC串聯(lián)諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-07 10:09:138 聯(lián)訊儀器全新推出PXIe精密電源/測(cè)量單元S2012C。其最小測(cè)量分辨率達(dá)10fA/100nV,輸出電壓高達(dá)±200V。
2023-01-30 17:09:11621 超結(jié)VDMOS是一種發(fā)展迅速、應(yīng)用廣泛的新型功率半導(dǎo)體器件。
2023-09-18 10:15:002101 供應(yīng)200v耐壓mos管SVGP20500NL5N規(guī)格參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-06-07 14:05:380 內(nèi)置單芯片集成200V/1.5Ω(PN8080),200V/0.7Ω(PN8081)功率 LDMOS
2023-11-10 11:42:49216 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《邁向100A的演進(jìn)歷程μModule穩(wěn)壓器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 09:20:510 如何為 ADAS 處理器提供超過(guò) 100A 的電流
2023-11-24 14:54:06169 如何設(shè)計(jì)承受100A電流的高負(fù)載PCB? PCB(Printed Circuit Board)在電子設(shè)備中起著至關(guān)重要的作用,它不僅提供了電子元器件的固定和連接,還承載著電流傳輸?shù)娜蝿?wù)。然而
2023-11-23 09:39:58587 平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS的雪崩耐量有何差異以及如何選擇? 平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS是常見(jiàn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFETs)的不同設(shè)計(jì)類(lèi)型。它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)上存在一些細(xì)微的差異
2023-11-24 14:15:43549
評(píng)論
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