工程師參考手冊(cè)（一）：D類功放設(shè)計(jì)須知

　　一、D類音頻功率放大器設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

　　D功放是基于脈沖寬度調(diào)制技術(shù)的開關(guān)放大器，包括脈沖寬度調(diào)制器（幾百千赫茲開關(guān)頻率），功率橋電路，低通濾波器。本文從構(gòu)成、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)比、MOSFET的選擇與功率損耗、失真和噪音產(chǎn)生、音頻性能等D類音頻功率放大器設(shè)計(jì)有關(guān)的基礎(chǔ)問題作分析，并例舉D類功率放大器參考設(shè)計(jì)。

　　1、 D類功放基本構(gòu)成

　　目前有很多種不同種類的功放，如：A類、B類、AB類等。但D類功放與其不同的是基本是一個(gè)開關(guān)功放或者是脈寬調(diào)制功放。為此，主要將對(duì)說明這類D類功放作以說明。

　　在這種D類功放中，器件要么完全導(dǎo)通，要么完全關(guān)閉，大幅度減少了輸出器件的功耗，效率達(dá)90-95%都是可能的。音頻信號(hào)是用來調(diào)制PWM載波信號(hào)，其載波信號(hào)可以驅(qū)動(dòng)輸出器件，用最后的低通濾波器去除高頻PWM載波頻率。

　　眾所周知， A類、B類和AB類功放均是線形功放，那么D類功放與它們究竟有什么不同？我們首先應(yīng)作討論。圖1是D功放原理框圖，在一個(gè)線性功放中信號(hào)總是停留在模擬區(qū)，輸出晶體管（器件）擔(dān)當(dāng)線性調(diào)整器來調(diào)整輸出電壓。這樣在輸出器件上存在著電壓降，其結(jié)果降低了效率。

　　而D類功放采用了很多種不同的形式，一些是數(shù)字輸入，還有一些是模擬輸入，在這里我們將集中討論一下模擬輸入。

　　上面圖1顯示的是半橋D類功放的基本功能圖，其中給出了每級(jí)的波形。電路運(yùn)用從半橋輸出的反饋來補(bǔ)償母線電壓的變化。那末D類功放是如何工作的呢？D類功放的工作原理和PWM的電源是相同的，我們假設(shè)輸入信號(hào)是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的音頻信號(hào)，而這個(gè)音頻信號(hào)是正弦波，典型頻率從20Hz到20kHz范圍。這個(gè)信號(hào)和高頻三角或鋸齒波形相比可以產(chǎn)生PWM信號(hào)，見圖2a中所示。這個(gè)PWM信號(hào)被用來驅(qū)動(dòng)功率級(jí)，產(chǎn)生放大的數(shù)字信號(hào)，最后一個(gè)低通過濾波器被用在這個(gè)信號(hào)上來濾掉PWM載波頻率，重新得到正弦波音頻信號(hào)，見圖2b中所示。

　　2、 從拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)比-看線性和D類不同

　　值此將討論線性功放（A類和AB類）和D類數(shù)字功放的不同之處。這兩者之間主要的不同是效率，這也是為什么要發(fā)明D類功放的原因。線性功放就其性能而言具有固有的線性，但是即使是AB功放其效率也只有50%，而D類功放的效率很高，在實(shí)際的設(shè)計(jì)中達(dá)90%。

　　增益-線性功放增益不受母線電壓影響而變化，然而D類功放的增益是和母線電壓成比例的。這就意味著D類功放的電源抗擾比率是0dB，而線性的PSRR（電源供應(yīng)抑制比率）就很好。在D類功放中普遍用反饋來補(bǔ)償母線電壓變化。

　　能量流向-在線性功放中，能量是從電源到負(fù)載，雖然在全橋D類功放中也是這樣，但半橋D類功放還是不同的，因?yàn)槟芰靠梢噪p向流動(dòng)而導(dǎo)致“母線電壓提升”現(xiàn)象產(chǎn)生，這樣會(huì)造成母線電容被從加載來的能量充電。這個(gè)主要發(fā)生在低頻上，如低于100Hz是這樣。

　　3、 D類功放與Buck降壓轉(zhuǎn)換器類拓?fù)洳町?/p>

　　在D類功放和同步降壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)湓碜魅鐖D3所示。這兩個(gè)電路之間的主要不同有三：其一、對(duì)于同步降壓轉(zhuǎn)換器，其基準(zhǔn)電壓來自反饋電路的慢慢變化的穩(wěn)定電壓;而D類功放的參考信號(hào)是一個(gè)不斷變化的音頻信號(hào)。也就是說，同步降壓轉(zhuǎn)換器的占空比是相對(duì)穩(wěn)定的，而D類以圍繞50%占空比不斷地改變。其二、在同步降壓轉(zhuǎn)換器中負(fù)載電流的方向總是朝著負(fù)載，即電感電流為單向，見圖3左所示。但是在D類功放中電流是朝著兩個(gè)方向的，即電感電流為雙向，見圖3右所示。最后的不同是MOSFET的優(yōu)化方式。同步降壓轉(zhuǎn)換器對(duì)于高低端的晶體管有著不同的優(yōu)化，較長(zhǎng)的周期需要較低的Rds（on），而較短的周期需要低的Qg（柵極電荷），即兩個(gè)開關(guān)作用不同。但D類功放對(duì)兩個(gè)MOSFET有著相同的優(yōu)化方式。高低端器件有相同的Ras（on），即兩個(gè)開關(guān)作用相同。

　　4、 D類功放中MOSFET的選擇

　　在功放中要達(dá)到高性能的關(guān)鍵因素是功率橋電路中的開關(guān)。在開關(guān)過程中產(chǎn)生的功率損耗、死區(qū)時(shí)間和電壓、電流瞬時(shí)毛刺等都應(yīng)該盡可能的最小化來改善功放的性能。因此，在這種功放中開關(guān)要做到低的電壓降，快速的開關(guān)時(shí)間和低雜散電感。

　　由于MOSFET開關(guān)速度很快，對(duì)于這種功放它是你最好的選擇。它是一個(gè)多數(shù)載流子器件，相對(duì)于IGBT和BJT它的開關(guān)時(shí)間比較快，因而在功放中有比較好的效率和線性度。而MOSFET的選擇是基于功放規(guī)格而定。因而在選擇器件以前要知道輸出功率和負(fù)載阻抗（如100W 8Ω），功率電路拓?fù)洌ㄈ绨霕蛄夯蛉珮颍?，調(diào)制度（如89%—90%）。

　　5、 MOSFET中的功率損耗

　　功率開關(guān)中的損失在AB線性功放和D類功放之間是截然不同的。首先看一下在線性AB功放中的損耗，其損耗可以定義如下：

　　K是母線電壓與輸出電壓的比率。

　　對(duì)于線性功放功率器件損耗，可以簡(jiǎn)化成下面的公式：

　　需要說明的是AB功放功率損耗與輸出器件參數(shù)無關(guān)。

　　現(xiàn)在一起看一下D類功放的損失，在輸出器件中的全部損耗如下：

　　Ptotal=Psw+Pcond+Pgd

　　Psw是開關(guān)損耗

　　Pcond是導(dǎo)通損耗，

　　Pgd是柵極驅(qū)動(dòng)損耗

　　從上式可看于D類功放的輸出損耗是根據(jù)器件的參數(shù)來定的，即基于Qg（柵極電荷）、Rds（on）（靜態(tài)漏源通態(tài)電阻）、Coss（MOSFET的輸出電容）和tf（MOSFET下降時(shí)間），所以減少D類功放損耗應(yīng)有效選擇器件，圖4是D類功放的功率損耗和K的函數(shù)關(guān)系。

　　6、 半橋和全橋結(jié)構(gòu)拓?fù)涞膶?duì)比

　　和普通的AB類功放相似，D類功放可以歸類成兩種拓?fù)?，分別是半橋和全橋結(jié)構(gòu)。每種拓?fù)涠几饔欣住：?jiǎn)而言之，半橋簡(jiǎn)單，而全橋在音頻性能上更好一些，全橋拓?fù)湫枰獌蓚€(gè)半橋功放，這樣就需要更多的元器件。盡管如此，橋拓?fù)涞墓逃胁罘州敵鼋Y(jié)構(gòu)可以消除諧波失真和直流偏置，就像在AB功放中一樣。一個(gè)全橋拓?fù)湓试S用更好的PWM調(diào)制方案，比如量化幾乎沒有錯(cuò)誤的三水平PWM方案。

　　在半橋拓?fù)渲?，電源面臨從功放返回來的能量而導(dǎo)致嚴(yán)重的母線電壓波動(dòng)，特別是當(dāng)功放輸出低頻信號(hào)到負(fù)載時(shí)。能量回流到電源是D類功放的一個(gè)基本特性。在全橋中的一個(gè)臂傾向于消耗另一個(gè)臂的能量。所以就沒有可以回流的能量。

　　7、 不完美失真和噪音產(chǎn)生

　　一個(gè)理想的D類功放沒有失真，在可聽波段沒有噪音且效率足100%。然而，實(shí)際的D類功放并不完美并且會(huì)有失真和噪音。其不完美是由于D類功放產(chǎn)生的失真開關(guān)波形造成的。原因是：

　　*從調(diào)制器到開關(guān)級(jí)由于分辨率限制和時(shí)間抖動(dòng)而導(dǎo)致的PWM信號(hào)中的非線性。

　　*加在柵極驅(qū)動(dòng)上的時(shí)間誤差，如死區(qū)時(shí)間，開通關(guān)斷時(shí)間，上升下降時(shí)間。

　　*開關(guān)器件上的不必要特征，比如限定電阻，限定開關(guān)速度或體二極管特征。

　　*雜散參數(shù)導(dǎo)致過度邊緣的震蕩。

　　*由于限定的輸出電阻和通過直流母線的能量的反作用而引起得電源電壓波動(dòng)

　　*輸出LPF中的非線性。

　　一般來講，在柵極信號(hào)中的開關(guān)時(shí)間誤差是導(dǎo)致非線性的主要原因。特別是死區(qū)時(shí)間嚴(yán)重影響了D類功放的線性。幾十納秒少量的死區(qū)時(shí)間很容易就產(chǎn)生1%以上的THD（總諧波失真），見圖5（c）所示。

　　8、 死區(qū)時(shí)間（見圖5（a）所示是如何影響非線性的）

　　其圖5（a）（b）（c）為死區(qū)時(shí)間（或稱延時(shí)時(shí)間）對(duì)失真的影響示意圖。D類輸出級(jí)中的工作模式可以根據(jù)輸出波形如何跟隨輸入時(shí)間可歸類成三個(gè)不同的區(qū)域。在這三個(gè)不同的工作區(qū)，輸出波形跟隨高低端輸入信號(hào)的不同邊緣而變化的。

　　讓我們檢查一下第一個(gè)操作區(qū)（見圖5c所示High side edges），在這里電流比電感器波紋電流還大時(shí)，輸出電流就從D類功放流向負(fù)載。高端器件在低端器件開通之前關(guān)斷，輸出節(jié)點(diǎn)就會(huì)被轉(zhuǎn)到負(fù)母線。這個(gè)過程與低端器件開通時(shí)間無關(guān)，它是通過從解調(diào)電感的換向電流自動(dòng)造成的。因此輸出波形與嵌入到低端器件開通前的死區(qū)時(shí)間無關(guān)。因此PWM波形只被嵌入到高端柵極信號(hào)的死區(qū)短路了，而造成所希望的輸入占空比的輕微電壓增益降低。

　　有個(gè)相似的情況發(fā)生在負(fù)工作區(qū)（見圖5c所示Low side edges），輸出電流從加載流向D類功放。電流高于電感波紋電流。在這種情況下，輸出波形的時(shí)間并沒有受嵌入高端開通沿的死區(qū)時(shí)間的影響，而總是允許低端輸入時(shí)間。因此，PWM波形只被嵌入到低端器件柵極信號(hào)的死區(qū)時(shí)間短路。

　　在以前描述的兩個(gè)操作模式中存在一個(gè)區(qū)域，在這個(gè)區(qū)域中輸出時(shí)間與死區(qū)時(shí)間是獨(dú)立的。當(dāng)輸出電流小于電感波紋電流時(shí)，輸出時(shí)間跟隨每個(gè)輸入的關(guān)斷沿。因?yàn)樵谶@個(gè)區(qū)域，是ZVS（零電壓開關(guān)）操作狀態(tài)（見圖5c所示Falling edges），因此在中間區(qū)域就不會(huì)有失真。

　　當(dāng)輸出電流隨著音頻輸入信號(hào)的不同而變化時(shí)，D類功放將改變它的操作區(qū)，這樣每個(gè)都會(huì)有細(xì)小的不同增益。在音頻信號(hào)的周期中的這三個(gè)不同區(qū)域增議會(huì)歪曲輸出波形。

　　圖5（b）顯示的是死區(qū)時(shí)間如何影響THD性能的。一個(gè)40nS死區(qū)時(shí)間可以產(chǎn)生2%的THD。這個(gè)可以通過減小死區(qū)時(shí)間到15nS提高到0.2%。這個(gè)標(biāo)志著更好線性與高低端開關(guān)器件轉(zhuǎn)換過程的重要性。

　　9、 音頻性能測(cè)量

　　有著AESl7網(wǎng)絡(luò)過濾器的音頻測(cè)量?jī)x器是很必需的。當(dāng)然，像傳統(tǒng)音頻分析器HP8903B，加上合適的前級(jí)低通濾波器也可以使用。在這里需要重要考慮的是D類功放的輸出信號(hào)在其波形上仍然含有大量的開關(guān)載波頻率，這樣就造成錯(cuò)誤的讀取。這些分析器也許很難防止D類功放的載波泄露。

　　10、防止直通

　　盡管如此，一個(gè)狹窄的死區(qū)時(shí)間在大量生產(chǎn)中是很危險(xiǎn)的。因?yàn)橐坏└叩投司w管被同時(shí)打開，那么直流母線的電壓就會(huì)被晶體管短路，大量的直通電流將開始流動(dòng)，這便會(huì)導(dǎo)致器件損壞。我們應(yīng)該注意到有效的死區(qū)時(shí)間對(duì)每個(gè)功放是不同的，與元件參數(shù)和芯片溫度有關(guān)。對(duì)于一個(gè)D類功放的可靠設(shè)計(jì)來講確保死區(qū)時(shí)間總是正的而決不是負(fù)的來防止晶體管進(jìn)入直通，這是非常重要的。

　　11、關(guān)于電源吸收能量

　　另外一個(gè)在D類功放中引起明顯降額的原因是母線充電，當(dāng)半橋拓?fù)湓诮o負(fù)載輸出低頻時(shí)可以看到。要時(shí)刻記住，D類功放的增益與母線電壓直接成比例關(guān)系。因此，母線電壓波動(dòng)產(chǎn)生失真，而D類功放中的電流流動(dòng)是雙向的，則就存在了從功放返回到電源時(shí)期。大量流回到電源的能量來自于輸出LPF的電感存儲(chǔ)的能量。通常，電源沒有辦法吸收從負(fù)載回流過來的能量。因此，母線電壓上升，造成電壓波動(dòng)。母線電壓上升并不是發(fā)生在全橋拓?fù)渖?，因?yàn)閺拈_關(guān)橋臂同儲(chǔ)到由源的能源熔會(huì)在另一個(gè)橋臂消耗掉。

　　12、對(duì)EMI（電磁輻射）的考慮

　　在D功放設(shè)計(jì)中的EMI（電磁輻射）是很麻煩的，像在其他開關(guān)應(yīng)用中一樣。EMI的主要來源之一是來自從高到低流動(dòng)的MOSFET二極管的反向恢復(fù)電荷，和電流直通很相象。在嵌入到阻止直通電流的死區(qū)過程中，在輸出LPF中的電感電流打開體二極管。在下一個(gè)階段中，當(dāng)另外一端的MOSFET在死區(qū)未打開時(shí)，體晶體管保持導(dǎo)通狀態(tài)，除非儲(chǔ)存的大量少數(shù)載波被完全復(fù)合。這個(gè)反向的恢復(fù)電流趨向于形成一個(gè)很尖的形狀，和由于PCB板和封裝雜散電感因起步希望的震蕩。因此，PCB布線設(shè)計(jì)對(duì)減小EMI和系統(tǒng)可靠性至關(guān)重要的。

　　13、D類功放中MOSFET選擇的其他考慮

　　*選擇合適的封裝和結(jié)構(gòu)

　　*功放的THD、EMI和效率，還受FET的體二極管影響?？s短體二極管恢復(fù)時(shí)間（工R的并聯(lián)肖特基二級(jí)管的FET）;降低反向恢復(fù)電流和電荷，能改善THD;EMI和效率。

　　*FET結(jié)殼熱阻要盡可能小，以保證結(jié)溫低于限制。

　　*保證較好可靠性和低的成本條件下，工作在最大結(jié)溫。用絕緣包封的器件是直接安裝還是用裸底板結(jié)構(gòu)墊絕緣材料，依賴于它的成本和尺寸。

　　14、D類功放參考設(shè)計(jì)見圖6所示

　　*拓?fù)洌喊霕?/p>

　　*選用IR2011S（柵極驅(qū)動(dòng)IC，最高工作電壓200V，Io+/-為1.0A/1.0A，Vout為10-20V，ton/off為80&60ns，延時(shí)匹配時(shí)間為20ns）;IRFB23N15D （MOSFET功率管ID=23A，R DS=90mΩ，Qg=37nC Bv=150V To-220封裝）

　　*開關(guān)頻率：400KHz（可調(diào)）

　　*額定輸出：200W+200W/4歐

　　*THD:0.03%-1mhz半功率

　　*頻率響應(yīng)：5Hz-40KHz（-3dB）

　　*電源：～220v±50V

　　*尺寸：4.0“×5.5”

　　15、結(jié)論

　　如果我們?cè)谶x擇器件時(shí)很謹(jǐn)慎，并且考慮到精細(xì)的設(shè)計(jì)布線，因?yàn)殡s散參數(shù)有很大的影響，那么目前高效D類功放可以提供和傳統(tǒng)的AB類功放類似的性能。