競爭冒險各參數(shù)間的關(guān)系 - 基于實驗方法揭示競爭冒險的成因奧秘

　　記錄表中A1在上升沿的各參數(shù)全部為0，而下降沿除了t≈0其他參數(shù)出現(xiàn)了較小數(shù)值。A3的上升沿和下降沿，各參數(shù)都在迅速增大。A5以及A7 ～A11的上升沿和下降沿，有的參數(shù)趨于穩(wěn)定，有的參數(shù)繼續(xù)增大。各參數(shù)的演變說明如下。

　　⑴競爭冒險的演變，經(jīng)歷萌生期、發(fā)展期和成熟期。A1是萌生期，Vp-p≈0.06V，干擾脈沖雛形開始生成;A3是發(fā)展期，Vp-p≈0.7～0.9V小于開門電平;A5～A11是成熟期，Vp-p≈2.7～3.2V大于開門電平。表明萌生期、發(fā)展期是安全期，干擾脈沖不具危害，而成熟期是危險期，干擾脈沖存在極大危害性。

　?、脐P(guān)于t和Vp-p：在萌生期t≈0，Vp-p≠0;在發(fā)展期t、Vp-p都在迅速壯大;在成熟期t、Vp-p繼續(xù)增大。表明t大則Vp-p大，t、Vp-p之間存在一定的比例關(guān)系。

　　(3) 關(guān)于t和tp：除了萌生期t≈0外，在發(fā)展期和成熟期，t的上升沿/下降沿變化范圍45～100ns/65～115ns，tp的上升沿/下降沿變化范圍50～105ns /50～90ns，表明t與tp大致相等。

　　(4) 關(guān)于Vp1/Vp0：上升沿1.6V/3.0V～2.1V/3.3V，下降沿1.6V/1.6V～3.8V/4.1V，表明不同期的干擾脈沖幅度大小不等、狀態(tài)位置不同。

　　5 競爭冒險的抑制措施設(shè)置

　　揭秘競爭冒險的成因，旨在競爭冒險的研究和應用。由記錄表知道，A3的Vp-p小于開門電平，A5的Vp-p大于開門電平，所以，在發(fā)展期和成熟期之間設(shè)置競爭冒險抑制措施較為適宜。因此，競爭冒險抑制措施。比如封鎖脈沖、濾波電容、修改邏輯等方法都可抑制或消總有兩面性，競爭冒險也不例外，已有文獻報道，將競爭冒險用于集成電路設(shè)計取得了滿意效果[6]。

　　6 結(jié)語

　　競爭冒險的產(chǎn)生與信號頻率無關(guān);時間延遲t大則干擾脈沖幅度Vp-p大，時間延遲t與干擾脈沖寬度tp大致相等，不同期的干擾脈沖幅度大小不等，狀態(tài)位置不同;時間延遲、過渡時間、邏輯關(guān)系和延遲信號相位，構(gòu)成競爭冒險的產(chǎn)生條件。當電路滿足產(chǎn)生條件時，則一定產(chǎn)生干擾脈沖。競爭冒險的演變過程，經(jīng)歷萌生期、發(fā)展期和成熟期。萌生期、發(fā)展期是安全期，干擾脈沖不具危害，而成熟期是危險期，干擾脈沖存在極大危害性。競爭冒險抑制措施，建議電路從第四級門開始設(shè)置。為對干擾脈沖的全面認識，本文同時也給出了不同時期干擾脈沖的寬度tp、狀態(tài)位置Vp1/Vp0以及變化范圍。