近日，華潤(rùn)微電子正式發(fā)布1200V 和650V 工業(yè)級(jí)SiC肖特基二極管系列產(chǎn)品，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。其碳化硅二極管將主打充電樁、太陽能、UPS、通信和服務(wù)器電源等應(yīng)用。該產(chǎn)品的多項(xiàng)關(guān)鍵參數(shù)均可與國(guó)
2020-07-21 11:16:20
12912 極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
SiC-MOSFET－溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品SiC功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)SiC肖特基勢(shì)壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）。2010年在日本國(guó)內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在拓展第二代SiC-SBD，并推動(dòng)在包括車載
2018-12-04 10:09:17
10倍的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng),所以不僅能保持實(shí)際應(yīng)用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，1700V產(chǎn)品正在開發(fā)中。SiC-SBD和Si-PN結(jié)二極管通過Si二極管來應(yīng)對(duì)
2018-11-29 14:35:50
常適合功率元器件的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的特性。作為肖特基勢(shì)壘二極管時(shí)，具有卓越的高速性能，可實(shí)現(xiàn)Si-SBD無法匹敵的高耐壓元器件。從耐壓的角度可與Si-FRD一爭(zhēng)高下，但其恢復(fù)性能更具優(yōu)勢(shì)。高速恢復(fù)
2018-12-03 15:12:02
STMicroelectronics的快速碳化硅結(jié)構(gòu)肖特基二極管 STMicroelectronics碳化硅結(jié)構(gòu)肖特基二極管的開關(guān)使設(shè)計(jì)人員可以達(dá)到更高的效率和功率密度。ST的650V
2020-06-30 16:26:30
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時(shí)功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無恢復(fù)損耗的體二極管.驅(qū)動(dòng)方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請(qǐng)關(guān)注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
肖特基二極管、穩(wěn)壓二極管、瞬態(tài)二極管之間的區(qū)別和理解1、肖特基二極管肖特基二極管是以貴金屬為正極，N型半導(dǎo)體為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性制成的金屬-半導(dǎo)體器件。肖特基整流管的結(jié)構(gòu)
2021-11-15 06:47:36
肖特基二極管SCHOTTKY 100V 1A POWERDI123 常州鼎先電子有限公司***邢思前專業(yè)生產(chǎn)瞬態(tài)抑制二極管陣列 TVS ESD Array`
2020-11-02 10:14:46
` 快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V
2019-01-08 13:56:57
肖特基二極管分貼片和插件這兩種類別，一種是常見三個(gè)腳的肖特基二極管，印字是“例：MBR20100FCT”，符號(hào)是 “ ”；第二種是貼片肖特基二極管，貼片肖特基二極管的印字多數(shù)是用型號(hào)來做印字
2021-07-09 11:45:01
。Si-SBD的特點(diǎn)是：正向壓降PN結(jié)二極管的UDF低，僅為后者的1/2～1/3；trr約為10ns數(shù)量級(jí)；適用于低電壓（小于50V）的功率電子電路中（當(dāng)電路電壓高于100V以上時(shí)，則要選用PIV高的SBD
2019-01-03 13:36:59
），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（0.5-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。 前者
2016-04-19 14:29:35
肖特基二極管正向?qū)妷汉艿停挥?.4V，反向在擊穿電壓之前不會(huì)導(dǎo)通，起到快速反應(yīng)開關(guān)的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)妷焊胀?b class="flag-6" style="color: red">二級(jí)管一樣約為0.7V，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達(dá)到臨界電壓
2020-09-25 15:38:08
` 在電子產(chǎn)品生產(chǎn)中，都會(huì)用到一種材料，它也因此被譽(yù)為電子行業(yè)的“生命之源”這種材料就是肖特基二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)
2019-02-20 12:01:29
（金屬－絕緣體－半導(dǎo)體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。 復(fù)二極管：有0.8-1.1V的正向?qū)▔航担?5-85nS的反向恢復(fù)時(shí)間，在導(dǎo)通和截止之間迅速轉(zhuǎn)換，提高了器件的使用頻率并改善了
2015-11-27 18:02:58
肖特基二極管和普通穩(wěn)壓二極管有什么區(qū)別
2020-04-13 17:11:31
直接影響二極管的開關(guān)速度，但不一定說這個(gè)值小就好。也即當(dāng)肖特基二極管由導(dǎo)通突然反向時(shí)，反向電流由很大衰減到接近IR時(shí)所需要的時(shí)間。大功率開關(guān)管工作在高頻開關(guān)狀態(tài)時(shí)，此項(xiàng)指標(biāo)至為重要。肖特基二極管規(guī)格書下載：
2022-01-24 11:27:53
，肖特基二極管反向漏電流較大，選擇肖特基二極管是盡量選擇IR較小的二極管。三、額定電流IF：指肖特基二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)，根據(jù)允許溫升折算出來的平均電流值。肖特基二極管規(guī)格書下載：
2022-05-31 17:17:19
肖特基二極管一種應(yīng)用電路，這是肖特基二極管在步進(jìn)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用。利用肖特基二極管的管壓降小、恢復(fù)時(shí)間短的特點(diǎn)，這樣大部分電流就流過外部的肖特基二極管，從而集成電路內(nèi)部的功耗就小了很多，提高了熱穩(wěn)定性能，也就提高了可靠性。?肖特基二極管規(guī)格書下載：
2021-04-12 17:25:17
1、肖特基它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管
2021-06-30 16:48:53
半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流電流卻可達(dá)到幾千安培。這些優(yōu)良特性是快恢復(fù)二極管所無法比擬的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。[編輯本段
2017-10-19 11:33:48
?肖特基二極管具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，*高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件
2020-11-26 17:31:19
?肖特基二極管具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，*高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件
2021-11-16 17:02:37
肖特基二極管優(yōu)點(diǎn)：肖特基二極管具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC
2021-09-09 15:19:01
一、對(duì)于浪涌電壓或浪涌電流比較大的應(yīng)用電路應(yīng)該加抑制和吸收電路。二、應(yīng)用電路的峰值工作電壓應(yīng)小于MDD肖特基二極管的最高反向擊穿電壓Vrrm。三、應(yīng)用電路內(nèi)的MDD肖特基二極管的實(shí)際工作溫升應(yīng)小于
2021-06-15 15:33:58
、肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開關(guān)二極管、旋轉(zhuǎn)二極管等。3、按照管芯結(jié)構(gòu)，又可分為點(diǎn)接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。1） 整流二極管 將交流電源整流成為直流電流的二極管叫作整流二極管。2
2016-03-22 14:55:18
是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。 肖特基（Schottky）二極管的最大特點(diǎn)是正向壓降 VF 比較小。在同樣
2021-04-17 14:10:23
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二極管（Schottky Rectifier Diode 縮寫成SR），也有人叫做：肖特基勢(shì)壘二極管
2021-06-30 17:04:44
較低，一般不超過去時(shí)100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點(diǎn)，能提高低壓、打電流整流（或續(xù)流）電路的效率。肖特基二極管的作用：肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管
2020-10-27 06:31:18
在不同的電路部分。這是一個(gè)追求性能和用戶體驗(yàn)，對(duì)成本不敏感的行業(yè)，是肖特基二極管(同時(shí)也是sic功率器件)的第1個(gè)民用下游領(lǐng)域，曾經(jīng)在早期為siC功率器件廠家提供了最初的現(xiàn)金流。由于我國(guó)缺乏高端音響制造業(yè)
2018-11-14 14:54:30
集成電路Al內(nèi)部的功耗就小了很多，提高了熱穩(wěn)定性能，也就提高了可靠性。肖特基二極管是近年來問世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流
2021-03-15 14:44:01
` 雖然肖特基二極管是一個(gè)簡(jiǎn)單器件，但它卻有許多值得考慮的特性。這些特性通常取決于應(yīng)用，其中一些應(yīng)用包括：整流器、信號(hào)線或、晶體管關(guān)閉、續(xù)流（電感器和電機(jī)）等，當(dāng)然還有專用功能如LED和基準(zhǔn)電壓
2019-02-21 13:39:32
除了型號(hào)，外形上一般沒什么區(qū)別，但可以測(cè)量正向壓降進(jìn)行區(qū)別，直接用數(shù)字萬用表測(cè)（小電流）普通二極管在0.5V以上，肖特基二極管在0.3V以下，大電流時(shí)普通二極管在0.8V左右，肖特基二極管在0.5V
2019-06-12 04:20:33
肖特基二極管的額定電流是什么呢？額定電流是肖特基二極管的主要標(biāo)稱值，比如10A /100V的肖特基二極管，10A就是該肖特基二極管的額定電流。通常額定電流的定義是該肖特基二極管所能通過的額定平均電流
2020-09-16 16:04:11
肖特基二極管的額定電流是什么呢？額定電流是肖特基二極管的主要標(biāo)稱值，比如10A /100V的肖特基二極管，10A就是該肖特基二極管的額定電流。通常額定電流的定義是該肖特基二極管所能通過的額定平均電流
2021-07-21 15:26:58
物理學(xué)家Walter Schottky開發(fā)了金屬-半導(dǎo)體接觸的模型。與半導(dǎo)體-半導(dǎo)體接觸相反，肖特基二極管由于材料組成的選擇方式在半導(dǎo)體的界面上形成了一個(gè)耗盡區(qū)而因此具有勢(shì)壘。這防止了低于特定功率閾值
2017-04-19 16:33:24
(Schottky)二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流
2018-10-25 14:48:50
`編輯ZASEMI肖特基二極管MBR60200PT是肖特基二極管中非常常見的型號(hào)，TO-247封裝，正向整流60A，反向耐壓200V，正向壓降0.87V，正向峰值浪涌電流500A，反向漏電流為
2021-04-29 16:26:23
和小信號(hào)檢測(cè)二極管。 肖特基二極管是功率整流應(yīng)用的最佳半導(dǎo)體器件，因?yàn)檫@些器件具有高電流密度和低正向壓降，這與普通的PN結(jié)器件不同。這些優(yōu)勢(shì)有助于降低熱量水平，減少設(shè)計(jì)中包含的散熱器數(shù)量，并提高電子
2021-10-18 16:45:00
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關(guān)損耗，提高效率，降低解決方案成本，功率密度增加，實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，減少對(duì)散熱器
2021-11-09 16:36:57
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關(guān)損耗，極低反向電流 ，無反向恢復(fù)電流 ，低電容電荷， 提高效率，降低解決方案
2021-10-27 15:00:42
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級(jí)交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
沒有開關(guān)損耗? 硅二極管系統(tǒng)效率的提高? 功率密度增加? 實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率? 減少對(duì)散熱器的需求? 由于更小的磁性，系統(tǒng)成本節(jié)約? 減少電磁干擾廣泛應(yīng)用于新能源、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)
2021-11-06 09:26:20
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過200V的工作電壓場(chǎng)合，普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位?！ ≡从诠杌?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管，近年來開發(fā)出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
二極管，它是一種熱載流子二極管?！ ∈墙陙韱柺赖牡凸摹⒋箅娏?、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流電流卻可達(dá)到幾千毫安。這些優(yōu)良特性是快恢復(fù)二極管
2010-08-17 09:31:20
(1)由于肖特基勢(shì)壘的高度低于PN結(jié)勢(shì)壘，肖特基二極管的正向傳導(dǎo)閾值電壓和正向壓降均低于PN結(jié)勢(shì)壘，約低0.2V。(2)由于肖特基二極管是一種大多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。肖特基二極管規(guī)格書下載：
2022-01-18 10:35:14
恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能
2019-03-11 11:24:39
mV 時(shí)，電流就開始成指數(shù)增長(zhǎng)。需要注意的是，肖特基二極管是單極性器件，而 PN 結(jié)二極管是雙極性器件。通過肖特基二極管的電流只是由于電子。而在 PN 結(jié)二極管中，流過二極管的電流是由電子和空穴
2022-03-19 22:39:23
什么是肖特基二極管？
2014-03-05 09:25:07
擴(kuò)展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計(jì)用于太陽能光伏逆變器、電動(dòng)車/混和動(dòng)力電動(dòng)車（EV / HEV）充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
0.61V，這樣就大大的提升了工作效率，所以低壓降肖特基二極管能廣泛的應(yīng)用于有六級(jí)能效要求的方案中。另外，低壓降肖特基二極管的反向恢復(fù)時(shí)間可以小到幾納秒，而且它的整流電流可以達(dá)到幾千安，適用于低電壓、大電流的條件下工作。低壓降肖特基二極管規(guī)格書下載：
2022-01-24 15:00:32
本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢(shì)壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設(shè)計(jì)用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動(dòng)汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
所示的曲線關(guān)系:正向?qū)▔航蹬c導(dǎo)通電流成正比，其浮動(dòng)壓差為0.2V。從輕載導(dǎo)通電流到額定導(dǎo)通電流的壓差雖僅為0.2V,但對(duì)于功率肖特基二極管來說它不僅影響效率也影響肖特基二極管的溫升，所以在價(jià)格條件
2018-10-18 18:19:30
`肖特基（Schottky）二極管也稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱SBD），它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)
2018-12-10 15:19:35
性能良好。通常高壓大功率肖特基二極管都用高純單晶硅制造(摻雜較多時(shí)容易反向擊穿）。這種器件的結(jié)面積較大，能通過較大電流（可達(dá)上千安），但工作頻率不高，一般在幾十千赫以下。 一、肖特基二極管的選擇
2018-10-30 15:59:52
` 低壓降肖特基二極管是正向壓降比普通肖特基二極管還要低的一種半導(dǎo)體器件，可以理解成升級(jí)版性能更優(yōu)，壓降更低，效率更高的肖特基二極管?！ ?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管SBT20V100也稱為金屬半導(dǎo)體結(jié)二極管
2018-10-17 15:20:19
SiC-SBD的特征，下面將介紹一些其典型應(yīng)用。主要是在電源系統(tǒng)應(yīng)用中，將成為代替以往的Si二極管，解決當(dāng)今的重要課題——系統(tǒng)效率提高與小型化的關(guān)鍵元器件之一。＜應(yīng)用例＞PFC（功率因數(shù)改善）電路電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路
2018-12-04 10:26:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
轉(zhuǎn)換器，以及作為續(xù)流二極管和極性保護(hù)二極管使用。國(guó)內(nèi)大小電流肖特基二極管的主要作用是整流、檢波、續(xù)流、保護(hù)等。賽特微電子所生產(chǎn)研發(fā)的小電流肖特基二極管大部分屬于貼片系列，體積小、效率高、低損耗、腳位平直
2020-08-28 17:12:29
,小電流的電子產(chǎn)品；10A或以上的肖特基二極管常用于較復(fù)雜的電路中，對(duì)電流要求比較高。如:PC 電源,適配器等。 因此，10A是一個(gè)較為敏感的界限，10A以上一般稱之為大電流肖特基二極管。肖特基二極管規(guī)格書下載：
2022-03-31 16:56:22
電場(chǎng)而具有高擊穿電壓。例如，商用硅肖特基二極管的電壓小于300V，而第一個(gè)商用SiC肖特基二極管的擊穿電壓已達(dá)到600V。3）碳化硅具有較高的導(dǎo)熱性。4）SiC器件可以在更高的溫度下工作，而Si器件
2023-02-07 15:59:32
僅約為100V，以致于限制了肖特基二極管的應(yīng)用范圍。在變壓器次級(jí)用100V以上的高頻整流二極管、開關(guān)電源和功率因數(shù)校正電路中的功率開關(guān)器件續(xù)流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV之間的高速
2018-10-19 11:44:47
恢復(fù)二極管的反向擊穿電壓高，一般都高于200V，甚至幾千伏，而肖特基二極管的反向擊穿電壓很低，普遍在100以下，有些會(huì)高一點(diǎn)；3、快恢復(fù)二極管的功耗較大，而肖特基二極管反向恢復(fù)時(shí)間短、損耗小、噪聲低。原作者：大年君愛好電子
2023-02-16 14:56:38
客戶簡(jiǎn)單講解一下。肖特基二極管是屬于低功耗、大電流、超高速的半導(dǎo)體器件，其特長(zhǎng)是開關(guān)速度非?？欤聪蚧謴?fù)時(shí)間可以小到幾個(gè)納秒，正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流電流卻可達(dá)到幾千安。所以適合在低電壓、大電流
2015-10-19 11:26:11
機(jī)變頻調(diào)速等電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用，是極有發(fā)展前途的電力、電子半導(dǎo)體器件。 肖特基二極管是屬于低功耗、大電流、超高速的半導(dǎo)體器件，其特長(zhǎng)是開關(guān)速度非常快，反向恢復(fù)時(shí)間可以小到幾個(gè)納秒，正向?qū)▔航祪H
2022-03-31 10:04:12
結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng)，后者則在100納秒以下
2020-12-15 15:45:54
的產(chǎn)品線涉及基礎(chǔ)核心技術(shù)產(chǎn)品、碳化硅成型產(chǎn)品以及多套行業(yè)解決方案。公司基礎(chǔ)核心產(chǎn)品以碳化硅肖特基二極管為代表，其中650V/3A～100A,1200V/2A～50A和1700V/3300V等系列的碳化硅
2018-03-12 14:55:36
一、肖特基二極管的定義與特點(diǎn)1.什么是肖特基二極管肖特基二極管(肖特基勢(shì)壘二極管):它是屬于一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒)。正向?qū)▔航祪H0.4V左右。2.
2016-04-19 14:24:47
普通二極管和肖特基二極管的伏安特性如何
2021-10-13 08:57:54
），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為
2019-06-12 02:34:10
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
` 肖特基(Schottky)二極管是一種快恢復(fù)二極管，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。其顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右。肖特基(Schottky
2018-10-22 15:32:15
器件比較理想的材料，2000年5月4日，美國(guó)CREE公司和日本關(guān)西電力公司聯(lián)合宣布研制成功12.3kV的SiC功率二極管，其正向壓降VF在100A/cm2電流密度下為4.9V。這充分顯示了SiC材料制作功率二極管的巨大威力。轉(zhuǎn)自：《電力電子網(wǎng)》
2016-11-14 20:01:52
250V左右。對(duì)于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因?yàn)樗軌蚰褪茌^高的電壓?！ 〕艘酝獾?b class="flag-6" style="color: red">器件參數(shù)均相當(dāng)于或優(yōu)于硅肖特基二極管。詳見表2。 由于SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒有用它來替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
小型化。然而，必須首先解決一個(gè)問題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導(dǎo)通會(huì)造成導(dǎo)通電阻性能下降。將肖特基勢(shì)壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結(jié)構(gòu)，但發(fā)現(xiàn)用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
各種耐高溫的高頻大功率器件，應(yīng)用于硅器件難以勝任的場(chǎng)合，或在一般應(yīng)用中產(chǎn)生硅器件難以產(chǎn)生的效果。 肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）作為一種單極性器件，在導(dǎo)通過程中沒有額外載流子注入和儲(chǔ)存，因而基本沒有
2019-10-24 14:21:23
碳化硅肖特基二極管主要特點(diǎn)及產(chǎn)品系列 基本半導(dǎo)體B1D系列碳化硅肖特基二極管主要技術(shù)參數(shù)如下： 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二極管電流范圍從2-40A，封裝涵蓋TO-220，TO-252，TO-263，TO-247及其家族群封裝，產(chǎn)品列表見下：原作者：基本半導(dǎo)體
2023-02-28 16:55:45
?！ 』景雽?dǎo)體自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，具有極高的工作效率，性能優(yōu)越達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，可廣泛應(yīng)用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在
2020-06-28 17:30:27
肖特基二極管正向?qū)妷汉艿?，只?.4v，反向在擊穿電壓之前不會(huì)導(dǎo)通，起到快速反應(yīng)開關(guān)的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)妷焊胀?b class="flag-6" style="color: red">二級(jí)管一樣約為0.7v，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達(dá)到臨界電壓
2021-11-12 06:28:29
我現(xiàn)在有一個(gè)48V的直流接觸器，為了保護(hù)電路中元器件，要在其線圈兩端反接一個(gè)二極管，這個(gè)二極管應(yīng)該用什么型號(hào)的二極管，開關(guān)二極管好還是肖特基二極管好？有什么區(qū)別？
2017-02-03 16:04:22
，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
肖特基二極管是近年來問世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流電流卻可達(dá)到幾千毫安。這些優(yōu)良特性是快恢復(fù)二極管所無法比擬的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。
2019-09-30 09:12:59
采芯網(wǎng)轉(zhuǎn)載：大功率肖特基二極管（SBD）是貴金屬A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬半導(dǎo)體器件。大功率肖特基二極管的結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流
2016-12-06 18:25:12
的安全裕量。 圖1 CoolMOS高壓功率MOSFET及其內(nèi)部體二極管的橫截面示意圖2. 反向恢復(fù)行為新一代CoolMOS? 650V CFD的反向恢復(fù)特性如圖2所示。與標(biāo)準(zhǔn)器件相比，新一代
2018-12-03 13:43:55
工業(yè)級(jí)650V、10A SiC肖特基二極管樣品現(xiàn)已開始供貨。還將計(jì)劃推出1200V/6-20A電流范圍部件和車規(guī)級(jí)部件。
2021-11-05 16:18:34678 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論