AMCOM的AM08011039WM-00(SN-R)是種光纖寬帶GaAs MMIC功率放大器。具備25dB的小信號(hào)增益值,在8V偏置電壓下,在8到11GHz頻率段上的輸出功率>
2024-02-27 09:25:49
AMCOM的AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R是款寬帶GaN MMIC功率放大器。AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R在7.5到
2024-03-15 09:36:37
AMCOM的AM09012541WM-B-XX是款寬帶GaAs MMIC功率放大器。具備25dB的小信號(hào)增益值,在8V偏置電壓和5%脈沖運(yùn)作下,在8至11GHz頻段中具備42dBm的輸出功率。由于
2024-03-04 09:49:08
QPA4563C增益單元放大器產(chǎn)品介紹QPA4563C報(bào)價(jià)QPA4563C代理QPA4563C咨詢熱線QPA4563C現(xiàn)貨,王先生深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPA4563C是一種高性能的SiGe
2018-07-20 09:45:43
產(chǎn)品。最小的RF/微波放大器是單片微波集成電路(MMIC)器件。這類器件經(jīng)常被用作增益模塊,來(lái)補(bǔ)償系統(tǒng)和電路中無(wú)源信號(hào)的損失。提供MMIC放大器芯片和帶封裝的MMIC放大器模塊的公司很多,包括安捷倫
2019-07-08 07:50:49
功率放大器基本電路特點(diǎn)是什么?如何去改進(jìn)功率放大器的基本電路?如何去完善功率放大器實(shí)用電路?
2021-06-08 06:37:08
有時(shí)需要在有較大共模信號(hào)的情況下測(cè)量小信號(hào)。在這類應(yīng)用中,通常使用兩個(gè)或三個(gè)運(yùn)算放大器的集成儀表放大器。盡管儀表放大器具有出色的共模抑制比(CMRR),但價(jià)格因素,性能指標(biāo)阻礙了其在此類應(yīng)用中
2019-07-24 06:36:28
根據(jù)電壓控制增益電路理論及放大器設(shè)計(jì)原理,設(shè)計(jì)制作了一種基于GaAs工藝的可變?cè)鲆婀β?b class="flag-6" style="color: red">放大器單片微波集成電路( MMIC)。采用電路仿真ADS軟件進(jìn)行了原理圖及版圖仿真,研究了增益控制電路在放大器中的位置對(duì)性能的影響。
2021-04-06 08:32:23
參數(shù)和環(huán)境條件的監(jiān)控以及系統(tǒng)故障保護(hù)。這些高功率系統(tǒng)產(chǎn)生大量熱量,這會(huì)對(duì)放大器性能和平均故障間隔時(shí)間(MTBF)產(chǎn)生影響。這些系統(tǒng)所需的RF放大器MMIC很昂貴;]今天的半導(dǎo)體RF放大器的復(fù)雜性
2018-12-20 18:24:06
運(yùn)算放大器有反相放大器和正向放大器,性能有什么差別,有什么不同的應(yīng)用?
2019-03-26 07:55:24
反饋的基本概念反饋的分類負(fù)反饋放大器的框圖及一般表達(dá)式負(fù)反饋對(duì)放大器性能的影響負(fù)反饋放大器的四種組態(tài)深度負(fù)反饋對(duì)放大電路的近似計(jì)算負(fù)反饋放大器自激振蕩及消除方法
2021-02-24 06:56:35
本文首先闡述了輸入失調(diào)電壓對(duì)運(yùn)算放大器性能的影響,以及零漂移、斬波穩(wěn)定運(yùn)算放大器與通用運(yùn)算放大器在性能上的差異。
2021-06-17 10:12:33
運(yùn)算放大器常見(jiàn)指標(biāo)及特點(diǎn)
2021-03-16 11:45:39
凌力爾特推出運(yùn)用SiGe 工藝的運(yùn)算放大器系列
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出運(yùn)算放大器系列 LTC6246、LTC6247 和 LTC6248,該系列器件運(yùn)用一種節(jié)省功率的 SiGe
2009-11-13 09:16:39775 軌至軌運(yùn)算放大器
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出運(yùn)算放大器系列 LTC6246、LTC6247 和 LTC6248,該系列器件運(yùn)用一種節(jié)省功率的 SiGe 工藝,實(shí)現(xiàn)了 180MHz 增益帶
2009-11-13 09:37:141180 儀表放大器的特點(diǎn)和電路設(shè)計(jì)原理
儀表放大器的特點(diǎn)
高共模抑制比
共模
2010-03-10 16:54:403122 SGA4286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:19:001 SGA3386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-13 11:19:007 RFMD的SGC-6289Z是一種高性能SiGe HBT MMIC放大器,采用具有有源偏置網(wǎng)絡(luò)的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過(guò)溫度和處理β變化。SGC-6289Z被設(shè)計(jì)成直接從5V電源
2018-09-13 11:19:007 SGA6389Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-13 11:19:007 SGA6386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-13 11:19:004 SGA4286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:25:007 該SGA6586Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:25:003 SGA5589Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:25:003 SGA3286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物
2018-09-12 11:25:004 SGA2486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:25:007 SGA2486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:25:009 SGA3363Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:003 SGA3286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物
2018-09-11 11:25:001 SGA3263Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:003 SGA3363Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:002 SGA3486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:002 SGA3386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:001 SGA4186Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:002 該SGA3463Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:001 SGA4263Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:002 SGA3586Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:005 SGA789Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-10 11:25:007 RFDD的SGB-223是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器,利用達(dá)林頓配置與有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過(guò)溫度和處理β變化。SGB-2233被設(shè)計(jì)成直接從3V到5V電源運(yùn)行
2018-09-10 11:25:002 RFMD的SGC2363Z是一種高性能SiGe HBT MMIC放大器,采用達(dá)林頓結(jié)構(gòu),具有專利有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過(guò)溫度和處理β變化。SGC2363Z設(shè)計(jì)成直接從3V電源運(yùn)行
2018-09-10 11:25:002 RFMD的SGC4363Z是一個(gè)高性能的SiGe HBT MMIC放大器,利用達(dá)林頓配置和專利有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過(guò)溫度和處理β變化。SGC4363Z設(shè)計(jì)成直接從3V電源運(yùn)行
2018-09-10 11:25:0010 RFMD的SGC4463Z是一個(gè)高性能的SiGe HBT MMIC放大器,利用達(dá)林頓配置和專利有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過(guò)溫度和處理β變化。SGC4463Z被設(shè)計(jì)成直接從3V電源運(yùn)行
2018-09-10 11:25:005 RFMD的SGC4263Z是一個(gè)高性能的SiGe HBT MMIC放大器,利用達(dá)林頓配置和專利有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過(guò)溫度和處理β變化。與典型的達(dá)林頓放大器相比,SGC4263Z
2018-09-07 11:25:003 RFMD的SGC4563Z是一個(gè)高性能的SiGe HBT MMIC放大器,利用達(dá)林頓配置和專利有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過(guò)溫度和處理β變化。SGC4563Z設(shè)計(jì)成直接從3V電源運(yùn)行
2018-09-07 11:25:002 RFMD的SGC-6289Z是一種高性能SiGe HBT MMIC放大器,采用具有有源偏置網(wǎng)絡(luò)的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過(guò)溫度和處理β變化。SGC-6289Z被設(shè)計(jì)成直接從5V電源
2018-09-07 11:25:002 RFDD的SGC4486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器,利用達(dá)林頓配置與專利有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過(guò)溫度和處理β變化。設(shè)計(jì)用于直接從3V電源,SGC448 6Z
2018-09-07 11:25:003 RFDD的SGC-6489Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器,利用達(dá)林頓配置與有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過(guò)溫度和處理β變化。設(shè)計(jì)成直接從5V電源運(yùn)行,與傳統(tǒng)的達(dá)林頓
2018-09-07 11:25:0012 RFMD的SGC6389Z是一種高性能SiGe HBT MMIC放大器,采用達(dá)林頓結(jié)構(gòu),具有專利有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過(guò)溫度和處理β變化。SGC-6389Z被設(shè)計(jì)成直接從5V電源
2018-09-07 11:25:009 SGA6286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:002 SGA6389Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:001 SGA6486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:009 SGA6386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:000 SGA6589Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:002 該SGA6586Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:006 SGA6489Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:005 RFMD的SGC2363Z是一種高性能SiGe HBT MMIC放大器,采用達(dá)林頓結(jié)構(gòu),具有專利有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過(guò)溫度和處理β變化。SGC2363Z設(shè)計(jì)成直接從3V電源運(yùn)行
2018-09-07 11:25:001 SGA6489Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-06 11:25:005 SGA6289Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-06 11:25:004 SGA0363Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。只有兩個(gè)直流阻斷電容器,一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈所需的操作。
2018-07-25 11:25:511 SGA0163Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。只有兩個(gè)直流阻斷電容器,一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈所需的操作。
2018-09-05 11:25:001 SGA2263Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:006 SGA2163Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:002 SGA2463Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:001 SGA2286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:004 SGA2363Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:006 SGA2186Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:002 SGA4363Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:007 SGA2386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:009 SGA4486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:000 該SGA4463Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:0012 SGA4386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:005 該SGA4586Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:0011 SGA5286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:006 SGA5289Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:006 該SGA4563Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:005 SGA5389Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:004 SGA5386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-07-25 11:25:553 SGA586Z是一種高性能的SiGe (異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-04 11:25:007 SGA5586Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-03 11:25:0012 SGA589Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-09-03 11:25:0010 QPA4463A是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。達(dá)林頓配置提供高FT和出色的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)DC阻塞電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-08-29 11:26:002 RFMD的CGA-3318Z是一種高性能硅鍺HBT MMIC放大器。設(shè)計(jì)具有優(yōu)異的線性度的SiGe工藝技術(shù)在一個(gè)特殊的價(jià)格。達(dá)林頓配置用于寬帶性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電
2018-08-27 11:26:001 QPA4263A是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。達(dá)林頓配置提供高FT和出色的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)DC阻塞電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-08-20 11:27:0011 QPA4363A是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。達(dá)林頓配置提供高FT和出色的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)DC阻塞電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-08-20 11:27:001 QPA789A是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。達(dá)林頓配置提供高FT和出色的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)DC阻塞電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-08-20 11:27:003 RFMD的SGB-2233是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器,利用達(dá)林頓配置與有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過(guò)溫度和處理β變化。設(shè)計(jì)成直接從3VTO 5V電源運(yùn)行,SGB-223不需要典型的達(dá)林頓放大器的降壓電阻器。
2018-07-27 11:30:0012 SGA5263Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-07-26 11:30:007 RFDD的SGC2463Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器,利用達(dá)林頓配置與專利有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過(guò)溫度和處理β變化。設(shè)計(jì)成直接從3V電源運(yùn)行,與典型的達(dá)林頓
2018-07-26 11:30:004 SGA789Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-07-26 11:30:0012 SGA6589Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-07-26 11:30:008 SGA3563Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個(gè)直流阻斷電容器、一個(gè)偏置電阻和一個(gè)可選的射頻扼流圈。
2018-07-26 11:30:0011 關(guān)鍵詞: RF MMIC , 高功率放大器 , 射頻模塊 , ASB 世強(qiáng)與領(lǐng)先的MMIC電路和射頻模塊的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)商——ASB簽約,進(jìn)一步擴(kuò)充RF MMIC、高功率放大器、射頻模塊等產(chǎn)品線,為通信
2019-02-27 09:08:01405 Custom MMIC功率放大器適用于C,X,K,Ku和Ka頻率段設(shè)計(jì)的GaN和GaAs rf射頻功率放大器MMIC。 通常情況下,Custom MMIC最先進(jìn)性的RF/微波射頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)和子組件
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評(píng)論
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