為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關(guān)損耗,柵極驅(qū)動器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓,以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 06:17:002391 SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點是工藝簡單,單元的一致性較好,雪崩能量比較高。但是,這種結(jié)構(gòu)
2023-02-12 16:03:093214 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻(數(shù)百千赫茲)開關(guān),但它們不能用于非常高的電壓(>
2023-08-03 11:09:57740 有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低,通道電阻高,因此具有驅(qū)動電壓即柵極-源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化(下降)逐漸減少,接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導(dǎo)通的條件下,電阻更小的通道部分(而非體二極管部分)流過的電流占支配低位。為方便從結(jié)構(gòu)角度理解各種狀態(tài),下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
”)應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET,這里給出了DMOS結(jié)構(gòu),不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面,Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件,單位面積的導(dǎo)通電阻也越大(以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加),因此600V以上的電壓中主要采用IGBT(絕緣柵極雙極型晶體管)?! GBT
2023-02-07 16:40:49
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件,單位面積的導(dǎo)通電阻也越大(以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加),因此600V以上的電壓中主要采用IGBT(絕緣柵極雙極型晶體管)。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
確認(rèn)現(xiàn)在的產(chǎn)品情況,請點擊這里聯(lián)系我們。ROHM SiC-MOSFET的可靠性柵極氧化膜ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜,通過工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化,實現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管(Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET),組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器,就是用來比較各產(chǎn)品效率的演示機
2018-11-27 16:38:39
`請問:圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西?芯片屏蔽罩嗎?為什么加這個東西?抗干擾或散熱嗎?這是個SiC MOSFET DC-DC電源,小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
專門的溝槽式柵極結(jié)構(gòu)(即柵極是在芯片表面構(gòu)建的一個凹槽的側(cè)壁上成形的),與平面式SiC MOSFET產(chǎn)品相比,輸入電容減小了35%,導(dǎo)通電阻減小了50%,性能更優(yōu)異。圖4 SCT3030KL的內(nèi)部電路
2019-07-09 04:20:19
(MPS)結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)保持最佳場分布,但通過結(jié)合真正的少數(shù)載流子注入也可以增強浪涌能力。如今,SiC二極管非常可靠,它們已經(jīng)證明了比硅功率二極管更有利的FIT率?! ?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET替代品 2008年推出
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓,在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間,也可以通過集成在柵極驅(qū)動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路(PFC電路)和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同,小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定,通常如果將勢壘高度
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件,單位面積的導(dǎo)通電阻也越大(以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加),因此600V以上的電壓中主要采用IGBT(絕緣柵極雙極型晶體管)。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的構(gòu)成中,SiC-MOSFET切換(開關(guān))時高邊SiC-MOSFET的柵極電壓產(chǎn)生振鈴,低邊SiC-MOSFET的柵極電壓升高,SiC-MOSFET誤動作的現(xiàn)象。通過下面的波形圖可以很容易了解這是
2018-11-30 11:31:17
極-源極電壓振鈴。將柵極驅(qū)動放置在緊鄰 SiC MOSFET 的位置,以最小的走線長度將柵極回路電感降至最低。此外,這種做法還有助于使各并聯(lián) MOSFET 設(shè)計之間的共源極電感保持恒定。以最小走線長
2022-03-24 18:03:24
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢.更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ,高壓開關(guān)的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
結(jié)構(gòu) 引言 功率MOSFET以其開關(guān)速度快、驅(qū)動功率小和功耗低等優(yōu)點在中小容量的變流器中得到了廣泛的應(yīng)用。當(dāng)采用功率MOSFET橋式拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)時,同一橋臂上的兩個功率器件在轉(zhuǎn)換過程中,柵極驅(qū)動信號
2018-08-27 16:00:08
開來,并應(yīng)用于電纜以將電線與電纜所穿過的環(huán)境隔離開來。 SiC MOSFET可作為1200V,20A器件提供,在+ 15V柵極-源極電壓下具有100mΩ。此外,固有的導(dǎo)通電阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
時的波形可以看到,SiC-MOSFET原理上不流過尾電流,因此相應(yīng)的開關(guān)損耗非常小。在本例中,SiC-MOSFET+SBD(肖特基勢壘二極管)的組合與IGBT+FRD(快速恢復(fù)二極管)的關(guān)斷損耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
失效模式等。項目計劃①根據(jù)文檔,快速認(rèn)識評估板的電路結(jié)構(gòu)和功能;②準(zhǔn)備元器件,相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項目開展,按時間計劃實施,④項目調(diào)試,優(yōu)化,比較,分享。預(yù)計成果分享項目的開展,實施,結(jié)果過程,展示項目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
,以及源漏電壓進行采集,由于使用的非隔離示波器,就在單管上進行了對兩個波形進行了記錄:綠色:柵極源極間電壓;黃色:源極漏極間電壓;由于Mosfet使用的SiC材料,通過分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
項目名稱:基于
Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計劃:申請理由本人在電力電子領(lǐng)域(數(shù)字電源)有五年多的開發(fā)經(jīng)驗,熟悉BUCK、BOOST、移相全
橋、LLC和全
橋逆變等電路拓?fù)?。?/div>
2020-04-24 18:08:05
。碳化硅有優(yōu)點相當(dāng)突出。是半導(dǎo)體公司兵家必爭之地。應(yīng)用場景;評估板采用常見的半橋電路配置,并配有驅(qū)動電路、驅(qū)動電源、過電流保護電路及柵極信號保護電路等評估板的主要特點如下:? 可評估 TO-247-4L
2020-07-26 23:24:05
導(dǎo)電溝道越大,則導(dǎo)通電阻越?。坏?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動電壓太大的話,很容易將柵極和漏極之間絕緣層擊穿,造成Mosfet管的永久失效;3.為了增加開關(guān)管的速度,減少開關(guān)管的關(guān)斷時間是有必要的;且為了提高Mosfet管
2020-07-16 14:55:31
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比,SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計過程中必須仔細考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
要充分認(rèn)識 SiC MOSFET 的功能,一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍,具有更高的電流密度,能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
MOSFET柵極為低電平時,其漏極電壓上升直至使SiC JFET的GS電壓達到其關(guān)斷的負(fù)壓時,這時器件關(guān)斷。Cascode結(jié)構(gòu)主要的優(yōu)點是相同的導(dǎo)通電阻有更小的芯片面積,由于柵極開關(guān)由Si MOSFET控制
2022-03-29 10:58:06
,而且結(jié)構(gòu)簡單 ??娠@著減少SiC MOSFET選型和柵極驅(qū)動電路調(diào)整等 設(shè)計和評估工時 。 內(nèi)置各種保護功能 ,基本上只需根據(jù)要設(shè)計的電源規(guī)格設(shè)置外置元器件的常數(shù)即可,使利用了SiC MOSFET性能
2022-07-27 11:00:52
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET,使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接,來確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
介紹了采用商用1200V碳化硅(SiC)MOSFET和肖特基二極管的100KHz,10KW交錯式硬開關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開關(guān)損耗使得開關(guān)頻率在硅實現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
2的結(jié)構(gòu),用深度來換面積,將柵極埋入基體中,形成垂直的溝道,從而保持溝道的寬度,這樣形成的結(jié)構(gòu)稱為垂直導(dǎo)電的溝槽結(jié)構(gòu)。圖3:N溝道垂直導(dǎo)電的溝槽結(jié)構(gòu)及Rdson組成 工作原理是:柵極和源極間加正向電壓
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個電阻呢?
2021-03-10 06:19:21
; } <BD7682FJ-LB>準(zhǔn)諧振方式(低EMI)SiC-MOSFET驅(qū)動柵極箝位電路工作電源電壓范圍(VCC):15.0V~27.5V輕負(fù)載時突發(fā)脈沖工作、降頻功能工作電流:0.80mA(typ.)、突發(fā)時 0.50mA
2018-12-04 10:11:25
CRD-60DD12N,60 kW交錯式升壓轉(zhuǎn)換器演示板基于1200 V,75mΩ(C3M)SiC MOSFET。該演示板由四個15 kW交錯升壓級組成,每個級使用CGD15SG00D2隔離式柵極驅(qū)動板
2019-04-29 09:18:26
本帖最后由 liuyongwangzi 于 2018-5-30 10:03 編輯
使用橋式整流器配置中的四個二極管是對AC電壓進行整流的最簡單、也是最常規(guī)的方法。在一個橋式整流器中運行一個
2018-05-30 10:01:53
極驅(qū)動器的優(yōu)勢和期望,開發(fā)了一種測試板,其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動器也在另一塊板上實現(xiàn),見圖3?! D3.帶電壓源驅(qū)動器(頂部)和電流源驅(qū)動器(底部)的半橋
2023-02-21 16:36:47
MOSFET一般工作在橋式拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)模式下,如圖1所示。由于下橋MOSFET驅(qū)動電壓的參考點為地,較容易設(shè)計驅(qū)動電路,而上橋的驅(qū)動電壓是跟隨相線電壓浮動的,因此如何很好地驅(qū)動上橋MOSFET成了設(shè)...
2021-07-27 06:44:41
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
升壓轉(zhuǎn)換器。不幸的是,二極管橋式整流器的傳導(dǎo)損耗效率不高,也不支持雙向操作[5]。接下來,考慮使用圖騰柱無橋PFC升壓轉(zhuǎn)換器,以減少二極管數(shù)量并提高效率[6],[7]。然而,硅MOSFET體二極
2023-02-27 09:44:36
) MOSFET很難在圖騰柱PFC拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中的連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)下工作,因為體二極管的反向恢復(fù)特性很差。碳化硅(SiC) MOSFET采用全新的技術(shù),比Si MOSFET具有更勝一籌的開關(guān)性能、極小
2022-04-19 08:00:00
的一個潛在問題是,僅有一個隔離輸入通道,而且依賴高壓驅(qū)動器來提供通道間所需的時序匹配以及應(yīng)用所需的死區(qū)。另一問題是,高壓柵極驅(qū)動器并無電流隔離,而是依賴結(jié)隔離來分離同一IC中的上橋臂驅(qū)動電壓和下橋臂驅(qū)動
2018-10-16 16:00:23
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
1、結(jié)構(gòu) 第一個功率MOSFET - 與小信號MOSFET不同 -出現(xiàn)在1978年左右上市,主要供應(yīng)商是Siliconix。它們是所謂的V-MOS設(shè)備。MOSFET的特點是源極和漏極之間的表面
2023-02-20 16:40:52
描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案,可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源,其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中,ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式,在1700℃溫度中進行退火激活。一個關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C
2019-09-17 09:05:05
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路(PFC電路)和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同,小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定,通常如果將勢壘高度
2019-05-07 06:21:51
SiCMOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
CRD-060DD17P-2,采用市售1700V碳化硅(SiC)MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計演示板。該設(shè)計采用1700V SiC MOSFET,采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝,占板面
2019-04-29 09:25:59
MOSFET中的開關(guān)損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下,均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環(huán)境溫度 150 °C 和最佳柵極-發(fā)射極閾值電壓下進行測試(圖
2023-02-22 16:34:53
柵極處獲得 20V,以便在最小 RDSon 時導(dǎo)通。 當(dāng)以0V關(guān)閉SiC MOSFET時,必須考慮一種效應(yīng),即Si MOSFET中已知的米勒效應(yīng)。當(dāng)器件用于橋式配置時,這種影響可能會出現(xiàn)問題,尤其是
2023-02-24 15:03:59
小型化。然而,必須首先解決一個問題:SiC MOSFET反向操作期間,體二極管雙極性導(dǎo)通會造成導(dǎo)通電阻性能下降。將肖特基勢壘二極管嵌入MOSFET,使體二極管失活的器件結(jié)構(gòu),但發(fā)現(xiàn)用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
低,可靠性高,在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓(VF)降低70%以上,實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
輸入動作禁止功能)、過流保護、二次側(cè)電壓過壓保護等。在高耐壓應(yīng)用中,與Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET具有開關(guān)損耗及傳導(dǎo)損耗少、溫度帶來的特性波動小的優(yōu)點。這些優(yōu)點有利于解決近年來的重要課題
2018-11-27 16:54:24
使用圖騰柱無橋PFC升壓轉(zhuǎn)換器,以減少二極管數(shù)量并提高效率[6],[7]。但是,硅MOSFET體二極管的反向恢復(fù)會導(dǎo)致連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)中的高功率損耗,從而使其不適用于高功率應(yīng)用。隨后,與SiC
2019-10-25 10:02:58
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET,損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET,損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代,現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品
2018-12-04 10:11:50
) MOSFET很難在圖騰柱PFC拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中的連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)下工作,因為體二極管的反向恢復(fù)特性很差。碳化硅(SiC) MOSFET采用全新的技術(shù),比Si MOSFET具有更勝一籌的開關(guān)性能、極小
2022-05-30 10:01:52
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制,采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝,通過精確的PWM控制提供強大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率,STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計、節(jié)省了空間,并增強了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
請問:驅(qū)動功率MOSFET,IBGT,SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素?
2019-07-31 10:13:38
ADI隔離柵極驅(qū)動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比,SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:421114 近年來超級結(jié)(Super Junction)結(jié)構(gòu)的MOSFET(以下簡稱“SJ-MOSFET”)應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET,ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中,ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用,在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:211381 從本文開始,我們將進入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作”。前言:MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進行解說。
2023-02-08 13:43:23491 在上一篇文章中,對SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路的導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進行了解說。
2023-02-08 13:43:23291 上一篇文章中,簡單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時的動作情況。
2023-02-08 13:43:23300 上一篇文章中介紹了LS開關(guān)導(dǎo)通時柵極 – 源極間電壓的動作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時的動作情況。低邊開關(guān)關(guān)斷時的柵極 – 源極間電壓的動作:下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:23399 本文的關(guān)鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極-源極間電壓的負(fù)電壓浪涌,來防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時,SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:16589 關(guān)于SiC功率元器件中柵極-源極間電壓產(chǎn)生的浪涌,在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明,如果需要了解,請參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 本文的關(guān)鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比,SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),
2023-02-16 09:40:102938 SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復(fù)雜,單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。但是,溝槽結(jié)構(gòu)可以增加單元密度,沒有JFET效應(yīng),寄生電容更小,開關(guān)速度快,開關(guān)損耗非常低;而且
2023-02-16 09:43:011446 在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中,ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜,通過工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化,實現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784 下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊(HS)和低邊(LS)是交替導(dǎo)通的,為了防止HS和LS同時導(dǎo)通,設(shè)置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時間。右下方的波形表示其門極信號(VG)時序。
2023-02-27 13:41:58737 驅(qū)動芯片,需要考慮如下幾個方面: 驅(qū)動電平與驅(qū)動電流的要求首先,由于SiC MOSFET器件需要工作在高頻開關(guān)場合,其面對的由于寄生參數(shù)所帶來的影響更加顯著。由于SiC MOSFET本身柵極開啟電壓較
2023-02-27 14:42:0479 SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復(fù)雜,單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
2023-04-01 09:37:171329 SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-前言”中介
2023-04-06 09:11:46731 布局注意事項。 橋式結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的柵極信號,由于工作時MOSFET之間的動作相互關(guān)聯(lián),因此導(dǎo)致SiC MOSFET的柵-源電壓中會產(chǎn)生意外的電壓浪涌。這種浪涌的抑制方法除了增加抑制電路外,電路板的版圖布局也很重要。希望您根據(jù)具體情況,參考本系列文章中介紹的
2023-04-13 12:20:02814 SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-前言”中介
2023-05-08 11:23:14644 SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點是工藝簡單,單元的一致性較好,雪崩能量比較高。但是,這種結(jié)構(gòu)的中間
2023-06-19 16:39:467 SiC設(shè)計干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:17223 SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路和Turn-on/Turn-off動作
2023-12-07 15:52:38185 SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:26157 MOSFET的基本結(jié)構(gòu)。SIC MOSFET是一種由碳化硅材料制成的傳導(dǎo)類型晶體管。與傳統(tǒng)的硅MOSFET相比,SIC MOSFET具有更高的遷移率和擊穿電壓,以及更低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。這些特性使其成為高溫高頻率應(yīng)用中的理想選擇。 SIC MOSFET在電路中具有以下幾個主要的作用: 1. 電源開關(guān)
2023-12-21 11:27:13687
評論
查看更多