過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性 某些情況下，即使使用高速MOSFET也無(wú)法降低導(dǎo)通損耗”。本文就其中一個(gè)原因即誤啟動(dòng)現(xiàn)象進(jìn)行說(shuō)明。 什么是誤啟動(dòng)現(xiàn)象 誤啟動(dòng)是因MOSFET的各柵極電容
2020-12-16 15:03:33
2009 
雙脈沖測(cè)試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開(kāi)關(guān)元件特性評(píng)估的一種測(cè)試方法。
2020-12-21 14:58:076812 
上一篇文章的內(nèi)容來(lái)閱讀本文。 通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET反向恢復(fù)特性 為了評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性，我們使用4種MOSFET實(shí)施了雙脈沖測(cè)試。4種MOSFET均為超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ MOSFET”），我們使用快速恢復(fù)型和普通型分別進(jìn)行了比較。 先來(lái)看具有快速恢復(fù)
2020-12-21 14:25:457583 
反向恢復(fù)過(guò)程： ? ? 通常把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反向截止所經(jīng)過(guò)的轉(zhuǎn)換過(guò)程稱為反向恢復(fù)過(guò)程 。由于反向恢復(fù)時(shí)間的存在，使二極管的開(kāi)關(guān)速度受到限制。 ??? 試想一下，如果二極管的反向恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)，那就
2022-12-10 17:06:3814762 
碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時(shí)，幾乎沒(méi)有反向恢復(fù)功率，反向恢復(fù)時(shí)間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復(fù)時(shí)間也小于10ns。
2023-02-08 17:23:231749 
除了上面的伏安特性曲線以外，對(duì)于二極管，你還需要知道兩個(gè)特性：二極管電容和反向恢復(fù)時(shí)間。這兩個(gè)特性掌握了之后，那對(duì)于通常的二極管來(lái)說(shuō)，你該知道的基本上就算都知道了。
2023-02-14 11:44:27649 
二極管的反向恢復(fù)時(shí)間Trr是指二極管截止后，從導(dǎo)通到關(guān)斷所用的時(shí)間。做開(kāi)關(guān)電源的都知道，這個(gè)參數(shù)很重要，但雅帆為了寫(xiě)這篇文章，查了很多二極管資料，里面都沒(méi)有標(biāo)出。自己動(dòng)手豐衣足食，測(cè)試過(guò)程與大家
2023-04-12 09:06:145601 超快恢復(fù)二極管是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間超短的半導(dǎo)體二極管，常用來(lái)給高頻逆變裝置的開(kāi)關(guān)器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離、輸出和輸入整流器，使開(kāi)關(guān)器件的功能得到充分發(fā)揮。超快恢復(fù)二極管是用電設(shè)備
2023-07-08 10:08:331016 
基于橋式結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，例如半橋、全橋和LLC的電源系統(tǒng)，同步Buck變換器的續(xù)流開(kāi)關(guān)管、以及次級(jí)同步整流開(kāi)關(guān)管， 其體內(nèi)寄生的二極管都會(huì)經(jīng)歷反向電流恢復(fù)的過(guò)程。
2023-12-04 16:05:40822 
等于MOSFET的最大脈沖電流。二極管正向壓降：二極管導(dǎo)通時(shí)，在規(guī)定的IF下測(cè)到的MOSFET源漏極間壓降。反向恢復(fù)時(shí)間：反向恢復(fù)電荷完全移除所需要的時(shí)間。反向恢復(fù)電荷：二極管導(dǎo)通期間存儲(chǔ)在二極管中
2018-07-12 11:34:11
脈沖下當(dāng)做開(kāi)關(guān)使用。如果反向脈沖的持續(xù)時(shí)間比tr 短, 則二極管在正、反向都可導(dǎo)通, 起不到開(kāi)關(guān)作用。因此了解二極管反向恢復(fù)時(shí)間對(duì)正確選取管子和合理設(shè)計(jì)電路至關(guān)重要。開(kāi)關(guān)從導(dǎo)通狀態(tài)向截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變
2019-12-03 10:16:05
時(shí)間如下圖所示，快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間是電流從正向通過(guò)零點(diǎn)到反向，再?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">反向到規(guī)定的低值的時(shí)間間隔。其實(shí)就是釋放快恢復(fù)二極管正向?qū)ㄆ陂g儲(chǔ)存在PN結(jié)擴(kuò)散電容中的電荷。反向恢復(fù)時(shí)間決定了快恢復(fù)二極管可用
2021-07-30 14:33:17
支持大功率、小功率快恢復(fù)二極管FRD和肖特基二極管的TRR反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試,且支持MOSFET/IGBT的寄生二極管/內(nèi)建二極管。該系統(tǒng)設(shè)備可以實(shí)時(shí)觀察測(cè)試曲線，存儲(chǔ)測(cè)試數(shù)據(jù)，自動(dòng)分析反向恢復(fù)時(shí)間相關(guān)
2023-01-15 09:31:46
本帖最后由 aikstech666 于 2023-1-15 09:41 編輯
通過(guò)DI-1nS-1n4148測(cè)試三款二極管反向恢復(fù)時(shí)間，測(cè)試結(jié)果如下：
2022-11-19 14:21:22
利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路，改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置，即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡(jiǎn)稱FRD）的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。一、FRD工作時(shí)的風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估IGBT模塊中的并聯(lián)FRD，是一個(gè)
2019-09-27 14:04:00
過(guò)程是否有電壓尖峰，
評(píng)估實(shí)際應(yīng)用是否需要吸收電路；5、
評(píng)估二極管的
反向恢復(fù)行為和安全裕量；6、測(cè)量母排的雜散電感；
雙脈沖測(cè)試原理圖1
雙脈沖測(cè)試平臺(tái)的電路及理想波形IGBT
雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)電路及電路拓?fù)?/div>
2019-09-11 09:49:33
了門(mén)極信號(hào)；如同直通電流一樣，它會(huì)影響到該開(kāi)關(guān)電源。這會(huì)產(chǎn)生很大的反向恢復(fù)dv/dt，有時(shí)會(huì)擊穿MOSFET Q2。這樣就會(huì)導(dǎo)致MOSFET失效，并且當(dāng)采用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性較差
2019-09-17 09:05:04
滿足了發(fā)生反向恢復(fù)的條件。D1的反向電流iD1疊加上負(fù)載電流iload就會(huì)在S2的集電極電流上表現(xiàn)為電流尖峰，如圖2所示?！ D2. 雙脈沖測(cè)試波形 關(guān)于二極管反向恢復(fù)特性更為詳細(xì)的測(cè)試說(shuō)明，大家
2020-12-08 15:44:26
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對(duì)SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說(shuō)明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET
2018-11-27 16:40:24
需要談到在半導(dǎo)體中移動(dòng)的電子和空穴。先通過(guò)波形圖來(lái)了解SiC-SBD和Si-PND反向恢復(fù)特性的不同。右側(cè)波形圖為SiC-SBD和高速PND即Si-FRD反向恢復(fù)時(shí)的電流和時(shí)間。從波形圖可見(jiàn)紅色
2018-11-29 14:34:32
進(jìn)行了比較，通過(guò)實(shí)驗(yàn)及仿真得出有用的結(jié)論。1 二極管反向恢復(fù)原理以普通PN結(jié)二極管為例，PN結(jié)內(nèi)載流子由于存在濃度梯度而具有擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，同時(shí)由于電場(chǎng)作用存在漂移運(yùn)動(dòng)，兩者平衡后在PN結(jié)形成空間電荷區(qū)。當(dāng)
2017-08-17 18:13:40
次數(shù)為2次，示波器采用單次觸發(fā)。 采用MSO58功率器件分析功能可以直接得出CoolGaN?的動(dòng)態(tài)參數(shù)。左下的測(cè)試提示Ic off是因?yàn)橛w凌的CoolGaN?完全沒(méi)有反向恢復(fù)電流，從測(cè)試數(shù)據(jù)中可以看到
2020-02-14 11:16:06
本帖最后由 熊宇豪 于 2022-2-16 16:45 編輯
`在學(xué)習(xí)評(píng)估板的user guide之后，了解其基本功能和組成電路組成，首先對(duì)SiC管做雙脈沖測(cè)試考察其開(kāi)關(guān)特性。對(duì)于雙脈沖測(cè)試
2020-06-18 17:57:15
單片機(jī) 定時(shí)器PWM輸出。HS端口 MOSFET 的雙脈沖測(cè)試原理圖測(cè)試上電順序負(fù)載電感自己繞制空心電感，多個(gè)電容串并聯(lián)。測(cè)試波SCT3040KRElectrical characteristics```
2020-07-26 23:24:05
為什么普通整流二極管都沒(méi)標(biāo)反向恢復(fù)時(shí)間？
2023-04-20 16:43:24
二極管是單向?qū)?，那?b class="flag-6" style="color: red">反向恢復(fù)時(shí)間是什么，需要怎么測(cè)試
2023-09-27 07:51:57
什么是反向恢復(fù)過(guò)程？二極管在開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中出現(xiàn)的反向恢復(fù)過(guò)程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
)：1.5V芯片尺寸：120MIL浪涌電流Ifsm：300A漏電流(Ir)：10uA工作溫度：-50~+150℃恢復(fù)時(shí)間(Trr)：35nS引線數(shù)量：3 二極管SFF3006反向恢復(fù)過(guò)程，現(xiàn)代脈沖電路中大
2021-11-30 16:28:50
以AC/DC Boost開(kāi)關(guān)電源為例，如圖1所示，主電路中輸人整流橋二極管產(chǎn)生的反向恢復(fù)電流的di/dt遠(yuǎn)比輸出二極管D反向恢復(fù)電流的|di/dt|要小得多。圖2是圖1開(kāi)關(guān)電源中輸人整流橋二極管
2021-06-30 16:37:09
上一篇文章我們?cè)敿?xì)討論了二極管的結(jié)電容：勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容。我們也知道了數(shù)據(jù)手冊(cè)中所給出的結(jié)電容參數(shù)，它的大小和反向恢復(fù)時(shí)間沒(méi)有關(guān)系。如下表所示：序號(hào)種類(lèi)型號(hào)結(jié)電容反向恢復(fù)時(shí)間封裝品牌1普通
2021-10-18 10:28:06
一、二極管的反向恢復(fù)時(shí)間①舉例理解如上圖，在二極管正極輸入正負(fù)脈沖方波信號(hào)，理想二極管輸出應(yīng)該是高電平和低電平，但實(shí)際上二極管有一個(gè)反向恢復(fù)時(shí)間trr。如上圖，在電壓從正向突然變成負(fù)向的瞬間，二極管
2023-02-15 14:24:47
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問(wèn)題。借助于我的LMG5200和一個(gè)差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問(wèn)題。借助于我的LMG5200和一個(gè)差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
或者說(shuō)過(guò)程，我們稱之為反向恢復(fù)過(guò)程。只要是雙極型器件，就會(huì)有非平衡載流子的注入，那么就存在所謂的反向恢復(fù)過(guò)程。這種特性嚴(yán)重限制了器件在高頻需求下的性能，我們要做的就是研究并減小反向恢復(fù)這個(gè)過(guò)程的時(shí)間。(a
2023-02-14 15:46:54
二極管反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試儀 長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司滿足國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)：GB/T8024-2010，使用矩形波法測(cè)試反向恢復(fù)時(shí)間。一：主要特點(diǎn)A：測(cè)量多種二極管B：二極管反向電流峰值100A（定制）C
2015-03-05 09:30:50
大功率MOSFET、IGBT怎么雙脈沖測(cè)試，調(diào)門(mén)極電阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
是否有白皮書(shū)明確規(guī)定了如何使用 MosFET 開(kāi)啟特性來(lái)抑制浪涌電流？
設(shè)計(jì)類(lèi)似于 TLE9853 評(píng)估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。
通過(guò)模擬感性負(fù)載，我們 CAN 控制電流
2024-01-29 07:41:55
如何選擇開(kāi)關(guān)電源次級(jí)輸出的整流二極管的反向恢復(fù)時(shí)間？
2023-05-15 17:47:45
?快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時(shí)間（tr）的定義：電流通過(guò)零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。在快恢復(fù)二極管里，IF為正向電流，IRM為最大反向恢復(fù)電流。Irr
2021-05-14 14:12:50
10mA；通過(guò)電位器螺絲刀，調(diào)節(jié)反向恢復(fù)電流20mA。二極管具有方向，方向如果接得不對(duì)，接入錯(cuò)誤指示燈亮，此時(shí)更換二極管方向第五步：示波器讀數(shù)。將抓取到的測(cè)試波形進(jìn)行展開(kāi)為25nS一格，得到如下圖所示的波形
2015-03-11 14:02:20
已經(jīng)上傳了驅(qū)動(dòng)部分的原理圖，我剛進(jìn)一個(gè)做MOS的公司，有個(gè)客戶是這樣的，他說(shuō)我們的管子溫度比他的高了20度，MOS的Trr和Qrr都比較大，反向恢復(fù)損耗比較高，有什么辦法可以降低嗎，讓MOS的溫度的降下來(lái)
2019-09-11 04:23:31
`<div> 揭秘肖特基二極管的反向恢復(fù)時(shí)間 肖特基二極管和一般二極管的差異在于反向恢復(fù)時(shí)間，也就是肖特基二極管由流過(guò)正向電流的導(dǎo)通狀態(tài)，切換到不導(dǎo)通狀態(tài)所需的時(shí)間
2018-11-02 11:54:12
整流二極管的反向恢復(fù)過(guò)程
2021-01-08 06:22:44
的IGBT 的性能。（2）獲取IGBT 在開(kāi)關(guān)過(guò)程的主要參數(shù)，以評(píng)估Rgon及Rgoff 的數(shù)值是否合適，評(píng)估是否需要配吸收電路等。（3） 考量IGBT在變換器中工作時(shí)的實(shí)際表現(xiàn)。例如二極管的反向恢復(fù)
2021-02-25 10:43:27
+TCP0030A+IGBT town軟件五、方案優(yōu)勢(shì)：1.可靠、可重復(fù)地測(cè)試IGBT及MOSFET (包括第三代半導(dǎo)體器件SiC、GaN )功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)特征2.測(cè)量的特征包括開(kāi)啟、關(guān)閉、開(kāi)關(guān)切換、反向恢復(fù)、柵極
2021-05-20 11:17:57
連線的電源短路。圖2顯示的是經(jīng)修改的評(píng)估模塊 (EVM) 電路原理圖。圖2：用于反向恢復(fù)測(cè)量的經(jīng)修改的硅橋圖3顯示了插入分流電阻器后的TPS40170 EVM。圖3：EVM探測(cè)技術(shù)圖4顯示的是開(kāi)關(guān)
2018-09-03 15:17:37
效應(yīng)引起的, 反向恢復(fù)時(shí)間就是存儲(chǔ)電荷耗盡所需要的時(shí)間。該過(guò)程使二極管不能在快速連續(xù)脈沖下當(dāng)做開(kāi)關(guān)使用。如果反向脈沖的持續(xù)時(shí)間比tr 短, 則二極管在正、反向都可導(dǎo)通, 起不到開(kāi)關(guān)作用。
2020-02-25 07:00:00
請(qǐng)教一下大佬二極管的反向恢復(fù)時(shí)間是什么意思？
2023-04-04 14:39:39
超高速二極管反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試儀一：主要特點(diǎn)A：測(cè)量多種二極管B：二極管反向電流2.5~10mAC：二極管正向電流2.5~50mA D：測(cè)量精度1nSE：二極管接反、短路開(kāi)路保護(hù)F：示波器圖形顯示G
2015-03-11 13:56:18
測(cè)量電路如下圖。由直流電流源供規(guī)定的IF，脈沖發(fā)生器經(jīng)過(guò)隔直電容器C加脈沖信號(hào)，利用電子示波器觀察到的trr值，即是從I=0的時(shí)刻到IR=Irr時(shí)刻所經(jīng)歷的時(shí)間。當(dāng)IRM為一定時(shí)，反向恢復(fù)電荷愈小，反向恢復(fù)時(shí)間就愈短。
2019-10-11 13:08:35
二極管反向恢復(fù)時(shí)間及簡(jiǎn)易測(cè)試在開(kāi)關(guān)電路中應(yīng)用的二極管，反向恢復(fù)時(shí)間是一個(gè)主要參數(shù)。用圖示儀器直接觀察特性曲錢(qián)是理想的測(cè)試方法，但需要專(zhuān)用測(cè)試設(shè)備。本文闡述了二
2008-11-19 18:09:16
115 :本文簡(jiǎn)要地介紹了超快速二極的性能管對(duì)電力電子電路的影響和現(xiàn)代功率變換對(duì)超快速二極管反向恢復(fù)特性的要求，超快速二極管的反向恢復(fù)參數(shù)與使用條件的關(guān)系和一些最新超快
2009-10-19 10:24:0939 測(cè)量功率二極管的反向恢復(fù)時(shí)間簡(jiǎn)單有效方法
在互聯(lián)網(wǎng)上很少看到測(cè)量二極管的反向恢復(fù)時(shí)間(trr and Irr)簡(jiǎn)單有效方法。一些在網(wǎng)上提供的方法,或者需要特別的
2009-11-11 09:48:31100 超快速二極管的反向恢復(fù)特性摘要:本文簡(jiǎn)要地介紹了超快速二極的性能管對(duì)電力電子電路的影響和現(xiàn)代功率變換對(duì)超快速二極管反向恢復(fù)特性的要求，超快速
2009-11-11 11:22:4819 恒流工作模式和脈沖恒流工作模式， 測(cè)試二極管反向恢復(fù)時(shí)間穩(wěn)定可靠。 二 應(yīng)用范圍 高速信號(hào)二極管 三 測(cè)量原理 它包括下降
2023-07-11 11:43:47
已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論