功率MOSFET管
自1976年開發(fā)出功率MOSFET以來，由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，它的性能不斷提高：如高壓功率MOSFET其工作電
2009-11-07 09:23:12
1870 MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。本文探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路。
2016-12-15 16:00:3417031 
功率場效應(yīng)管自身擁有眾多優(yōu)點(diǎn)，但是MOSFET管具有較脆弱的承受短時過載能力，特別是在高頻的應(yīng)用場合，所以在應(yīng)用功率MOSFET對必須為其設(shè)計(jì)合理的保護(hù)電路來提高器件的可靠性。功率MOSFET保護(hù)電路主要有以下幾個方面：
2018-12-25 09:43:009378 
功率電路中常用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的MOSFET(還有橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)的MOSFET，但很少用于耐高壓的功率電路中)，如下圖是這種MOSFET的分層結(jié)構(gòu)圖。
2023-02-16 11:25:471304 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
這些超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷（Qrr）和超快快恢復(fù)時間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(on) x Qg），能夠?yàn)橐髧?yán)苛的橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
導(dǎo)致電壓尖脈沖、輻射和傳導(dǎo)EMI增加。為選擇正確的柵極驅(qū)動阻抗以滿足導(dǎo)通di/dt 的需求，可能需要進(jìn)行電路內(nèi)部測試與驗(yàn)證，然后根據(jù)MOSFET轉(zhuǎn)換曲線可以確定大概的值 (見圖3)。假定在導(dǎo)
2018-08-27 20:50:45
MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)
2021-02-25 06:05:27
具備控制功率小、開關(guān)速度快的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于低中高壓的電路中，是功率半導(dǎo)體的基礎(chǔ)器件。在如今興起的新能源電動車中，硅基MOSFET是不可或缺的存在。MOSFET是汽車電子中的核心元件，汽車引擎、驅(qū)動系統(tǒng)
2023-02-21 15:53:05
功率mosfet 在中國IC市場中有很大的市場，2010年預(yù)計(jì)整個MOSFET的市場收益大于160億。主要的應(yīng)用使數(shù)據(jù)處理如： 臺式電腦，筆記本，還有家電，汽車和工業(yè)控制。。功率MOSFET 按分裝
2011-03-07 14:30:04
分享功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
，和推薦的印制電路板(PCB)占用面積。在為應(yīng)用選擇合適的器件時，首先從最大額定值表開始考慮。最大額定值表中指定了最大漏源電壓和柵源電壓。這是在決定一個功率MOSFET是否適用于設(shè)計(jì)時首先要看的地方。例如，智能手機(jī)
2018-10-18 09:13:03
本資料主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動電路和在動態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求，對驅(qū)動電路進(jìn)行了
2019-03-01 15:37:55
功率MOSFET的感性負(fù)載關(guān)斷過程和開通過程一樣，有4個階段，但是時間常數(shù)不一樣。驅(qū)動回路的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率MOSFET內(nèi)部的柵極電阻
2017-03-06 15:19:01
過程中的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗內(nèi)容將分成二次分別講述開通過程和開通損耗，以及關(guān)斷過程和和關(guān)斷損耗。功率MOSFET及驅(qū)動的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率
2017-02-24 15:05:54
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計(jì)算 同步整流器的功耗如何計(jì)算
2021-03-11 07:32:50
功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃?b class="flag-6" style="color: red">電路（1）：等效電路（2）：說明功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻
2021-09-05 07:00:00
一、功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃?b class="flag-6" style="color: red">電路1）等效電路：2）說明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻
2021-08-29 18:34:54
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴(kuò)散型
2016-10-10 10:58:30
不同，對測量結(jié)果的影響非常大。IAR和EAR的測試電路和單脈沖雪崩電流以及單脈沖雪崩能量一樣，中、低功率MOSFET使用去耦測量電路，高壓功率MOSFET使用非去耦測量電路，只是在測試過程中使用多個重復(fù)
2017-09-22 11:44:39
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結(jié)功率MOSFET技術(shù)白皮書資料來自網(wǎng)絡(luò)
2019-06-26 20:37:17
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
針對采用單片集成功率 MOSFET 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器解決方案上，探討使用控制器驅(qū)動分立式高、低側(cè)功率 MOSFET 對的 DC/DC 穩(wěn)壓器電路適用的 EMI 的抑制技術(shù)，到底有哪些具體要求？
2019-09-10 15:18:08
具有廣泛的保護(hù)功能，可增強(qiáng)系統(tǒng)的安全性和可靠性。當(dāng)驅(qū)動器溫度高于內(nèi)置熱折返保護(hù)觸發(fā)點(diǎn)時，AL1697開始降低輸出電流。
特性
兩種內(nèi)部高壓MOSFET選項(xiàng)：用于超級結(jié)的RDSON 4Ω和1.8
2023-10-12 15:09:18
產(chǎn)品描述 QQ289 271 5427 DP950XB系列是高度集成的恒流LED功率開關(guān)， 芯片采用了準(zhǔn)諧振的工作模式，無需輔助繞組檢測 消磁。同時內(nèi)部集成有高壓500V功率MOSFET和 高壓自供
2019-09-27 15:10:01
概述 FM7318A是內(nèi)置高壓功率MOSFET的電流模式PWM控制芯片，適用于全電壓18W離線式反激開關(guān)電源，具有高性能、低待機(jī)功耗、低成本的優(yōu)點(diǎn)?！ 榱吮ＷC芯片正常工作，F(xiàn)M7318A針對
2020-07-06 10:57:25
`光電耦合器IGBT驅(qū)動TLP250的結(jié)構(gòu)和使用方法，給出了其與功率MOSFET和DSP控制器接口的硬件電路圖。在闡述IRF840功率MOSFET的開關(guān)特性的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了吸收回路。最后結(jié)合直流斬波
2012-06-14 20:30:08
IPS5451是美國國家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高壓側(cè)功率MOSFET開關(guān)，它為單列5腳封裝，工作電壓50V，電流35A，Rds(on) 25m歐姆。
2021-04-23 07:32:01
LLC電路簡介LLC，即半橋諧振電路，隨著開關(guān)電源功率密度的增加，需要我們不斷增加開關(guān)頻率，以減小變壓器和濾波器等器件的尺寸。但是過高的開關(guān)損耗成為高頻的障礙，因此諧振開關(guān)技術(shù)得到了很大發(fā)展，LLC
2019-09-17 09:05:04
NCP5181BAL36WEVB，NCP5181,36 W鎮(zhèn)流器評估板。 NCP5181是一款高壓功率MOSFET驅(qū)動器，提供兩路輸出，用于直接驅(qū)動2個N溝道功率MOSFET，這些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
模塊電源的開關(guān)頻率來降低驅(qū)動損耗，從而進(jìn)一步提高輕負(fù)載條件下的效率，使得系統(tǒng)在待機(jī)工作下，更節(jié)能，進(jìn)一步提高蓄電池供電系統(tǒng)的工作時間，并且還能夠降低EMI的輻射問題;2.通過降低、來減少MOSFET
2019-09-25 07:00:00
N+區(qū)，作為功率MOSFET導(dǎo)通時的電流通路，也就是將反向阻斷電壓與導(dǎo)通電阻功能分開，分別設(shè)計(jì)在不同的區(qū)域，就可以實(shí)現(xiàn)上述的要求?；?b class="flag-6" style="color: red">超結(jié)SuperJunction的內(nèi)建橫向電場的高壓功率MOSFET
2017-08-09 17:45:55
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器可以驅(qū)動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
變速驅(qū)動的需求是什么兼顧性能、成本的高壓功率半導(dǎo)體驅(qū)動IC應(yīng)用
2021-04-21 07:06:40
程中導(dǎo)致開關(guān)電流升高。 盡管超結(jié)MOSFET開關(guān)管優(yōu)化過的體硅二極管大幅降低了能耗，但I(xiàn)GBT還是能夠利用共同封裝的超快速二極管降低導(dǎo)通能耗?！ ≡诘?b class="flag-6" style="color: red">功率壓縮機(jī)驅(qū)動電路內(nèi)，意法半導(dǎo)體最新超結(jié)MOSFET
2018-11-20 10:52:44
時，考慮了激光調(diào)整，以防止激光熱量的注入影響整個晶體管的工作。應(yīng)用混合信號制造技術(shù)而不影響可制造性成本?？偨Y(jié)在批量生產(chǎn)中使用激光修整已經(jīng)進(jìn)行了多年。在高壓超結(jié)功率MOSFET的情況下，采用這種制造技術(shù)是獨(dú)特且開創(chuàng)性的。它不僅為設(shè)計(jì)人員追求電路優(yōu)化開辟了許多新方法，而且這種微調(diào)選項(xiàng)可用于大批量生產(chǎn)。
2023-02-27 10:02:15
測量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
的功率耗散和允許環(huán)境溫度通過計(jì)算得出。當(dāng)允許的環(huán)境溫度達(dá)到或略高于我們所期望的機(jī)箱內(nèi)最高溫度時（機(jī)箱內(nèi)安裝了電源及其所驅(qū)動的電路），這個過程就結(jié)束了。 迭代過程始于為每個MOSFET假定一個結(jié)溫，然后
2021-01-11 16:14:25
功率三極管（GTR）來做比較的：優(yōu)點(diǎn)—開關(guān)速度快、輸入阻抗高、驅(qū)動方便等；缺點(diǎn)—難以制成高電壓、大電流型器件，這是因?yàn)槟蛪焊叩?b class="flag-6" style="color: red">功率 MOSFET 的通態(tài)電阻較大的緣故。言歸正傳，下面來看看具體如何選型
2019-11-17 08:00:00
問題：如何通過驅(qū)動高功率LED降低EMI？
2019-03-05 14:33:29
變壓器耦合方式來實(shí)現(xiàn)對高壓功率開關(guān)器件的激勵和輸入級與輸出級之間的隔離，同時還兼有對功率開關(guān)器件關(guān)斷時，施加反向偏置，來加速器件的關(guān)斷。當(dāng)驅(qū)動MOSFET器件時，常規(guī)的驅(qū)動電路是用一個驅(qū)動變壓器實(shí)現(xiàn)
2009-10-24 09:30:11
怎么實(shí)現(xiàn)MOSFET的半橋驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)？
2021-10-11 07:18:56
HiperLCS是一款集成了多功能控制器、高壓端和低壓端柵極驅(qū)動以及兩個功率MOSFET的LLC半橋功率級。圖1（上）所示為采用HiperLCS器件的功率級結(jié)構(gòu)簡圖，其中LLC諧振電感集成在變壓器中
2019-03-07 14:39:44
設(shè)計(jì)角度，討論如何降低電路 EMI。為提高開關(guān)電源的功率密度，電源工程師首先想到的辦法是選擇開關(guān)頻率更高的 MOSFET,通過提高開關(guān)速度可以顯著地減小輸出濾波器體積，從而在單位體積內(nèi)可實(shí)現(xiàn)更高的功率
2020-10-10 08:31:31
摘要：針對橋式拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">功率MOSFET因柵極驅(qū)動信號振蕩產(chǎn)生的橋臂直通問題，給出了計(jì)及各寄生參數(shù)的驅(qū)動電路等效模型，對柵極驅(qū)動信號振蕩的機(jī)理進(jìn)行了深入研究，分析了驅(qū)動電路各參數(shù)與振蕩的關(guān)系，并以此為依據(jù)
2018-08-27 16:00:08
的寄生電容和以下的因素相關(guān)：? 溝道的寬度和溝槽的寬度? G極氧化層的厚度和一致性? 溝槽的深度和形狀? S極體-EPI層的摻雜輪廓? 體二極管PN結(jié)的面積和摻雜輪廓高壓平面功率MOSFET的Crss由
2016-12-23 14:34:52
功率MOSFET來說，通常連續(xù)漏極電流是一個計(jì)算值。當(dāng)器件的封裝和芯片的大小一定時，如對于底部有裸露銅皮的封裝TO220，D2PAK，DFN5*6，DPAK等，那么器件的結(jié)到裸露銅皮的熱阻RqJC是一
2016-08-15 14:31:59
AN1315，用于三相電機(jī)驅(qū)動的L6386 MOSFET功率驅(qū)動器評估板。 L6386，用于三相電機(jī)驅(qū)動的MOSFET功率驅(qū)動器。三相演示板是用于評估和設(shè)計(jì)高壓柵極驅(qū)動器L6386的參考套件。用戶
2019-07-03 09:22:07
控雙極性晶體管IGBTIGBT晶體管是集GP與MOSFET二者優(yōu)點(diǎn)于一體的復(fù)合器件，既有MOSFET輸入阻抗高、速度快、開關(guān)損耗小、驅(qū)動電路簡單、要求驅(qū)動功率小、極限工作溫度高、易驅(qū)動的特點(diǎn)穩(wěn)定運(yùn)行直流
2018-11-27 11:04:24
供電，其中輸入電壓V在直接來自總線電壓。這可能會有很大的電壓變化，包括由于應(yīng)用環(huán)境而導(dǎo)致的高壓尖峰。耗盡型MOSFET可用于在線性穩(wěn)壓器電路中實(shí)現(xiàn)浪涌保護(hù)，如圖5所示。MOSFET 以源極跟隨器配置連接
2023-02-21 15:46:31
運(yùn)放正負(fù)12伏供電，運(yùn)放輸出端連接mosfet的G極。mosfet的D連接500v直流高壓，mosfet的S極連接一個20歐姆電阻到地，20歐姆電阻連接運(yùn)放反饋端，我想把運(yùn)放個mosfet進(jìn)行隔離，求方案。求器件。整個原理其實(shí)就是運(yùn)放控制mosfet實(shí)現(xiàn)電流源。
2018-08-02 08:55:51
設(shè)計(jì)角度，討論如何降低電路EMI。為提高開關(guān)電源的功率密度，電源工程師首先想到的辦法是選擇開關(guān)頻率更高的MOSFET,通過提高開關(guān)速度可以顯著地減小輸出濾波器體積，從而在單位體積內(nèi)可實(shí)現(xiàn)更高的功率等級
2020-10-21 07:13:24
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
等級，同時，在器件導(dǎo)通時，形成一個高摻雜N+區(qū)，作為功率MOSFET導(dǎo)通時的電流通路，也就是將反向阻斷電壓與導(dǎo)通電阻功能分開，分別設(shè)計(jì)在不同的區(qū)域，就可以實(shí)現(xiàn)上述的要求。基于超結(jié)
2018-10-17 16:43:26
。在此基礎(chǔ)上，本文繼續(xù)探討使用控制器驅(qū)動分立式高、低側(cè)功率 MOSFET 對的 DC/DC 穩(wěn)壓器電路適用的 EMI 的抑制技術(shù)。使用控制器（例如圖 1 所示同步降壓穩(wěn)壓器電路中的控制器）的實(shí)現(xiàn)方案具有諸多優(yōu)點(diǎn)
2022-11-09 08:02:39
極電流，驅(qū)動電路簡單，需要的驅(qū)動功率小，開關(guān)速度快，工作頻率高，熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR， 但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理 功率
2023-02-27 11:52:38
本文分析了功率MOSFET 對驅(qū)動電路的要求，對電路中的正弦波發(fā)生電路，信號放大電路和兩路隔離輸出變壓器進(jìn)行了設(shè)計(jì)。仿真和試驗(yàn)結(jié)果證明了所設(shè)計(jì)驅(qū)動電路的可行性。關(guān)
2009-06-18 08:37:15
59 功率MOSFET驅(qū)動電路分析:針對功率MOSFET的特點(diǎn)，介紹由多個—概管組成的組臺式驅(qū)動電路．在逆變焊接電源上做了實(shí)驗(yàn)．驗(yàn)證了該方法的合理性。關(guān)鍵詞：功率MOSFET，半橋式電路，
2010-04-12 08:36:5470 摘要：介紹了一種用于功率MOSFET的諧振柵極驅(qū)動電路。該電路通過循環(huán)儲存在柵極電容中的能量來實(shí)現(xiàn)減少驅(qū)動功率損耗的目的，從而保證了此驅(qū)動電路可以在較高的頻率下工作。
2010-05-04 08:38:1253 本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動電路和在動態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求，
2010-11-11 15:34:22201 功率MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動電路
2009-04-02 23:36:182182 
高壓變壓器驅(qū)動電路
高壓變壓器驅(qū)動電路采用單端驅(qū)動工作方式，這種電路簡單、工作可靠性高。功率管由
2009-08-07 21:19:494412 
IGBT高壓大功率驅(qū)動和保護(hù)電路的應(yīng)用及原理
通過對功率器件IGBT的工作特性分析、驅(qū)動要求和保護(hù)方法等討
2009-10-09 09:56:011851 
IGBT高壓大功率驅(qū)動和保護(hù)電路的應(yīng)用研究
IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET
2009-11-13 15:43:50743 
MOSFET與MOSFET驅(qū)動電路原理及應(yīng)用
下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的
2009-12-29 10:41:099784 用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間
2010-05-12 18:17:18951 本內(nèi)容提供了功率MOSFET與高壓集成電路的知識概括。眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關(guān)速度優(yōu)異。可以說具有理想開關(guān)的特性。其主要缺點(diǎn)是開
2011-07-22 11:28:47235 本文介紹了專用驅(qū)動芯片組UC3724的主要特點(diǎn)和原理, 并對其構(gòu)成的功率MOSFET驅(qū)動電路進(jìn)行了分析和實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明, 該集成驅(qū)動電路具有開關(guān)速度快, 且能滿足驅(qū)動所需的功率, 是一種
2011-09-14 17:34:39114 高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 
功率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET驅(qū)動器的功
2012-03-05 15:56:44134 分析了對功率MOSFET器件的設(shè)計(jì)要求；設(shè)計(jì)了基于EXB841驅(qū)動模塊的功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡單，實(shí)用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在電渦流測功機(jī)勵磁線圈驅(qū)動電路中的實(shí)
2012-03-14 14:23:48221 功率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET驅(qū)動器的功
2012-10-10 16:32:583880 
功率MOSFET驅(qū)動和保護(hù)電路，以及其的相關(guān)應(yīng)用。
2016-04-26 16:01:467 采用集成高壓MOSFET和Qspeed?二極管的高功率PFC控制器
2016-05-11 15:18:1421 集成的LLC控制器、高壓功率MOSFET及驅(qū)動器設(shè)計(jì)，感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:00:0830 IGBT高壓大功率驅(qū)動和保護(hù)電路的應(yīng)用及原理，感興趣的小伙伴們可以看看。
2016-07-26 11:11:0026 本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見的mosfet驅(qū)動電路設(shè)計(jì)，功率mosfet驅(qū)動電路原理圖。
2016-08-04 18:15:3534308 
LCS700-708 HiperLCS?產(chǎn)品系列集成的LLC控制器、高壓功率MOSFET及驅(qū)動器
2016-11-23 11:00:160 大功率開關(guān)電源中功率MOSFET驅(qū)動技術(shù)
2017-09-14 09:55:0225 高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動器電路：
2017-10-19 16:02:3723 的主要功能是將脈寬控制器輸出的可變寬度脈沖進(jìn)行功率放大，以作為高壓功率開關(guān)器件的驅(qū)動信號。驅(qū)動電路一般都具有隔離作用，常用變壓器耦合方式來實(shí)現(xiàn)對高壓功率開關(guān)器件的激勵和輸入級與輸出級之間的隔離，同時
2018-09-20 18:26:553032 大功率LED高壓驅(qū)動電路,LED driver
關(guān)鍵字：大功率LED高壓驅(qū)動電路
本電路可驅(qū)動5~12只大功率LED，可用于照明場合
2018-09-20 19:50:172470 功率MOSFET通常由PWM或其它模式的控制器IC內(nèi)部的驅(qū)動源來驅(qū)動，為了提高關(guān)斷的速度，實(shí)現(xiàn)快速的關(guān)斷降低關(guān)斷損耗提高系統(tǒng)效率，在很多ACDC電源、手機(jī)充電器以及適配器的驅(qū)動電路設(shè)計(jì)中，通常
2020-06-07 12:01:325064 電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:587444 
為解決功率MOSFET因柵極驅(qū)動信號振蕩產(chǎn)生的過熱損壞問題，從MOSFET的模型入手，給出了考慮驅(qū)動電路各寄生參數(shù)的半橋逆變電路等效模型．深入分析了柵極振蕩的產(chǎn)生機(jī)理，推導(dǎo)了各參數(shù)與振蕩之間的關(guān)系
2021-05-10 10:05:3877 為了研究 Boost 變流器中 MOSFET 門極驅(qū)動電路的電磁干擾（EMI）發(fā)射特性，通過測試將 Boost 變流器門極信號的 EMI 發(fā)射與整機(jī) EMI 發(fā)射分離。分離的測試結(jié)果表明門極電路自身
2021-05-30 09:58:0216 功率MOSFET的驅(qū)動電路設(shè)計(jì)論文
2021-11-22 15:57:3784 傳統(tǒng)的電機(jī)驅(qū)動解決方案是門級驅(qū)動芯片+功率 MOSFET 的架構(gòu)。對于三相無刷直流電機(jī)來說，需要6個外置的 MOSFET 組成三個橋臂來分別驅(qū)動每相繞組。在當(dāng)前電子產(chǎn)品模塊越來越小的發(fā)展趨勢下，這種解決方案有個主要缺點(diǎn)：電路板尺寸偏大。
2021-12-16 16:13:384444 
功率 MOSFET 是最常見的功率半導(dǎo)體，主要原因是因?yàn)槠鋿艠O驅(qū)動需要的功率小、以及快速的切換速度，使其成為電機(jī)驅(qū)動時最常用的功率半導(dǎo)體。本文將為您簡介功率 MOSFET 的技術(shù)特性，以及由安森美（onsemi）推出的NTBLS1D5N10MC功率MOSFET的產(chǎn)品特性。
2022-09-27 15:17:561407 
本文介紹了三個驅(qū)動MOSFET工作時的功率計(jì)算 以及通過實(shí)例進(jìn)行計(jì)算 輔助MOSFET電路的驅(qū)動設(shè)計(jì)中電流的計(jì)算 不是mosfet導(dǎo)通電流 是mosfet柵極驅(qū)動電流計(jì)算和驅(qū)動功耗計(jì)算
2022-11-11 17:33:0335 在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動電路。
2023-04-29 09:35:005293 
SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417
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