碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
商用。 碳化硅肖特基二極管從2001年開(kāi)始商用,至今已有20年商用積累,并在部分高中端電源市場(chǎng)批量應(yīng)用,逐步向通用市場(chǎng)滲透,具備廣闊的市場(chǎng)前景?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅材料在禁帶寬度和臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)等關(guān)鍵特性上具有
2023-02-28 16:55:45
,能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點(diǎn),應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到1MHz,在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)明顯,其中碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)耐壓可以達(dá)到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
小輕薄,小尺寸,大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性:?極低反向電流? 無(wú)反向恢復(fù)電流? 溫度無(wú)關(guān)開(kāi)關(guān)? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢(shì):?基本上
2021-11-06 09:26:20
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大,但是在超過(guò)200V的工作電壓場(chǎng)合,普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位?! ≡从诠杌男ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管,近年來(lái)開(kāi)發(fā)出來(lái)新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
圖: 當(dāng)給這個(gè)PN加反向偏置電壓時(shí),PN結(jié)截止,發(fā)光二極管不能發(fā)光,如下圖: 在電路及儀器中作為指示燈,或者組成文字或數(shù)字顯示。砷化鎵二極管發(fā)紅光,磷化鎵二極管發(fā)綠光,碳化硅二極管發(fā)黃光,氮化鎵二極管
2018-11-02 22:09:47
的二極管。目前常見(jiàn)的多為高壓的肖特基碳化硅二極管,其優(yōu)點(diǎn):反向恢復(fù)特性很好,媲美肖特基硅二極管。但是可以做高壓的二極管。在PFC中已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn):正向?qū)▔航当容^大。還有一點(diǎn)與硅二極管不同的是其導(dǎo)通壓降
2017-05-22 14:07:53
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復(fù)二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復(fù)時(shí)間短,特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料,幾乎不
2023-02-15 14:24:47
應(yīng)用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù),提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流,且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
低壓降二極管的檢測(cè)主要是判斷低壓降二極管的極性和檢測(cè)低壓降二極管的好壞。在檢測(cè)中普通低壓降二極管和發(fā)光低壓降二極管的檢測(cè)方法也有所不同。 1、發(fā)光低壓降二極管的檢測(cè) 對(duì)發(fā)光低壓降二極管進(jìn)行檢測(cè)
2015-11-27 17:49:28
最近比較熱門的
碳化硅二極管是用
碳化硅為原料的
二極管。目前常見(jiàn)的多為高壓的肖特基
碳化硅二極管,其優(yōu)點(diǎn):反向恢復(fù)特性很好,媲美肖特基硅
二極管。但是可以做高壓的
二極管。在PFC中已有較多應(yīng)用。
缺點(diǎn):正向?qū)▔?/div>
2014-04-26 13:42:10
:反向恢復(fù)特性很好,媲美肖特基硅二極管。但是可以做高壓的二極管。在PFC中已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn):正向?qū)▔航当容^大。還有一點(diǎn)與硅二極管不同的是其導(dǎo)通壓降隨溫度上升反而增大。早期的碳化硅二極管,還有可承受沖擊電流
2016-11-14 20:04:40
大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾,都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器,基本也離不開(kāi)碳化硅二極管,第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn),強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓?fù)湎嘟Y(jié)合,可提供最佳的性價(jià)比。混合碳化硅結(jié)合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管,也是一個(gè)不錯(cuò)的選擇,與純硅解決方案相比,可將功率損耗降低多達(dá)50
2023-02-20 16:29:54
來(lái)制成發(fā)光二極管,在電路及儀器中作為指示燈,或者組成文字或數(shù)字顯示。磷砷化鎵二極管發(fā)紅光,磷化鎵二極管發(fā)綠光,碳化硅二極管發(fā)黃光。它是半導(dǎo)體二極管的一種,可以把電能轉(zhuǎn)化成光能;常簡(jiǎn)寫(xiě)為L(zhǎng)ED。發(fā)光二極管
2012-07-12 15:40:31
采用雙脈沖測(cè)試方法對(duì)圖騰柱無(wú)橋PFC中混合碳化硅分立器件和純硅 IGBT進(jìn)行對(duì)比測(cè)試,以評(píng)估續(xù)流二極管(硅快恢復(fù)二極管或碳化硅肖特基二極管)對(duì)主開(kāi)關(guān)管損耗的影響,并同時(shí)檢測(cè)續(xù)流二極管的恢復(fù)行為?! D
2023-02-28 16:48:24
一種減慢di/dt和dv/dt的方式來(lái)解決。不幸的是,這些方法會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗增加和系統(tǒng)效率降低。而在使用碳化硅MOSFET時(shí),只需在柵極和源極之間增加一個(gè)二極管電壓鉗位即可解決這一難題?! ≡?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅
2023-03-14 14:05:02
得到更低柵極開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)損耗(圖1).碳化硅MOSFET寄生體二極管具有極小的反向恢復(fù)時(shí)間trr和反向恢復(fù)電荷Qrr。如圖所示,同一額定電流900V的器件,碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷只有同等
2016-08-05 14:32:43
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù),提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流,且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
本期SiCer小課堂,將為大家介紹基本半導(dǎo)體內(nèi)絕緣型TO-220封裝碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品。該產(chǎn)品在內(nèi)部集成一個(gè)陶瓷片用于絕緣和導(dǎo)熱,可簡(jiǎn)化生產(chǎn)步驟,提高生產(chǎn)質(zhì)量和整機(jī)的長(zhǎng)期可靠性,有效
2023-02-28 17:06:57
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力,基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
、反向恢復(fù)時(shí)間短的半導(dǎo)體二極管)主要用于各種功率轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)功率器件(如IGBT或MOSFET),以起到續(xù)流效果。碳化硅肖特基二極管4.1 碳化硅肖特基二極管基本型肖特基二極管,也稱為熱載流二極管,通過(guò)
2023-02-07 15:59:32
二極管的好壞。其實(shí)快恢復(fù)二極管的檢測(cè)方法與塑封硅整流二極管是相同的,即先用Rx1k擋檢測(cè)一下其單向?qū)щ娦?,一般正向電阻為幾千歐左右,反向電阻為無(wú)窮大;再用Rx1擋復(fù)測(cè)一次,一般正向電阻為幾歐,反向電阻仍
2021-06-25 17:46:42
二極管的檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)三極管的檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)
2021-04-09 06:54:46
) 碳化硅MOSFET具有極低的體二極管反向恢復(fù)時(shí)間(trr)及反向恢復(fù)電荷(Qrr)從而降低二極管開(kāi)關(guān)損耗及操聲,便于實(shí)現(xiàn)LLC諧振寬范圍工作。同一額定電流器件,碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷
2016-08-25 14:39:53
μs以內(nèi)起作用。采用二極管或電阻串檢測(cè)短路,短路保護(hù)最短時(shí)間限制在1.5μs左右?! ?)高dv/dt及di/dt對(duì)系統(tǒng)影響 在高壓大電流條件下進(jìn)行開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí),器件開(kāi)關(guān)會(huì)產(chǎn)生高dv/dt及di/dt
2023-02-27 16:03:36
?。ㄒ唬┡卸ü苣_的排列順序 將萬(wàn)用表置于R×1K擋,按照檢測(cè)普通二極管正、反電阻的方法,即可將激光二極管的管腳排列順序確定。但檢測(cè)時(shí)要注意,由于激光二極管的正向壓降比普通二極管要大,所以當(dāng)檢測(cè)
2021-05-13 07:52:48
突破性的進(jìn)展,150V和 200V的高壓SBD已經(jīng)上市,使用新型材料制作的超過(guò)1kV的SBD也研制成功,從而為其應(yīng)用注入了新的生機(jī)與活力。肖特基二極管缺點(diǎn):肖特基二極體最大的缺點(diǎn)是其反向偏壓較低及反向漏電
2021-09-09 15:19:01
以下;SR350 就是表示3A50V。另肖特基二極管耐壓一般在100V以下,沒(méi)有150V以上的。肖特基二極管的檢測(cè)方法有哪些答:(1)二端型肖特基二極管的檢測(cè)1)用指針式萬(wàn)用表檢測(cè)。將萬(wàn)用表置于“R
2019-06-12 04:20:33
,大多數(shù)硅用于高達(dá)250V的電壓,而砷化鎵、碳化硅或硅鍺被用作阻斷200至1700V電壓的半導(dǎo)體材料。硅肖特基二極管具有大約0.4V的低閾值電壓,工作電流較低時(shí)甚至低于0.1V。這遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于電壓約為1V
2017-04-19 16:33:24
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)二極管
2023-02-20 15:15:50
:反向恢復(fù)特性很好,媲美肖特基硅二極管。但是可以做高壓的二極管。在PFC中已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn):正向?qū)▔航当容^大。還有一點(diǎn)與 硅二極管不同的是其導(dǎo)通壓降隨溫度上升反而增大。早期的碳化硅二極管,還有可承受
2020-09-18 17:00:12
CSD01060E為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-27 20:10:54
C3D04060F為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 15:37:47
C3D04060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 15:55:46
C3D08060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 16:54:16
C3D10060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 17:04:18
C3D16060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-29 10:28:06
C3D20060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-29 10:32:40
C6D06065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管,電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:36:12
C3D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管,電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:45:27
C4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:25:12
C4D02120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:29:57
C4D05120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:35:42
C4D05120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:40:17
C4D08120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:44:47
C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:48:49
E4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:54:09
C4D10120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 14:24:29
C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:14:54
C4D10120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:21:10
C4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:25:26
C4D15120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:30:26
C4D15120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:37:08
C4D15120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:43:35
E4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:49:31
E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:54:14
C4D20120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:01:56
C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:07:00
C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:12:16
E4D20120G是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:18:42
C4D30120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:34:40
C4D40120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:46:36
碳化硅肖特基
二極管(SiCSBD)是一種單極型器件,采用結(jié)勢(shì)壘肖特基
二極管結(jié)構(gòu)(JBS),因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)
二極管(SiFRD),
碳化硅肖特基
二極管具有理想的反向恢復(fù)特性??梢杂行Ы档头聪蚵╇?/div>
2020-11-17 15:55:056028 高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。 碳
2023-02-05 16:34:591314 碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管,號(hào)稱反向恢復(fù)時(shí)間為零,是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開(kāi)始受到重視,并在智能
2023-02-10 17:45:171732 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件,它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅二極管的工作原理是,當(dāng)電壓通過(guò)碳化硅二極管時(shí),電子會(huì)從N極流向P極,從而產(chǎn)生電流。碳化硅二極管可以用于汽車電子控制系統(tǒng),以及其他電子設(shè)備中,用于控制電流和電壓。
2023-02-15 15:13:42642 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件,它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。
2023-02-15 15:21:40629 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開(kāi)說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過(guò)化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過(guò)碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 SiC碳化硅二極管起步電壓為650V,電流6A到10A,主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動(dòng)工具、消費(fèi)類產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號(hào)為:KN3D06065F(650V碳化硅二極管,電流6A,貼片
2023-02-21 10:12:241680 什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來(lái)我們來(lái)看一下碳化硅二極管的貼片封裝,常見(jiàn)的有有TO-263和TO-252封裝,隨著近些年電源對(duì)于功率密度要求不斷提高,碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn),廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域,如電源、變頻器、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 今天鑫環(huán)電子就為大家講解一下碳化硅二極管的應(yīng)用領(lǐng)域及優(yōu)勢(shì)。??一、太陽(yáng)能逆變器。??碳化硅二極管是太陽(yáng)能發(fā)電用二極管的基本原材料,碳化硅二極管在各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)上都優(yōu)于普通雙極二極管技術(shù)。碳化硅二極管
2022-12-14 11:36:05843
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