晶體管，還是MOS管？哪個漏電流??？一般常用哪些型號？
2019-10-23 07:52:32
8050晶體管是一種小型設備，用于引導便攜式無線電中的電流。數字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會給晶體管起數字名稱，以便更容易識別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
的晶體管是電流控制電流型的.一般不可以直接代換的除非稍微改變一下電路結構。二、晶體三極管和場效應管選用技巧:（1）晶體三極管選型技巧:必須了解晶體管的類型和材料，常用的有NPN和PNP兩種，這兩種管工
2019-04-09 11:37:36
，PHP型管置換PNP型管。特性相近用于置換的晶體管應與原晶體管的特性相近，它們的主要參數值及特性曲線應相差不多。晶體管的主要參數近20個，要求所有這些參數都相近，不但困難，而且沒有必要。一般來說，只要下述
2015-07-07 16:56:34
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴散現(xiàn)象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點?。?！
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數對電路設計的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
阻尼晶體管、微波晶體管、光敏晶體管和磁敏晶體管等多種類型
2010-08-12 13:59:33
用?；鶚O電壓源通過電阻提供基極電流為了使晶體管成為電子開關工作，需要提供一個電壓源，并將其通過電阻與基極相連接。如果要使開關導通，基極電壓源通過電阻向晶體管的基極提供足夠大的電流IB就可以使得晶體管導
2017-03-28 15:54:24
` 《晶體管電路設計（下）》是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設計技術的基礎知識和基本實驗，內容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
。需要說明的是，晶體管有很多種類型，每種類型又分為N型和P型，下面圖中的電路符號就是一個N型晶體管。 晶體管電路有導通和截止兩種狀態(tài)，這兩種狀態(tài)就可以作為“二進制”的基礎。從模電角度來說晶體管還有
2021-01-13 16:23:43
，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。正常時，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
晶體管技術方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數？有的器件有放大倍數改變的參數。另外，不同的仿真模型參數不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設計7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設計（上）放大電路技術的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設計（下）FET_功率MOS_開關電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
《晶體管電路設計與制作》是“圖解實用電子技術叢書”之一。本書首先對各種模擬電路的設計和制作進行詳細敘述；然后利用可在微機上使用的模擬器“SPICE”對設計的結果進行模擬?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設計與制作》中介
2018-01-15 12:46:03
晶體管電路設計叢書上冊晶體管電路設計(pdf電子書下載):是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為上冊主要內容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設計與應用，射極跟隨器的性能與應用電
2009-11-20 09:41:18
是交流參數。 （2） 4個h參數都是在Q點的偏導數，因此，它們都和Q點密切相關，隨著Q點的變化而變化； （3） h參數是晶體管在小信號條件下的等效參數。 h參數可以從晶體管的特性曲線上近似求得，也可以用人h參數測試儀直接測出。對一般小功率晶體管，h參數的數量級如圖Z0213所示。
2021-05-13 07:56:25
是晶體管的直流電流放大系數，是指在靜態(tài)（無變化信號輸入）情況下，晶體管IC與IB的比值。即hFE=IC/IB。一般情況下β和hFE較為接近,也可相等，但兩者含義是有明顯區(qū)別的，而且在許多場合β并不
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相對于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作開關，因此一般盡量在Vce/Vds較低的條件下使用。這是在使用的電路條件下，探討哪種晶體管最適合時的代表特性
2018-11-28 14:29:28
相關的參數，以及雙極晶體管的集電極-發(fā)射極相關的參數。 基本工作特性比較 這三種晶體管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相對于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作開關，因此一般盡量在Vce/Vds較低的條件下使用。這是在使用的電路條件下，探討哪種晶體管最適合時的代表特性之一。
2020-06-09 07:34:33
是"增幅"和"開關"。比如收音機。放大空中傳播的極微弱信號，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號的波形，只放大電壓或電流。這是模擬信號的情況，但是
2019-07-23 00:07:18
對于晶體管放大電路，比如常用的共射放大電路，一般基極會有兩個分壓電阻，用來控制給基極一個合適的電平，保證晶體管的基極能導通，這兩個分壓電阻的阻值一般選用的都是K歐姆級別的阻值，原因是什么？ 理論依據是？謝謝！
2020-06-08 17:23:20
晶體管，稱之為“非集中保護” (和集中保護對照)。集成驅動電路的功能包括：(1)開通和關斷功率開關；(2)監(jiān)控輔助電源電壓；(3)限制最大和最小脈沖寬度；(4)熱保護；(5)監(jiān)控開關的飽和壓降。
2018-10-25 16:01:51
。 （3）微變等效電路只適用于低頻小信號放大電路，只能用來計算交流分量，不能計算總的瞬時值和靜態(tài)工作點。 （4）晶體管的輸入電阻 RbE（hie）一般可用下列近似公式進行估算： 式中 表示晶體管
2021-05-25 07:25:25
是"增幅"和"開關"。比如收音機。放大空中傳播的極微弱信號，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號的波形，只放大電壓或電流。這是模擬信號的情況，但是
2019-05-05 00:52:40
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋？
2017-03-12 20:30:29
之間）和發(fā)射結（B、E極之間），發(fā)射結與集電結之間為基區(qū)。 根據結構不同，晶體管可分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號上可以看出兩種類型晶體管的發(fā)射極箭頭（代表集電極電流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設備與不同的電子電路，對晶體管各項性能指標的要求是不同的。所以，應根據應用電路的具體要求來選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號處理（例如
2012-01-28 11:27:38
—Ic*Rc；對于硅材料組成的雙極型晶體管來講，PN結的正向導通電壓為0.7V，因此一般在工程中認為：當基極注入的電流，讓晶體管的Ic與Rc的積滿足下列公式時（Vce-Ic*Rc）-Vb≦0V（注意
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結構及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應管。 晶體管是半導體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個區(qū)（發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
2021-05-13 06:43:22
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上  
2010-08-12 13:57:39
1.MOSFET的速度比晶體管或IGBT快。2.MOSFET的過電流適中；晶體管是一個流控流型的，要使集電極上的電流增大，基極上的電流就要增大，但是基極上的電流是無用的。IGBT一般使用在大電流的場景。...
2021-10-29 08:28:40
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
變化的β倍， 也就是說，電流變化放大了β倍，所以我們稱之為β晶體管的放大倍率（β一般遠大于1）。如果我們在基極和發(fā)射極之間增加一個變化的小信號，它會導致基極電流Ib的變化。Ib的變化被放大后，會導致
2023-02-08 15:19:23
低功耗設計中，晶體管控制電路會對電路產生一定的影響。無論是NPN還是PNP，晶體管的PN結都會有漏電流。當I/O控制基極電壓時，為了穩(wěn)定基極電壓，一般在NPN開關電路的基極上加一個下拉電阻。在PNP開關電路的設計中，基極增加了一個下拉電阻。上拉和下拉電阻根據控制芯片、晶體管和電路電壓進行選擇。
2023-02-15 18:13:01
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中，兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
s1307是什么類型的晶體管？
2022-09-25 09:21:11
本帖最后由 生還者 于 2020-8-20 03:57 編輯
《晶體管電路設計與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路，主要目的是理解晶體管的基本工作機制。第二部分介紹各種晶體管應用電
2020-08-19 18:24:17
本帖最后由 王棟春 于 2021-1-5 22:40 編輯
《晶體管電路設計與制作》是“圖解實用電子技術叢書”之一。本書首先對各種模擬電路的設計和制作進行詳細敘述；然后利用可在微機
2021-01-05 22:38:36
`內容簡介：《晶體管電路設計》(上)是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。《晶體管電路設計》(上)作為上冊主要內容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設計與應用，射極跟隨器的性能與應用電
2017-07-25 15:29:55
它們不像放大器那樣使用。一般來說，晶體管的工作方式既像開關又像放大器。然而，由于其設計原因，UJT 不會提供任何類型的放大。因此，它的設計目的不是提供足夠的電壓或電流。
這些晶體管的引線是 B1、B2
2023-08-02 12:26:53
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
到1的頻率。一般來說，高頻晶體管的最大振蕩頻率低于共基極截止頻率fα，而特征頻率fT高于共基極截止頻率fα，低于共集電極截止頻率fβ。4.6 最大集電極電流（ICM）最大集電極電流（ICM）是允許通過
2023-02-03 09:36:05
是降低電子導帶的一種有效方法。我們在這方面有著豐富的經驗，優(yōu)化了離子注入技術以形成高摻雜的AlGaN/GaN區(qū)域，并在GaN晶體管中實現(xiàn)了良好的CMOS兼容歐姆接觸。我們的努力包括開發(fā)出一種激活退火
2020-11-27 16:30:52
。除了這一優(yōu)勢之外，NPN晶體管比PNP晶體管更容易制造，因此制造成本更低。然而，某些電路受益于PNP型晶體管，如果沒有第二種類型的晶體管，即使不是不可能，也很難實現(xiàn)。B類放大器就是這樣一種應用，其中一
2023-02-03 09:50:59
，這種產品能夠承受相當于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應用？
2019-08-22 08:14:59
Sziklai晶體管一起使用相反類型的晶體管。當電路中需要許多低功耗對時，可以使用達林頓晶體管陣列IC。驅動器經常利用這些器件，因為它們通常包括二極管，以防止在負載關閉時出現(xiàn)尖峰。許多達林頓電路也是由成對的單獨分立晶體管連接在一起構成的。
2023-02-16 18:19:11
開關。其應用包括家用電腦、筆記本電腦、平板電腦、智能手機、可穿戴設備、高端網絡、汽車等。 鰭式場效應晶體管代表鰭狀場效應晶體管。鰭片，因為它有一個鰭狀體——形成晶體管主體的硅鰭片區(qū)分了它。場效應，因為
2023-02-24 15:25:29
`簡介：《晶體管電路設計》(上)是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設計》(上)作為上冊主要內容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設計與應用，射極跟隨器的性能與應用電路，小型
2017-06-22 18:05:03
可以將PNP晶體管定義為通常為“OFF”，但是適度的輸出電流和相對于其發(fā)射極（E）的基極（B）的負電壓將使其“打開”，從而允許大的發(fā)射極-集電極電流流動。我可以用NPN代替PNP嗎？如果您還記得一個簡單
2023-02-03 09:45:56
器件，又稱巨型晶體管或電力勗體管，簡稱GTR。它從本質上講仍是晶體管，因而工作原理與一般晶體管相同。但是，由于它主要用在電力電子技術領域，電流容量大，耐壓水平高，而且大多工作在開關狀態(tài)，因此其結構
2018-01-15 11:59:52
器件，又稱巨型晶體管或電力勗體管，簡稱GTR。它從本質上講仍是晶體管，因而工作原理與一般晶體管相同。但是，由于它主要用在電力電子技術領域，電流容量大，耐壓水平高，而且大多工作在開關狀態(tài)，因此其結構
2018-01-25 11:27:53
請教：單結晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結（稱這個PN結為“發(fā)射結”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
，則分析時則按照單獨的晶體管電路分析，與一般晶體管電路無差。
如果多發(fā)射極或多集電極的電路在非多極的一側全部短起來當作一個晶體管，那么此時的關系可以看作一個或門的關系，只要有一路導通，則晶體管就實現(xiàn)
2024-01-21 13:47:56
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
IC與基極電流IB的比值，一般用hFE或β表示。2．交流電流放大系數交流電流放大系數也稱動態(tài)電流放大系數或交流放大倍數，是指在交流狀態(tài)下，晶體管集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值，一般用
2012-07-11 11:36:52
晶體管開關對電子產品至關重要。了解晶體管開關，從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置。 晶體管開關對于低直流開/關開關的電子設備至關重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
，這種產品能夠承受相當于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應用？
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
什么是電信號？常見的晶體管的電路符號有哪幾種？
2021-10-29 07:04:27
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數值代入式子②計算。根據下面的式子選擇數字晶體管的電阻R1、R2，使數字晶體管的IC比使用設備上的最大輸出電流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基礎上計算將R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數值代入式子②計算。根據下面的式子選擇數字晶體管的電阻R1、R2，使數字晶體管的IC比使用設備上的最大輸出電流
2019-04-09 21:49:36
1、使用加速電容在基極限流電阻并聯(lián)小容量的電容（一般pF級別），當輸入信號上升、下降時候能夠使限流電阻瞬間被旁路并提供基極電流，所以在晶體管由導通狀態(tài)變化到截止狀態(tài)時能夠迅速從基極抽取電子（因為電子
2023-02-09 15:48:33
有沒有關于晶體管開關的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
，避免故障。表1總結了三種晶體管類型參數以及GaN、Si和SiC的物理材料。對于Si SJ MOS，選擇了最新的具有本征快速體二極管的Si基MOSFET。GaN和SiC是最新一代的寬帶隙晶體管，更適合
2023-02-27 09:37:29
其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達
2016-01-26 16:52:08
型的.一般不可以直接代換的.除非稍微改變一下電路結構。三、晶體三極管和場效應晶體管選型訣竅：晶體三極管：必須了解晶體管的類型和材料，常用的有NPN和PNP兩種，這兩種管工作時對電壓的極性要求不同，所以是
2019-03-27 11:36:30
用。（2）橫向PNP管： 這種結構管子的載流子是沿著晶體管斷面的水平方向運動的，故稱為橫向PNP管。由于受工藝限制，基區(qū)寬度不可能很小，所以它的值相對較低，一般為十幾倍到二、三十倍。橫向PNP管的優(yōu)點
2019-04-30 06:00:00
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數據庫以外,更多更多晶體管模型數據庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數據庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
保護的二極管必須選用快速恢復型二極管，以保證二極管能夠迅速反應得以保護晶體管。對于二極管的耐壓要求，一般其截止電壓為開關晶體管C-E間電壓的2倍?！ ?、RC阻尼電路 圖二 圖二中，在晶體管關斷
2020-11-26 17:26:39
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工商網監(jiān)
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