“供應(yīng)商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購(gòu)買?！?**賴,0755-85279055】【30V MOS N/P溝道】HN3400：30V5.8ASOT23N溝道 MOS管HN3401
2021-03-30 14:33:48
曲線的斜率gm的大小反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制作用。 gm的量綱為mA/V，所以gm也稱為跨導(dǎo)?？?b class="flag-6" style="color: red">導(dǎo)?！ D1. 轉(zhuǎn)移特性曲線圖2—54（a）為N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖，其電路符號(hào)如圖2
2018-08-07 14:16:14
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
的兩種結(jié)構(gòu)：N溝道型和P溝道型由于制造工藝的原因，P溝的MOS管通常比N溝的MOS管具有更大的導(dǎo)通電阻，這意味著導(dǎo)通功耗會(huì)更大。這是選擇時(shí)需要注意的地方。一般而言，如果是低邊開關(guān)應(yīng)用，使用N溝MOS管
2023-02-17 14:12:55
為正時(shí)，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管與P溝道場(chǎng)效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)[td=331]RDS（ON）
2018-11-12 15:55:20
`N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=363]N溝道增強(qiáng)型MOSFETTDM3512 [/td] [td]描述 該TDM3512采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。 這個(gè) 裝置是適合用作負(fù)載開關(guān)或在PWM 應(yīng)用。 一般特征 [tr][td]lRDS（ON）
2018-09-04 16:31:45
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)如下圖所示，用一塊摻雜濃度較低的P型硅片作為襯底，在其表面上覆蓋一層二氧化硅（SiO2）的絕緣層，再在二氧化硅層上刻出兩個(gè)窗口，通過(guò)擴(kuò)散形成兩個(gè)高
2015-06-12 09:24:41
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFETCN2302資料下載內(nèi)容主要介紹了：CN2302功能和特性CN2302引腳功能CN2302電路示意圖
2021-03-25 07:31:51
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當(dāng)V(GS)=0V時(shí)，因?yàn)槁┰粗g被兩個(gè)背靠背的PN
2012-07-06 16:30:55
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當(dāng)V(GS)=0V時(shí)，因?yàn)槁┰粗g被兩個(gè)背靠背的PN
2012-07-06 16:34:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 編輯
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當(dāng)V(GS)=0V時(shí)，因?yàn)槁┰粗g被兩個(gè)背靠背的PN
2012-07-05 11:27:29
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當(dāng)V(GS)=0V時(shí)，因?yàn)槁┰粗g被兩個(gè)背靠背的PN
2012-07-04 17:48:54
和漏極之間就相當(dāng)于兩個(gè)反接的二極管，這時(shí)源漏之間不管多大的電壓也不能導(dǎo)通，沒(méi)有導(dǎo)電溝道。當(dāng)柵加正電壓時(shí)，絕緣層下的P襯底感應(yīng)出電子，使柵下的P型半導(dǎo)體成為N型（這成為反型），而NMOS的漏極和源極也是
2012-07-05 11:30:45
和漏極之間就相當(dāng)于兩個(gè)反接的二極管，這時(shí)源漏之間不管多大的電壓也不能導(dǎo)通，沒(méi)有導(dǎo)電溝道。當(dāng)柵加正電壓時(shí)，絕緣層下的P襯底感應(yīng)出電子，使柵下的P型半導(dǎo)體成為N型（這成為反型），而NMOS的漏極和源極也是
2012-07-06 16:39:10
“反型層”，從而產(chǎn)生N型的導(dǎo)電溝道。此時(shí)，給柵極加上正電壓（UGS＞0），溝道變寬，ID增大；反之，給柵極加上負(fù)電壓（UGS＜0）時(shí)，溝道變窄，ID減小。當(dāng)柵極負(fù)電壓大到一定數(shù)值VP（夾斷電壓）時(shí)。會(huì)使反型層消失，ID=0。
2015-06-15 18:03:40
，被測(cè)器件為N溝道耗盡型MOSFET，數(shù)據(jù)手冊(cè)上的測(cè)試條件為VGS=0V（短接，所以就沒(méi)畫，實(shí)際電路已經(jīng)短接了），VDS=5V，典型值是1950mA，保護(hù)電阻為50歐姆或330歐姆，紅字為電流表實(shí)際測(cè)量
2020-06-22 20:09:16
N溝道耗盡型mos管，電路工作過(guò)程，還望大神指導(dǎo)。
2016-11-12 16:36:00
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
P型MOS管開關(guān)電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)
2021-10-28 10:07:00
，SD導(dǎo)通，G端低電平SD截止，但是P型MOSFET就不對(duì)了，G端變成了高電平SD導(dǎo)通，G端低電平SD也導(dǎo)通，然后G端電壓一直在11V左右我把G端電壓拉低，但是實(shí)測(cè)還是在11V左右。請(qǐng)教那里問(wèn)題。忘記說(shuō)了，P型MOSFET是FDS9958,N型MOSFET是FDS9945。
2019-02-02 16:24:33
，增強(qiáng)型MOSFET分為P溝道增強(qiáng)型和N溝道增強(qiáng)型，耗盡型MOSFET分為P溝道耗盡型和N溝道耗盡型。在本文中，小編將介紹其中一種類型的MOSFET，即P溝道MOSFET?；靖拍?b class="flag-6" style="color: red">溝道由大多數(shù)電荷載流子作為
2022-09-27 08:00:00
是主開關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場(chǎng)營(yíng)銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
概述：CN2305是上海如韻電子出品的一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，它采用先進(jìn)工藝，提供較低的導(dǎo)通電阻，低柵極電荷和低工作電壓，柵極電壓可低至2.5V。CN2305適合用于電池保護(hù)，或PWM開關(guān)中的應(yīng)用。
2021-04-13 06:46:20
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技術(shù)，具有極低的RDS（on），低柵極電壓和高電流能力，非常適合應(yīng)用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
：Fin鰭型結(jié)構(gòu)FinFET結(jié)構(gòu)看起來(lái)像魚鰭，所以也被稱為鰭型結(jié)構(gòu)，其最大的優(yōu)點(diǎn)是Gate三面環(huán)繞D、S兩極之間的溝道（通道），實(shí)際的溝道寬度急劇地變寬，溝道的導(dǎo)通電阻急劇地降低，流過(guò)電流的能力大大
2017-01-06 14:46:20
型號(hào)：G16P03VDS：-30VIDS ：-16A封裝: DFN3*3-8L溝道：P溝道種類：絕緣柵(MOSFET)G16P03 原裝，G16P03庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供樣品，并提供產(chǎn)品運(yùn)用
2020-11-05 16:48:43
`ISA04N65A N溝道MOSFETTO-220F 應(yīng)用范圍特征： ?適配器?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) ?充電器?低導(dǎo)通電阻 ?SMPS待機(jī)功率?低門電荷 ?LCD面板電源?峰值電流與脈沖寬度曲線 [/td][td]?ESD功能得到改善`
2018-09-06 13:43:36
`ISU04N65A N溝道 MOSFETISU04N65A N溝道MOSFETTO-251 應(yīng)用范圍特征： ?適配器?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) ?電視主要電源?低導(dǎo)通電阻 ?SMPS電源?低門電荷
2018-09-06 13:45:25
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
，鍺和硅之分，導(dǎo)通飽和時(shí)，CE間也是導(dǎo)通壓降，MOS管，是電壓型放大元件，柵極一般在4V時(shí)導(dǎo)通，可有-20—+20V柵極電壓，根據(jù)極性，有N溝道，P溝道，增強(qiáng)型，耗盡型，還有結(jié)型等之分，導(dǎo)通后，源極漏極
2012-07-05 12:14:01
，鍺和硅之分，導(dǎo)通飽和時(shí)，CE間也是導(dǎo)通壓降，MOS管，是電壓型放大元件，柵極一般在4V時(shí)導(dǎo)通，可有-20—+20V柵極電壓，根據(jù)極性，有N溝道，P溝道，增強(qiáng)型，耗盡型，還有結(jié)型等之分，導(dǎo)通后，源極漏極
2012-07-06 17:22:53
，鍺和硅之分，導(dǎo)通飽和時(shí)，CE間也是導(dǎo)通壓降，MOS管，是電壓型放大元件，柵極一般在4V時(shí)導(dǎo)通，可有-20—+20V柵極電壓，根據(jù)極性，有N溝道，P溝道，增強(qiáng)型，耗盡型，還有結(jié)型等之分，導(dǎo)通后，源極漏極
2012-07-09 17:37:38
N溝道 P溝道 MOS管什么電平導(dǎo)通啊跟增強(qiáng)型的 一樣嗎 初學(xué)者！感謝大家！
2013-03-25 10:16:45
編輯-Z場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱MOSFET）兩大類。按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道。根據(jù)導(dǎo)電方式：耗盡型
2021-12-28 17:08:46
的： 要么都由S指向D，要么都由D指向S。4. MOS管的開關(guān)條件N溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug> Us,Ugs> Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通 P溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug< Us,Ugs< Ugs(th
2023-02-10 16:17:02
Multisim10.0元件庫(kù)沒(méi)P溝道耗盡型MOSFET管，為什么，我其他幾種都找到了結(jié)型FET增強(qiáng)型FET，耗盡型沒(méi)P的啊
2012-11-03 10:45:54
一般說(shuō)明PW2307采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極電荷和柵電壓低至4.5V時(shí)工作。該裝置適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中 特征VDS=-20V ID=-7ARDS（開）
2020-12-23 13:05:52
一般說(shuō)明PW2308采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓運(yùn)行。該器件適合用作電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。特征VDS=60V，ID=5ARDS（開）
2020-12-10 16:04:34
一般說(shuō)明PW2309采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。 特征VDS=-60V，ID=-3ARDS（開）
2020-12-10 15:57:49
一般說(shuō)明PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。特征VDS=-40V，ID=-5ARDS（開）
2020-12-04 14:28:06
`PW2320采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，以提供優(yōu)良的RDS（ON），低柵電荷和電壓門極電壓低至2.5V時(shí)工作。該裝置適合用作電池保護(hù)或在其他開關(guān)應(yīng)用中。 特征VDS=20V ID=8ARDS（開）&
2021-01-04 17:14:41
一般說(shuō)明PW2324采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極充電和柵極電壓低至4.5V的操作。該器件適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。特征 VDS=100V，ID=3.7A RDS（開）
2020-12-11 16:35:03
：阿里 “供應(yīng)商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購(gòu)買?！?**賴,0755-85279055】【30V MOS N/P溝道】HN3400：30V5.8ASOT23N溝道 MOS管HN3401
2021-04-07 14:57:10
`SUN2310SGP溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET） ，采用高單元密度的 DMOS 溝道技術(shù)。這種高密度的工藝特別適用于減小導(dǎo)通電阻。適用于低壓應(yīng)用，例如移動(dòng)電話，筆記本電腦的電源管理和其他電池的電源電路。 采用帶散熱片的 SOP8 封裝`
2011-05-17 10:57:36
圖1為二個(gè)P溝道的功率MOSFET組成的充電電路，P溝道的功率MOSFET的型號(hào)為：AO4459。Q3和R1實(shí)現(xiàn)恒流或限流充電功能，Q4控制電路的工作。圖1：P溝道MOSFET組成充電電路電路工作
2017-04-06 14:57:20
Q1為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管 該電路實(shí)際動(dòng)作：當(dāng)接通220V交流電，開關(guān)S為斷開時(shí)，Q1導(dǎo)通，燈亮；當(dāng)開關(guān)S閉合時(shí)，Q1截止，燈滅。問(wèn)題：即然Q1為N溝道增強(qiáng)型
2010-11-16 12:28:04
我使用了一款叫做BSR202N的N溝道增強(qiáng)型MOS管，發(fā)現(xiàn)了一個(gè)很有意思的問(wèn)題，現(xiàn)在也沒(méi)想出原因。用三用表懸空測(cè)量時(shí)，管子的漏極和源極不導(dǎo)通。但我接入電路時(shí)，兩腳導(dǎo)通。此時(shí)，整個(gè)電路板上只有
2017-02-07 15:51:06
本帖最后由 暗星歸來(lái) 于 2016-9-6 12:53 編輯
如題，因?yàn)橐獙?duì)電池進(jìn)行管理，對(duì)充電過(guò)程和放電過(guò)程控制其何時(shí)開始充電、停止充電、何時(shí)放電、何時(shí)停止放電，所以用兩個(gè)N溝道增強(qiáng)型
2016-09-06 12:51:58
，簡(jiǎn)稱場(chǎng)效晶體管。內(nèi)部結(jié)構(gòu)（以N-MOSFET為例）如下圖所示。在P型半導(dǎo)體襯底上制作兩個(gè)N+區(qū)，一個(gè)稱為源區(qū)，一個(gè)稱為漏區(qū)。漏、源之間是橫向距離溝道區(qū)。在溝道區(qū)的表面上，有一層由熱氧化生成的氧化層作為
2023-02-10 15:33:01
對(duì)于
N溝道增強(qiáng)
型MOS管而言，為何漏源電壓增大到一定反
型層會(huì)消失？此時(shí)柵極和襯底間不是仍然有一個(gè)正壓?jiǎn)?/div>
2023-03-31 15:31:55
什么是PMOS管？PMOS管有哪些特性？PMOS管有什么導(dǎo)通條件？
2021-06-16 08:07:07
在通孔板上建立電路數(shù)小時(shí)后，我發(fā)現(xiàn)使用P-MOSFET時(shí)Vgs并不容易。經(jīng)過(guò)搜索，我發(fā)現(xiàn)我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）將源極電壓帶到柵極，以便關(guān)斷MOSFET。對(duì)我來(lái)說(shuō)非常重要的是，當(dāng)
2018-08-23 10:30:01
1、MSO的三個(gè)極怎么判定：MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方。G極，不用說(shuō)比較好認(rèn)。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是；D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊。2、他們
2019-09-11 07:30:00
電源管理ICTDM3412雙路N溝道增強(qiáng)型MOSFET 描述：TDM3412采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。 這個(gè)器件適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。一般描述：?頻道1RDS（ON）
2018-05-25 11:54:29
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
這個(gè)p溝道管子做的試驗(yàn)電路就是正常的，能通導(dǎo)和關(guān)斷，2n7002始終不行，焊了3個(gè)都一樣的效果是我理解錯(cuò)了使用方法么？
2013-08-20 12:02:58
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對(duì)最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
的電子被吸引到這個(gè)區(qū)域，這樣本地的電子密度要大于空穴，從而出現(xiàn)“反轉(zhuǎn)”，即在柵極下面的P-區(qū)的材料從P型變成N型，形成N型“溝道”，電流可以直接通過(guò)漏極的N+型區(qū)、N-型區(qū)、柵極下面N型溝道，流到源極N
2016-10-10 10:58:30
的功率MOSFET的G極、S極加上正向電壓后，在G極的下面的P型體區(qū)，就會(huì)形成一個(gè)非常薄的反型層N型，這樣D極的N、反型層N、S極的N，就會(huì)形成導(dǎo)通的路徑。圖1：N溝道(左）、P溝道MOSFET結(jié)構(gòu)P
2016-12-07 11:36:11
`功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的結(jié)構(gòu),工作原理及應(yīng)用 功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的結(jié)構(gòu) 圖1是典型平面N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 的剖面圖。它用一塊P型硅半導(dǎo)體材料作襯底(圖la
2011-12-19 16:52:35
概述：LTC3425是一款可在輸入電壓低于 1V 且?guī)в休敵鰯嘟庸δ艿耐?、四相升?b class="flag-6" style="color: red">型轉(zhuǎn)換器。它包括 4 個(gè) N 溝道 MOSFET 開關(guān)和 4 個(gè) P 溝道同步整流器 (分別帶有 0.045Ω 和 0.05Ω。
2021-04-08 07:07:13
各位好，有沒(méi)有2個(gè)N溝道和2個(gè)P溝道的集成芯片推薦，電流大于1A就可以了，謝謝
2021-10-11 10:27:45
1. 增強(qiáng)型N溝道，高電平導(dǎo)通，0電平截止，負(fù)電平截止，電流為D->S2. 增強(qiáng)型P溝道，高電平截止，0電平截止，負(fù)電平導(dǎo)通，電流為S->D3. 耗盡型N溝道，高電平導(dǎo)通，0電平導(dǎo)
2017-07-24 18:15:47
方向N溝道，由S極指向D極。P溝道，由D極指向S極。如果覺(jué)得上面兩條不是很好記，教大家一個(gè)識(shí)別方法：不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的，上面圖片已經(jīng)標(biāo)出來(lái)了可以看一下。MOS管導(dǎo)通條件N溝道：Ug>Us時(shí)導(dǎo)通。（簡(jiǎn)單認(rèn)為）Ug=Us時(shí)截止。P溝道：Ug
2023-02-10 16:27:24
這是我設(shè)計(jì)的一個(gè)單片機(jī)驅(qū)動(dòng)光耦控制電機(jī)轉(zhuǎn)停的電路，大家看下電路設(shè)計(jì)對(duì)嗎？單片機(jī)在光耦驅(qū)動(dòng)位拉高引腳，輸出24V，fds9958是P型MOSFET，fds9945是n型MOSFET，fds9958 S
2018-04-24 13:09:52
。同樣失去了開關(guān)的作用。06MOS管的開關(guān)條件N溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug> Us,Ugs> Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通；P溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug< Us,Ugs< Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通；總之，導(dǎo)
2021-12-07 01:24:30
是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">N溝道的RDS(on)小于P溝道的，并且通過(guò)在柵極上施加正電壓導(dǎo)通。MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道MOSFET在導(dǎo)電過(guò)程中有電子流動(dòng)。 P溝道在導(dǎo)電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子
2021-04-09 09:20:10
有沒(méi)有人用過(guò)SI2307 P溝道MOSFET?不知道為什么5V的電壓無(wú)法關(guān)斷、、、是不是設(shè)計(jì)問(wèn)題？
2016-08-28 18:29:46
)P溝道（IRF9540） MOS管的導(dǎo)通條件：MOSFET是電壓控制型器件，BJT是電流控制型器件。MOS管不像三極管那樣，是對(duì)電流的放大，三極管的基極必須有電流流入，三極管才能工作。場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)
2019-05-30 15:53:28
RT，最近看模電看迷糊了，在此請(qǐng)教各位大蝦，N溝道增強(qiáng)型MOS管，襯底是P型硅片，那么是多子參與導(dǎo)電還是少子呢？ 是自有電子還是空穴呢？
2015-03-27 11:06:58
1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
型半導(dǎo)體區(qū)域中，產(chǎn)生了一個(gè)沿溝道的電位梯度。由于N溝道的電位從源端到漏端是逐漸升高的，所以在從源端到漏端的不同位置上，漏極與溝道之間的電位差是不相等的，離源極越遠(yuǎn)，電位差越大，加到該處PN結(jié)的反向電壓
2012-08-13 12:51:29
器件。一旦在MOSFET的柵極端施加電壓，源極溝道的漏極電阻將變得更大。當(dāng)柵源電壓增加更多時(shí)，從漏極到源極的電流將減少，直到電流從漏極到源極的流動(dòng)停止。耗盡型MOSFET有兩種類型，分別是P溝道和N溝道
2022-09-13 08:00:00
，在相同的外部條件下，我們需要更大的柵-源電壓VGS才能形成N型導(dǎo)電溝道，亦即導(dǎo)致閾值電壓VGS(th)的變化（漂移），如下圖所示：此時(shí)源極S與漏極D之間是導(dǎo)通的，如果在兩個(gè)電極之間施加VDS正向電壓
2023-02-10 15:58:00
K9是單片機(jī)控制信號(hào)，OUT_12V_1是時(shí)鐘（脈沖）信號(hào)，IN1B會(huì)有幾種輸出狀態(tài)呢？光耦LTV-357T-D接P溝道MOSFET的作用是什么呢？
2021-11-11 16:59:06
1.是N溝道，耗盡型的場(chǎng)效應(yīng)管，是耗盡型。像圖上這樣的話，帶？的那端應(yīng)該是什么極？是源極還是漏極？
2.電路不接管子之前電流還可以，接上場(chǎng)效應(yīng)管，上電就短路，焊下來(lái)后測(cè)量柵極和源極之間不導(dǎo)通，源漏
2023-05-16 14:24:38
的MOSFET設(shè)計(jì)了一種商標(biāo)CoolMOS，這種結(jié)構(gòu)從學(xué)術(shù)上來(lái)說(shuō)，通常稱為超結(jié)型功率MOSFET。圖3：內(nèi)建橫向電場(chǎng)的SuperJunction結(jié)構(gòu)垂直導(dǎo)電N+區(qū)夾在兩邊的P區(qū)中間，當(dāng)MOS關(guān)斷
2018-10-17 16:43:26
LTC2924，采用外部N溝道MOSFET的電源排序的簡(jiǎn)單緊湊型解決方案
2019-04-16 06:07:32
MOSFET的種類：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型；對(duì)于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道，功率
2023-02-27 11:52:38
N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管
N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:43:39
25 MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道MOSFET在導(dǎo)電過(guò)程中有電子流動(dòng)。 P溝道在導(dǎo)電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子的流動(dòng)性是空穴的三倍。盡管沒(méi)有直接的相關(guān)性，就RDS(on)而言，為得到相等的值，P溝道的管芯尺寸大約是N溝道的三倍。因此N溝道的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:15
21283 
由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。
2022-11-18 11:28:212478 電子設(shè)備中。與N溝道MOS管相比，P溝道MOS管的導(dǎo)電溝道由P型半導(dǎo)體材料構(gòu)成，因此其導(dǎo)通條件與N溝道MOS管有所不同。本文將對(duì)P溝道MOS管的導(dǎo)通條件進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先，我們需要了解P溝道MOS
2023-12-28 15:39:311090 已全部加載完成
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