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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術>MOS原來還有這些使用技巧

MOS原來還有這些使用技巧

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,截止損耗(漏電流引起的,這個忽略不計),還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在Mos承受規(guī)格之內(nèi),Mos即會正常工作,超出承受范圍,即發(fā)生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態(tài)損耗,不同Mos這個差距可能很大。 Mos損壞主要原因:
2020-08-14 10:14:093048

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2022-11-17 10:13:461703

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這三個問題從5G發(fā)牌、試商用的時候就一直倍受關注,如今5G商用都一年了,為何還有這么大的影響力?5G不受消費者待見,我們在哪些關鍵的環(huán)節(jié)處理失誤了?
2020-12-03 15:19:151607

MOS管導通電流能否反著流 MOS管體二極管能過多大的電流

今天來說 兩個問題: 1、MOS管導通電流能否反著流?D到S,S到D方向隨意?2、MOS管體二極管能過多大的電流? 為啥會有這兩個問題? 我們在最開始學習MOS管的時候,應該都是從NMOS開始
2021-08-18 10:02:5820884

MOS管在電路中的應用理解,看完這些你就全明白了

電子產(chǎn)品生產(chǎn)中不可或缺的兩個核心“人物”,那便是MOS管與三極管,它們兩者都在電路中發(fā)揮著重要的效果,尤其是MOS管,深受電子工程師的喜愛,因為MOS管相比于三極管,開關速度快,導通電壓低,電壓驅(qū)動
2021-11-07 13:05:5917

小米12新機發(fā)布:還有這些新品值得期待

小米年度發(fā)布會將于今晚正式召開,小米12依舊以主角出場。目前關于小米12的消息在網(wǎng)上曝光的已經(jīng)差不多了,下面我們來看一下這次發(fā)布會還有哪些新品出現(xiàn)。
2021-12-28 16:13:441844

為什么MOS管飽和區(qū)溝道夾斷了還有電流?

MOS管就像開關。柵極(G)決定源極(S)到漏極(D)是通還是不通。以NMOS為例,圖1中綠色代表(N型)富電子區(qū)域,黃色代表(P型)富空穴區(qū)域。
2022-02-25 10:52:083017

有哪些在紡織業(yè)中的靈科超聲波焊接加工工藝?

在紡織業(yè)中靈科超聲波焊接加工工藝原來有這些!
2022-07-01 12:42:321313

KEMET(基美)|PCB布局的秘密,原來還有這些“捷徑”可走

在設計中,布局是一個重要的環(huán)節(jié)。布局結果的好壞將直接影響布線的效果,因此可以這樣認為,合理的布局是PCB設計成功的第一步。
2022-11-02 09:17:151624

有這些干擾是怎么回事?

有這些干擾是怎么回事?
2022-11-04 09:52:352

3種MOS管的基本電路及拓撲結構的放大特性

MOS管有三個端子,確切的說,有四個端子,分別是源極,漏極,柵極還有襯底極。
2022-11-06 17:58:262394

功率Mos管損壞主要原因有哪些

Mos主要損耗也對應這幾個狀態(tài),開關損耗(開通過程和關斷過程),導通損耗,截止損耗(漏電流引起的,這個忽略不計),還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi),mos即會正常工作,超出承受范圍,即發(fā)生損壞。
2023-01-30 10:48:26805

2023 Microsoft AI Timeline 你以為只有這些嗎?

點亮在看,給BUG點好看 原文標題:2023 Microsoft AI Timeline 你以為只有這些嗎? 文章出處:【微信公眾號:微軟科技】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
2023-03-28 08:40:04400

超結MOS/低壓MOS在微型逆變器上的應用

MOS管在微型逆變器上的應用:推薦瑞森半導體超結MOS系列+低壓MOS系列
2023-10-21 10:09:00297

超結MOS/低壓MOS在微型逆變器上的應用

MOS管在微型逆變器上的應用 推薦瑞森半導體超結MOS系列+低壓MOS系列
2023-10-23 09:31:20561

功率MOS管燒毀,我們幫你總結出了這些原因

今天給大家講一下關于MOS管燒毀的原因,文字比較多點,不容易讀,希望大家可以認真看完。 MOS 管可能會遭受與其他功率器件相同的故障,例如過電壓(半導體的雪崩擊穿)、過電流(鍵合線或者襯底熔化
2023-12-05 18:09:14297

mos芯片源極漏極柵極在哪 mos管怎么判斷漏柵源極

之間的連接是理解該器件工作原理的關鍵。 MOS管結構簡介: MOS管是由一片半導體材料(通常是硅)構成的,通過在硅片上摻雜不同類型的雜質(zhì)形成兩個PN結。這些雜質(zhì)摻入?yún)^(qū)域形成了源極和漏極,而柵極是通過在硅片上形成一層金屬(通常是鋁)來實現(xiàn)的。源極和漏極之間的區(qū)
2024-01-10 15:34:25863

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