？5. 連續(xù)脈沖？單脈沖？6. 平均功耗是否在周?chē)鷾囟鹊念~定功率以下？功率計(jì)算的積分公式使晶體管工作會(huì)產(chǎn)生電氣負(fù)載和熱負(fù)載。對(duì)晶體管來(lái)講，負(fù)載太大壽命會(huì)縮短，最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致晶體管被破壞。為防止這種
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類(lèi) 按半導(dǎo)體材料和極性分類(lèi) 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
統(tǒng)通過(guò)VCCS輸入，取平均等技術(shù)獲得較理想的測(cè)試結(jié)果。目前能夠完成三極管輸入、輸出特性曲線、放大倍數(shù)、開(kāi)啟電壓等參數(shù)以及二極管一些參數(shù)的測(cè)定，并能測(cè)試比較溫度對(duì)這些參數(shù)的影響。系統(tǒng)具有通用的RS232 接口和打印機(jī)接口，可以方便的將結(jié)果打印、顯示。關(guān)鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數(shù)
2012-08-02 23:57:09
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過(guò)的電子開(kāi)關(guān)使用晶體管也可以作為電子開(kāi)關(guān)使用。但這個(gè)開(kāi)關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
` 《晶體管電路設(shè)計(jì)（下）》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一，共分上下二冊(cè)。本書(shū)作為下冊(cè)主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn)，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
晶體管圖示儀器是用來(lái)測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過(guò)使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
這種關(guān)閉的狀態(tài)解釋為“0”。 當(dāng)對(duì)柵極(G)施加電壓的時(shí)候，溝道中會(huì)聚集有效的電荷，形成一條從源極(S)到漏極(D)導(dǎo)通的通道，晶體管處于開(kāi)啟狀態(tài)，可以把這種狀態(tài)解釋為“1”。這樣二進(jìn)制的兩個(gè)狀態(tài)就由
2017-08-03 10:33:03
1．反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱(chēng)反向漏電流或穿透電流），可通過(guò)測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來(lái)估測(cè)。測(cè)量時(shí)，將萬(wàn)用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
晶體管放大器設(shè)計(jì)掌握晶體管放大器靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置與調(diào)整方法、放大器基本性能指標(biāo)的測(cè)試方法、負(fù)反饋對(duì)放大器性能的影響及放大器的安裝與調(diào)試技術(shù)。[重點(diǎn)與難點(diǎn)]重點(diǎn)：阻容耦合共射極放大器的靜態(tài)工作的設(shè)置
2009-03-20 10:02:58
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開(kāi)關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺(jué)這兩本書(shū)挺好的，發(fā)上來(lái)給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開(kāi)關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書(shū)籍！`
2016-11-08 14:12:33
《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》是“圖解實(shí)用電子技術(shù)叢書(shū)”之一。本書(shū)首先對(duì)各種模擬電路的設(shè)計(jì)和制作進(jìn)行詳細(xì)敘述；然后利用可在微機(jī)上使用的模擬器“SPICE”對(duì)設(shè)計(jì)的結(jié)果進(jìn)行模擬?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》中介
2018-01-15 12:46:03
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對(duì)交流（變化）信號(hào)的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個(gè)Si,是因?yàn)檫€有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱(chēng)為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類(lèi)。另外，還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開(kāi)始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱(chēng)為“Si晶體管”，不過(guò)根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類(lèi)。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類(lèi)。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開(kāi)關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計(jì)人員的共同努力，改進(jìn)了功率晶體管的性能。如(1)開(kāi)關(guān)晶體管
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋?zhuān)?/div>
2017-03-12 20:30:29
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱(chēng)為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設(shè)備與不同的電子電路，對(duì)晶體管各項(xiàng)性能指標(biāo)的要求是不同的。所以，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來(lái)選擇不同用途，不同類(lèi)型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號(hào)處理（例如
2012-01-28 11:27:38
(max)。(假設(shè)1W晶體管的情況下，輸入條件為VCB=10V IE=100mA)如圖2:測(cè)定VBE的初始值VBE1對(duì)晶體管輸入功率，使PN結(jié)熱飽和VBE的后續(xù)值：測(cè)定VBE2從這個(gè)結(jié)果得出△VBE
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
晶體管配對(duì)
2017-08-24 18:48:13
我在進(jìn)行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
Finfet技術(shù)（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
功率晶體管陣容包括各種傳統(tǒng)CW和脈沖雷達(dá)系統(tǒng)的難以找到的模型。 它們針對(duì)特定雷達(dá)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，其中需要對(duì)尺寸，重量，頻率和功率性能變量進(jìn)行管理。 這些固態(tài)預(yù)匹配晶體管適用于高達(dá)3.5 GHz的射頻
2019-05-14 11:00:13
和Si-VDMOS射頻和微波功率晶體管陣容包括各種傳統(tǒng)CW和脈沖雷達(dá)系統(tǒng)的難以找到的模型。 它們針對(duì)特定雷達(dá)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，其中需要對(duì)尺寸，重量，頻率和功率性能變量進(jìn)行管理。 這些固態(tài)預(yù)匹配晶體管適用于高達(dá)
2019-04-15 15:12:37
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過(guò)壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見(jiàn)晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
NPN晶體管排列和符號(hào)在解釋原理之前，我們先來(lái)了解一下NPN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和符號(hào)。要識(shí)別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發(fā)射極（e）。圖1.NPN 晶體管結(jié)構(gòu)和符號(hào)NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
晶體管是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基本組成部分之一。在二極管教程中，我們看到簡(jiǎn)單的二極管由兩塊半導(dǎo)體材料組成，形成一個(gè)簡(jiǎn)單的pn結(jié)。而晶體管是通過(guò)背靠背連接兩個(gè)二極管而形成的三端固態(tài)器件。因此，它有兩個(gè)PN結(jié)
2023-02-15 18:13:01
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)PN結(jié)二極管相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
作， (3)可得到的器件耐壓范圍從100V到700V，應(yīng)有盡有． 幾年前，晶體管的開(kāi)關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計(jì)人員的共同努力，改進(jìn)
2010-08-13 11:38:59
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
本帖最后由 王棟春 于 2021-1-5 22:40 編輯
《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》是“圖解實(shí)用電子技術(shù)叢書(shū)”之一。本書(shū)首先對(duì)各種模擬電路的設(shè)計(jì)和制作進(jìn)行詳細(xì)敘述；然后利用可在微機(jī)
2021-01-05 22:38:36
`內(nèi)容簡(jiǎn)介：《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一，共分上下二冊(cè)?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
管的UGS一ID曲線，可明白看出IDSS和UP的意義。（3）開(kāi)啟電壓開(kāi)啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。（4）跨導(dǎo)跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制
2019-04-04 10:59:27
陽(yáng)光健康、高技術(shù)屏障、高附加值的社會(huì)價(jià)值，引領(lǐng)和推動(dòng)人工智能技術(shù)成果講入億萬(wàn)家庭，造福百姓生活。未來(lái)，智能化將遍布我們的日常生活。此次中糧·天悅與科大訊飛的成功簽約，將共同開(kāi)啟智能人居進(jìn)化新時(shí)代，標(biāo)志著人居史上的重大進(jìn)步，顛覆人們對(duì)未來(lái)人居的想象。`
2018-07-23 09:16:06
測(cè)量晶體管老化的三個(gè)指標(biāo)：熱載流子注入(HCI)、偏壓溫度不穩(wěn)定性(BTI)、經(jīng)時(shí)介質(zhì)擊穿(TDDB)。BTI上文已經(jīng)解釋過(guò)，HCI是指晶體管發(fā)生狀態(tài)變換時(shí)的老化，電荷滯留在晶體管門(mén)介質(zhì)上，這樣器件開(kāi)關(guān)
2017-06-15 11:41:33
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個(gè)或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
晶體管通道完全閉合；二維過(guò)渡金屬二硫化物受損于其比透明導(dǎo)電氧化物還低的載流子遷移率?！ ≡谛录悠?麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟，正在先行研發(fā)一種有前景的替代材料：GaN。從光學(xué)角度看，GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
模塊正確匹配。這并不難，事實(shí)上，有一種有點(diǎn)傳統(tǒng)或至少是典型的方法，如下所述。晶體管效應(yīng)晶體管是用作微型繼電器的半導(dǎo)體器件，用于固態(tài)電子設(shè)備的分立式開(kāi)/關(guān)傳感器應(yīng)用。它們放大非常小的信號(hào)，例如接近開(kāi)關(guān)
2023-02-03 09:50:59
兩種比光敏二極管產(chǎn)生更高輸出電流的光敏器件的一些基本信息: 光敏晶體管和光敏集成電路。后一個(gè)術(shù)語(yǔ)指的是基本上是一個(gè)光電二極管和放大器集成到同一封裝。什么是光電晶體管？光電二極管可以產(chǎn)生光電流，因?yàn)樗慕Y(jié)
2022-04-21 18:05:28
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
，拐角處的電場(chǎng)總是被放大。這可以通過(guò)在角落使用硝酸鹽層來(lái)最小化。 制造成本高 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管演進(jìn) 現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)是CMOS晶體管。在過(guò)去的17年中，CMOS技術(shù)在制造和建筑中使用的材料方面
2023-02-24 15:25:29
電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開(kāi)關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一，共分上下二冊(cè)。本書(shū)作為下冊(cè)主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)
2017-06-22 18:05:03
晶體管，基極上的電壓必須低于發(fā)射極上的電壓。像這樣的基本電路通常將發(fā)射器連接到電源的加號(hào)。通過(guò)這種方式，您可以判斷發(fā)射極上的電壓。PNP 晶體管如何開(kāi)啟？PNP 和 NPN 晶體管的端子電阻值然后，我們
2023-02-03 09:45:56
請(qǐng)教：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置，有人說(shuō)是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
做了一個(gè)單結(jié)晶體管仿真（電力電子技術(shù)的初學(xué)者）。有個(gè)問(wèn)題請(qǐng)教于各位高手。1：開(kāi)關(guān)初始時(shí)刻是閉合的時(shí)候，點(diǎn)擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時(shí)刻，開(kāi)關(guān)打開(kāi)，點(diǎn)擊仿真后，點(diǎn)擊開(kāi)關(guān)閉合，二極管開(kāi)始閃爍。按照道理來(lái)說(shuō)。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎，為什么會(huì)有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱(chēng)這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱(chēng)這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
用功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。所選場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路的具體要求。小功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)注意輸入阻抗、低頻跨導(dǎo)、夾斷電壓（或開(kāi)啟電壓）、擊穿電壓待參數(shù)。大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)注意擊穿電壓、耗散功率
2021-05-13 07:10:20
，導(dǎo)致流過(guò)晶體管的電流為零的大耗盡層。在這種情況下，晶體管被關(guān)閉。 截?cái)鄥^(qū)域特征如下所示： 圖3.截?cái)鄥^(qū)域特征。圖片由Simon Munyua Mugo提供 晶體管操作類(lèi)似于單刀單擲固態(tài)開(kāi)關(guān)
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測(cè)晶體管的性能？怎樣去檢測(cè)特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
為什么選擇IP？如何開(kāi)創(chuàng)Internet互聯(lián)新時(shí)代？
2021-05-20 06:15:39
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開(kāi)關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱(chēng)為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
使晶體管工作會(huì)產(chǎn)生電氣負(fù)載和熱負(fù)載。對(duì)晶體管來(lái)講，負(fù)載太大壽命會(huì)縮短，最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致晶體管被破壞。為防止這種情況，需要檢查實(shí)際使用狀態(tài)，并確認(rèn)在使用上是否有問(wèn)題。這里說(shuō)明一下具體的判定方法。為
2019-05-05 09:27:01
。 如何提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度？——可以從器件設(shè)計(jì)和使用技術(shù)兩個(gè)方面來(lái)加以考慮。（1）晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間：晶體管的開(kāi)關(guān)波形如圖1所示。其中開(kāi)啟過(guò)程又分為延遲和上升兩個(gè)過(guò)程，關(guān)斷過(guò)程又分為存儲(chǔ)和下降兩個(gè)過(guò)程
2019-09-22 08:00:00
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
什么是電信號(hào)？常見(jiàn)的晶體管的電路符號(hào)有哪幾種？
2021-10-29 07:04:27
器(eTEG)薄膜技術(shù)解決了當(dāng)今電子行業(yè)中最具挑戰(zhàn)性的熱管理和電源管理問(wèn)題。不過(guò)，只有極少數(shù)廠商能以相同技術(shù)實(shí)現(xiàn)這兩種應(yīng)用：熱源單點(diǎn)散熱解決方案和利用廢熱發(fā)電的新方法。對(duì)于裸片、芯片、電路板和系統(tǒng)級(jí)實(shí)施的熱管理
2020-03-10 08:06:25
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過(guò)什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
。 如何提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度？——可以從器件設(shè)計(jì)和使用技術(shù)兩個(gè)方面來(lái)加以考慮。（1）晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間：晶體管的開(kāi)關(guān)波形如圖1所示。其中開(kāi)啟過(guò)程又分為延遲和上升兩個(gè)過(guò)程，關(guān)斷過(guò)程又分為存儲(chǔ)和下降兩個(gè)過(guò)程
2019-08-19 04:00:00
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式?！鰯?shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號(hào)說(shuō)明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
的內(nèi)部電路中也是采用這種技術(shù)。如下圖，肖特基箝位在基極-集電極之間，這種二極管開(kāi)關(guān)速度快，正向壓降比PN結(jié)小，準(zhǔn)確來(lái)說(shuō)叫做肖特基勢(shì)壘二極管。由于肖特基二極管的正向壓降比晶體管的Vbe小，因此，本來(lái)應(yīng)該
2023-02-09 15:48:33
有沒(méi)有關(guān)于晶體管開(kāi)關(guān)的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場(chǎng)上確立了自己的地位，但在軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對(duì)效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
幾十年來(lái)，電子設(shè)備變得越來(lái)越小，科學(xué)家們現(xiàn)已能將數(shù)百萬(wàn)個(gè)半導(dǎo)體集成在單個(gè)硅芯片上。天一通訊科技，變號(hào)軟件，該研究的領(lǐng)導(dǎo)者、密歇根理工大學(xué)的物理學(xué)家葉躍進(jìn)（音譯）表示：“以目前的
技術(shù)發(fā)展形勢(shì)看，10年到20年間，這種
晶體管不可能變得更小。半導(dǎo)體還有另一個(gè)先天不足，即會(huì)以
熱的形式浪費(fèi)大量能源?！?/div>
2013-07-03 10:44:31
` 引言 在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場(chǎng)的應(yīng)用場(chǎng)景中，提升效率極限一或兩個(gè)百分點(diǎn)依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
2021-01-19 16:48:15
電極-發(fā)射極電流與幾乎零柵流驅(qū)動(dòng)器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結(jié)合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術(shù)和傳統(tǒng)雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請(qǐng)問(wèn)各大大有無(wú) Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù)以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù) ,(例如日本型號(hào) 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù)) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
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